浙江
在臺北國際電腦展（Computex 2026）上，AMD 在發布新一代 X3D 臺式機處理器和 Radeon RX 9070 GRE 顯卡的同時，正式推出了全新的內存超頻技術 EXPO ULL（Ultra Low Latency，超低延遲）。這一技術是在現有 EXPO 內存預設超頻功能基礎上的擴展，旨在通過進一步壓低 DDR5 內存時序，為 Ryzen 平臺帶來更高的游戲幀率與更流暢的畫面表現。
EXPO 是 AMD 針對 DDR5 平臺推出的擴展超頻配置檔（EXtended Profiles for Overclocking），功能類似于英特爾的 XMP，讓玩家可以通過主板 BIOS 一鍵加載由內存廠商預先驗證的穩定超頻參數，避免復雜的手動調校。在 EXPO 推出之前，AMD 曾依賴針對 XMP 調整的 AMP 或 A?XMP 方案，但從 2022 年開始，EXPO 成為 Ryzen 平臺 DDR5 內存超頻的主力標準。
此次新發布的 EXPO ULL 顧名思義，就是針對“超低延遲”進行優化，重點放在降低 DDR5 內存的 CL（CAS Latency）數值上。官方演示顯示，相比于標準 JEDEC 規格的 DDR5?5600 CL40 模組，一套運行在 6000 MT/s、CL28 的 EXPO ULL 內存組合，在平均游戲幀率方面可帶來約 13% 的性能提升，而這比普通 EXPO 配置在同平臺下再多出約 4 個百分點的增幅。
更重要的是，對于體驗更為敏感的 1% Low 或 99 百分位幀率指標（常用于衡量畫面流暢性、卡頓控制情況），EXPO ULL 帶來的提升更為明顯。在同樣以 JEDEC 標準頻率為對照的測試中，采用 ULL 配置后，1% Low 幀率提升幅度可達 15%，同樣比單純啟用 EXPO 方案多出約 4 個百分點，使 Ryzen 平臺在保證平均幀率的同時，進一步改善幀時間穩定性與輸入響應的一致性。
上述測試以基于 Zen 5 架構的八核心處理器 Ryzen 7 9700X 為平臺進行。不過 AMD 也指出，并非所有處理器都會從 EXPO ULL 中獲得同等幅度的收益：例如此次一同亮相的 Ryzen 7 7700X3D 這類配備 3D V?Cache 的型號，本身就借助大容量、低延遲的 L3 緩存，在許多游戲場景中降低了對系統內存延遲的依賴，因此從超低延遲 DDR5 上獲得的額外收益會相對有限。
AMD 曾多次強調，X3D 系列處理器的兩大核心賣點之一，就是通過疊層緩存，在當前內存價格偏高的環境下，為游戲玩家提供一種不完全依賴高頻、高價內存也能獲得出色幀率表現的路徑。這一次，EXPO ULL 則更多是面向使用常規 Ryzen 處理器、且愿意在高規格 DDR5 套條上投入的玩家，為其提供一條通過優化內存延遲來進一步壓榨平臺潛力的新途徑。EXPO ULL 的出現，標志著 AMD 在內存生態層面繼續深化與硬件廠商的合作，在頻率之外把“延遲”作為新的發力方向。
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