上海
《科創(chuàng)板日報》5月29日訊（編輯 宋子喬） 繼今年2月率先實現(xiàn)HBM4量產(chǎn)商用后，三星再度領跑下一代AI存儲賽道。今日，三星電子宣布，已開始向主要全球客戶交付業(yè)內(nèi)首批12層48GB HBM4E樣品。在完成初步樣品交付和優(yōu)化后，三星計劃根據(jù)客戶的進度安排開始批量生產(chǎn)HBM4E。
此外，三星已規(guī)劃擴展產(chǎn)品陣容，后續(xù)將推出8層32GB型和16層64GB型，以滿足不同客戶的多樣化算力需求。
三星12層HBM4E樣品
HBM（高帶寬存儲器）是AI加速芯片的核心配套部件，其帶寬與容量直接決定AI訓練與推理的效率。當前，HBM市場由三星、SK海力士和美光主導，此前SK海力士在HBM3及HBM3E階段占據(jù)顯著先發(fā)優(yōu)勢。
三星自2015年切入HBM賽道，產(chǎn)品已歷經(jīng)十代迭代，2026年2月，三星量產(chǎn)HBM4，是全球首家完成HBM4量產(chǎn)的企業(yè)。
據(jù)三星介紹，作為HBM4的迭代升級產(chǎn)品，12層HBM4E采用第六代10納米(nm)級DRAM工藝(1c)和三星晶圓代工的4nm邏輯基片，在性能、容量、能效與散熱方面均有大幅提升，專為大模型、生成式AI及高性能計算場景打造，與HBM4相比——
性能：其HBM4E可提供穩(wěn)定的14 Gbps引腳傳輸速度，性能可擴展至16Gbps，以滿足日益增長的數(shù)據(jù)處理需求；與HBM4相比，性能提升超過20%，同時每個堆棧的內(nèi)存帶寬高達3.6TB/s，有助于最大限度地提高大模型和下一代人工智能系統(tǒng)的計算性能。
容量：HBM4E提供48GB的容量，比上一代產(chǎn)品增加了30%以上，并計劃根據(jù)客戶需求擴展產(chǎn)品線，包括32GB（8層）和64GB（16層）配置。
能效和散熱：低功耗設計與封裝優(yōu)化使能效提升16%，熱阻改善超14%，散熱效率顯著增強，可降低AI數(shù)據(jù)中心高負載能耗。
HBM市場上，三星、SK海力士、美光正你追我趕，呈現(xiàn)三足鼎立格局。
作為當前HBM市場的份額領導者，SK海力士的HBM4于2025年9月量產(chǎn)；HBM4E計劃2026年下半年送樣、2027年量產(chǎn)，其HBM4E將采用基于1c nm制程的DRAM裸片，基礎裸片則由臺積電采用3nm工藝生產(chǎn)；美光的HBM4產(chǎn)能爬坡進展順利，計劃于2027年量產(chǎn)HBM4E，消息稱其HBM4E將采用10納米級第六代1γ工藝，這是美光首次在量產(chǎn)工藝中引入EUV光刻設備，基礎裸片將委托臺積電制造。
TrendForce分析指出，上述三大供應商正逐步將產(chǎn)業(yè)重心由良率競爭轉(zhuǎn)向定價權(quán)與下世代規(guī)格主導，雖傳統(tǒng)DRAM利潤率短期反超HBM，供貨商仍維持均衡產(chǎn)品組合，并看好HBM長期合約價走高，橫向?qū)Ρ葋砜矗斍俺鼿BM以外的各類DDR及消費級存儲，歷經(jīng)前期多輪漲價后價格已整體處于相對高位，而HBM的漲價紅利尚未充分釋放。
海通國際證券稱，伴隨2027年全球AI服務器出貨量持續(xù)高增、HBM3e/HBM4迭代滲透提速，疊加先進封裝與良率瓶頸仍持續(xù)約束供給釋放，看好HBM后續(xù)漲價預期。
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