《科創(chuàng)板日報》5月29日訊(編輯 宋子喬) 繼今年2月率先實現(xiàn)HBM4量產(chǎn)商用后,三星再度領跑下一代AI存儲賽道。今日,三星電子宣布,已開始向主要全球客戶交付業(yè)內(nèi)首批12層48GB HBM4E樣品。在完成初步樣品交付和優(yōu)化后,三星計劃根據(jù)客戶的進度安排開始批量生產(chǎn)HBM4E。
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此外,三星已規(guī)劃擴展產(chǎn)品陣容,后續(xù)將推出8層32GB型和16層64GB型,以滿足不同客戶的多樣化算力需求。
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三星12層HBM4E樣品
HBM(高帶寬存儲器)是AI加速芯片的核心配套部件,其帶寬與容量直接決定AI訓練與推理的效率。當前,HBM市場由三星、SK海力士和美光主導,此前SK海力士在HBM3及HBM3E階段占據(jù)顯著先發(fā)優(yōu)勢。
三星自2015年切入HBM賽道,產(chǎn)品已歷經(jīng)十代迭代,2026年2月,三星量產(chǎn)HBM4,是全球首家完成HBM4量產(chǎn)的企業(yè)。
據(jù)三星介紹,作為HBM4的迭代升級產(chǎn)品,12層HBM4E采用第六代10納米(nm)級DRAM工藝(1c)和三星晶圓代工的4nm邏輯基片,在性能、容量、能效與散熱方面均有大幅提升,專為大模型、生成式AI及高性能計算場景打造,與HBM4相比——
性能:其HBM4E可提供穩(wěn)定的14 Gbps引腳傳輸速度,性能可擴展至16Gbps,以滿足日益增長的數(shù)據(jù)處理需求;與HBM4相比,性能提升超過20%,同時每個堆棧的內(nèi)存帶寬高達3.6TB/s,有助于最大限度地提高大模型和下一代人工智能系統(tǒng)的計算性能。
容量:HBM4E提供48GB的容量,比上一代產(chǎn)品增加了30%以上,并計劃根據(jù)客戶需求擴展產(chǎn)品線,包括32GB(8層)和64GB(16層)配置。
能效和散熱:低功耗設計與封裝優(yōu)化使能效提升16%,熱阻改善超14%,散熱效率顯著增強,可降低AI數(shù)據(jù)中心高負載能耗。
HBM市場上,三星、SK海力士、美光正你追我趕,呈現(xiàn)三足鼎立格局。
作為當前HBM市場的份額領導者,SK海力士的HBM4于2025年9月量產(chǎn);HBM4E計劃2026年下半年送樣、2027年量產(chǎn),其HBM4E將采用基于1c nm制程的DRAM裸片,基礎裸片則由臺積電采用3nm工藝生產(chǎn);美光的HBM4產(chǎn)能爬坡進展順利,計劃于2027年量產(chǎn)HBM4E,消息稱其HBM4E將采用10納米級第六代1γ工藝,這是美光首次在量產(chǎn)工藝中引入EUV光刻設備,基礎裸片將委托臺積電制造。
TrendForce分析指出,上述三大供應商正逐步將產(chǎn)業(yè)重心由良率競爭轉(zhuǎn)向定價權(quán)與下世代規(guī)格主導,雖傳統(tǒng)DRAM利潤率短期反超HBM,供貨商仍維持均衡產(chǎn)品組合,并看好HBM長期合約價走高,橫向?qū)Ρ葋砜矗斍俺鼿BM以外的各類DDR及消費級存儲,歷經(jīng)前期多輪漲價后價格已整體處于相對高位,而HBM的漲價紅利尚未充分釋放。
海通國際證券稱,伴隨2027年全球AI服務器出貨量持續(xù)高增、HBM3e/HBM4迭代滲透提速,疊加先進封裝與良率瓶頸仍持續(xù)約束供給釋放,看好HBM后續(xù)漲價預期。
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