河南
快科技5月13日消息，美光科技日前宣布，已開始向關鍵合作伙伴提供256GB DDR5 RDIMM（寄存式雙列直插式內存模塊）樣品，傳輸速率最高可達9200 MT/s，比目前量產的DDR5內存快40%以上。
該模塊基于美光1-gamma DRAM工藝打造。1-gamma是美光第六代10nm級節點，也是其首次采用EUV光刻技術量產的DRAM制程，單片晶圓輸出密度較前代提升超30%，16Gb DDR5芯片速度快15%、功耗降超20%。
封裝方面，該內存采用3D堆疊與硅通孔互聯技術，將多顆DRAM顆粒立體堆疊，有效提升了單條容量和信號傳輸效率。
能效方面，單條256GB內存運行功耗為11.1瓦，相比兩條128GB內存組合方案總功耗19.4瓦，可降低40%以上運行功耗。
該內存主要面向大型語言模型、代理式AI和實時推理等數據中心工作負載，能夠在散熱和功耗限制范圍內最大化每個CPU插槽的內存容量。
美光正與生態系統合作伙伴在現有及下一代服務器平臺上進行驗證，以確保平臺兼容性并加速大規模生產部署。美光尚未公布量產或商用時間表。
與此同時，行業標準也在持續升級。目前JEDEC正在推動DDR5 MRDIMM標準，計劃將內存速度提升至12800MT/s，進一步滿足人工智能時代的內存發展需求。
美光官方對256GB DDR5 RDIMM內存的定價尚未披露，而現有256GB DDR5服務器內存條的市場行情已超過5萬元，單條售價落在5萬至6萬元區間。
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