SID2026丨TCL華星全球首款超高遷50 ARR顯示技術巔峰首發

在高分辨率、高刷、低功耗的顯示技術浪潮下，TCL華星超高遷50氧化物技術打破傳統背板技術瓶頸，兼具高性能與低成本優勢。搭載該技術的全球首款矩陣分區分頻Oxide筆電屏，以ARR(AI Refresh Rate)多區動態變頻技術實現0.01Hz超低刷新率，功耗直降50%，為AI PC與下一代顯示設備提供高畫質、低能耗的核心方案，引領LCD技術進入全新世代。

需求迭代驅動技術革新

LCD背板開啟性能躍升新賽道

長期以來，LCD顯示技術的性能提升，始終與背板驅動器件的演進緊密相關。隨著行業對顯示體驗的要求持續升級，傳統背板方案已難以全面匹配多元場景的綜合需求：

-非晶硅(a-Si)TFT：工藝成熟穩定，但遷移率水平有限，在高分辨率、高刷新率等高端應用場景中存在性能瓶頸，同時靜態功耗控制難以滿足當前低功耗設計的更高標準。

-低溫多晶硅(LTPS)TFT：具備較高遷移率，可支撐高性能顯示。但工藝復雜、成本高昂，且漏電流控制能力有限，難以兼顧低頻低功耗需求，無法支持G8.5+大世代線面板。

-傳統氧化物TFT：在低關態電流特性上表現優異，但遷移率仍有提升空間，難以同時實現高刷與高分辨率的協同優化，無法充分釋放LCD技術的性能潛力。

隨著消費級市場對筆記本、顯示器的畫質要求持續提升，專業市場對VR/AR、醫療顯示等設備的性能需求不斷增長，行業迫切需要一種兼具高遷移率、低功耗、高可靠性與低成本的全新背板技術，以突破LCD顯示的性能天花板，TCL華星超高遷50氧化物技術正是在這一背景下應運而生。通過遷移率的大幅提升可實現real千刷超高頻驅動，器件微型化提升穿透率及實現極窄邊框，同時為單IC集成方案落地創造關鍵條件。

底層技術引領突破

超高遷50實現性能飛躍

TCL華星深研底層核心技術，攜手細野秀雄教授重磅推出自主研發的超高遷50氧化物技術，通過三大核心技術突破，構建了高性能氧化物TFT的完整技術閉環。

工藝體系重構：構建極致均勻的氧化物半導體體系

為實現氧化物半導體薄膜的極致均勻性與致密度，TCL華星率先突破傳統工藝路徑，引入業界領先的聯動式旋轉靶濺射成膜技術，疊加復合疊層設計抑制薄膜缺陷，增強耐藥液腐蝕性，大幅提升器件均一性和穩定性，為高性能氧化物TFT筑牢根基。同時創新性的采用了復合修復工藝進行界面改善，徹底解決高遷材料In含量過高帶來的器件及工藝問題，大幅提升材料遷移率。

核心器件攻堅：絕緣層氫氧平衡的精準調控，攻克超高遷移率器件的穩定性難題

超高遷移率氧化物TFT器件對水汽、氫、氧等環境與制程變量高度敏感，絕緣層中氫氧組分的失衡將直接導致器件性能劣化。TCL華星基于氧化物器件的機理研究與工藝積累，構建了前后溝道絕緣層的精準氫氧平衡調控體系，通過氫氧組分精準平衡、低缺陷界面構筑與高致密阻隔層制備，實現器件漏電抑制、缺陷態控制與環境阻隔能力的同步提升，保障器件在高遷移率下的穩定運行。

全鏈路設計優化：電路架構與TFT設計革新，釋放超高遷50氧化物的性能潛能

隨著氧化物半導體遷移率的提升，柵極對溝道的調控能力相對減弱，器件易出現閾值電壓漂移問題；同時高遷移率器件輸出電流顯著提升，而氧化物材料本征導熱系數較低，導致器件自發熱效應加劇，制約性能與可靠性。TCL華星通過新型GOA電路架構開發、TFT器件結構優化與散熱強化設計，實現電路架構與超高遷移率氧化物器件特性的深度適配，充分釋放高遷移率材料的性能潛力，達成產品規格升級與高可靠性的雙重目標。

目前，TCL華星在關鍵的器件特性方面已取得突破性成果：超高遷氧化物器件的電子遷移率可達50cm2/V·s，其Stress穩定性與已量產的氧化物水準相當，同時具備優異的耐壓特性和可靠性，已展現出清晰的量產前景。TCL華星計劃在2026年內實現該技術的量產突破，從而確立在氧化物顯示技術領域的行業領先地位。

TCL華星ARR技術重磅亮相

屏幕邁入場景智能時代

TCL華星自適應分區刷新率(ARR)技術，采用超高遷50技術，搭配面板設計、材料到驅動算法的全鏈路創新突破，實現產品性能躍升，開拓筆電顯示全新發展前景。

面板架構+驅動創新：構建水平+垂直雙維度矩陣式分區驅動新形態

創新采用全新GOA設計搭配電路設計，突破傳統顯示限制，實現靈活分區控制。水平方向以“行”為最小物理分區，實現像素級精準控頻；垂直方向依托COG IC完成硬件分區劃分，再通過軟件算法精準調控，軟硬協同實現垂直方向靈活分區，真正做到屏幕任意區域刷新率獨立可控，可按畫面內容智能劃分高刷、低刷區域，實現多區域差異化刷新。

超高遷50氧化物技術加持：賦能0.01~120Hz極限高低頻穩定顯示

基于超高遷50氧化物技術，實現0.01~120Hz的極限高低頻穩定顯示能力。有效攻克傳統屏幕低頻下亮度不均、畫面閃爍等難點，保障了高低刷切換時屏幕亮度高度均一，無論是120Hz高刷動態畫面，還是超低刷靜態畫面，均可呈現穩定細膩的視覺效果。

AI賦能：AI場景識別+AI PQ畫質雙維升級

依托AI智能賦能，搭載AI場景識別與AI PQ畫質補償雙重算法能力。

AI場景識別可智能識別屏幕動態、靜態內容，精準劃分畫面區域屬性，按需智能調度高低刷區域；動態區域維持120Hz高刷畫面絲滑流暢，靜態文檔區域可下探至0.01Hz超低刷新率，在不犧牲觀感、無頻閃的前提下，大幅削減屏幕功耗。

AI PQ畫質補償算法，針對不同刷新率分區智能調校亮度保障高低頻區域的視覺差異；并針對不同內容場景動態調節色域、對比度、亮度，為用戶帶來優質的顯示體驗。

TCL華星長期深耕氧化物技術領域，實現了從常規氧化物到高遷30再到超高遷50的階梯式技術突破：2024年完成常規氧化物IGZO量產落地，2025年達成高遷30氧化物技術量產，2026年將實現超高遷50氧化物技術的量產跨越。目前，搭載全球首款超高遷50氧化物技術的14英寸矩陣分區分頻筆電屏已在SID完成全球首發，以行業首發的姿態確立了技術引領地位。

TCL華星作為全球半導體顯示產業的領導者，始終致力于技術創新與材料工藝的迭代升級，同時秉持“真正的技術創新源于對用戶本質需求的洞察和對社會責任的擔當”的理念，ARR技術正是這一理念的生動實踐，我們期待將該突破性技術與全球頂級筆記本品牌伙伴分享，共同打造下一代AI PC產品。

未來，隨著超高遷50氧化物技術的規模化落地，更多兼具高性能、低功耗與成本優勢的顯示產品將推向市場，為用戶帶來前所未有的視覺體驗，也為顯示行業的發展注入新的活力。TCL華星也將繼續以“APEX臻圖”技術理念為引領，深耕半導體顯示技術，讓每一塊屏幕都成為看見美好未來的窗口。