河南
快科技6月2日消息，據媒體報道，三星電子計劃采用其自研的2nm工藝制造HBM5內存，預計2028年左右實現量產。
在散熱技術方面，HPB（Heat Path Block）將成為HBM5中的核心熱管理方案。具體而言，HPB是一種集成在芯片封裝內部的金屬導熱結構，通常以銅基材料制成，其導熱性能比基板、DAF或EMC等聚合物基材料高出約500至1000倍。
值得一提的是，作為技術驗證的一環，三星此前已在Exynos 2600芯片中引入HPB技術，使該處理器的散熱性能相比上代提升30%，也意味著這一散熱技術具備進入移動處理器市場的潛力。
當前，AI基礎設施對散熱需求日益旺盛，多種熱管理技術在存儲領域競相涌現。
5月26日，SK海力士推出了iHBM解決方案，通過在HBM封裝內集成一體化冷卻元件"ICE"，降低產品運行時的發熱量。
該技術同樣將應用于HBM5等下一代產品。SK海力士表示："該技術與客戶現有SiP系統級封裝環境具有高度設計兼容性，客戶無需進行大規模設計改動即可直接部署。"
有分析機構指出，HBM5架構雖然能夠以更高速度處理更大數據量，但也導致內部發熱量急劇增加。特別是負責HBM與外部GPU之間超高速數據傳輸的D2D PHY（芯片間物理層），被認為是芯片內部的主要熱源之一。
HPB與iHBM的共同特點在于，它們在D2D PHY區域內擁有獨立的散熱路徑，從而改善熱傳導與散熱效率，降低熱阻并增強系統穩定性。
在散熱技術集體升級的預期下，HBM市場或將維持供不應求的格局。根據TrendForce集邦咨詢的最新研究，三大原廠的HBM年度議價機制，使得合約價無法及時反映市場的季度漲價趨勢。
隨著時序進入2026年第二季度，買賣雙方已開始就2027年的主流產品HBM4供應展開談判。TrendForce集邦咨詢認為，基于DRAM整體供不應求的市況，以及新舊世代HBM的高制造難度與高成本，三大原廠將于2027年大幅上調HBM報價。
特別聲明：以上內容(如有圖片或視頻亦包括在內)為自媒體平臺“網易號”用戶上傳并發布，本平臺僅提供信息存儲服務。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
