全球存儲芯片短缺創15年之最!
根據TrendForce集邦咨詢4月1日發布的報告,今年第二季度一般型DRAM合約價預計環比上漲58%至63%,NAND閃存合約價環比上漲70%至75%。這一漲幅與市場廣泛引用的“存儲漲價58%”高度吻合。
在該消息刺激下,5月11日早盤,A股存儲芯片板塊拉升,截至發稿,興福電子(688545.SH)、同有科技(300302.SZ)、普冉股份(688766.SH)20CM漲停,瀾起科技(688006.SH)漲超18%,紅板科技(603459.SH)、長電科技(600584.SH)、沃格光電(603773.SH)等個股10CM漲停。
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供需失衡致價格上漲
熟悉半導體行業的人或許都知道,存儲芯片是半導體市場規模最大、周期性最靈敏的細分賽道,堪稱行業“周期晴雨表”。過往存儲行情,大多跟隨手機、PC等消費電子市場冷暖波動,漲跌節奏平緩、周期規律清晰。但2026年的存儲行情,徹底打破了傳統周期邏輯,走出了罕見的超速漲價行情。
漲價的核心根源,是全球產能結構性錯位。目前,三星、SK海力士、美光三大巨頭壟斷了全球絕大部分存儲產能,而近兩年,三家企業紛紛調整戰略重心,全力搶抓AI產業紅利。為了生產高附加值的HBM、DDR5等高端AI專用存儲芯片,巨頭們將大量晶圓產能、生產設備、潔凈室資源全面傾斜,直接大幅壓縮了傳統DRAM、NAND通用型存儲芯片的產能投放。
相關數據顯示,2026年全球DRAM供需缺口達4.9%,NAND閃存供需缺口為4.2%。即便當前手機、電腦等傳統消費電子需求整體平淡,也絲毫無法緩解通用存儲芯片的缺貨現狀。
如果說供給收縮是行情基礎,AI算力基建爆發式需求則是點燃本輪超級周期的燃料。如今存儲芯片的需求邏輯已經徹底迭代,全面轉向AI算力基礎設施。
隨著各大科技企業大模型迭代、AI服務器大規模部署、超算中心持續落地,算力產業對高速、大容量存儲芯片的需求呈指數級增長。數據顯示,2026年全球服務器端DRAM需求增速將高達39%,2027年仍能維持22%的高增長,僅服務器端的DRAM需求占比就將突破50%。同時,企業級SSD需求持續爆發,持續拉動NAND閃存需求走高。
更為稀缺的是,英偉達、OpenAI等頭部科技企業為保障AI數據中心建設落地,早已提前鎖定海量存儲產能,直接搶占了行業大部分優質產能,進一步擠壓了市場流通的通用型存儲芯片份額,讓現貨緊缺、漲價的局面持續加劇。
存儲全鏈條或將受益
對比歷史行情不難發現,往年存儲芯片季度價格波動大多維持在個位數,而今年二季度DRAM最高漲幅超60%、NAND閃存漲幅逼近75%的行情,在近十年行業中都極為罕見。這一輪漲價絕非短期超跌反彈,而是行業周期徹底反轉的明確信號。
回顧行業過往周期,存儲芯片始終遵循“降價去庫存—供需平衡—缺貨漲價—產能擴張—產能過剩”的循環規律。經過前幾年的持續降價洗牌,行業中下游庫存已經充分出清,疊加當前產能收縮、需求爆發的雙重利好,行業正式進入“漲價、去庫存、高景氣”的正向循環。
業內人士認為,行情持續升溫之下,A股整條存儲產業鏈將迎來全面修復,利好傳導路徑清晰且明確。
其中,上游半導體設備、材料企業,將受益于晶圓廠產能利用率提升、訂單集中釋放,業績穩步回暖。例如,作為國內唯一覆蓋刻蝕、薄膜沉積、清洗、熱處理等全環節的平臺型半導體設備龍頭,北方華創是存儲晶圓廠擴產的核心受益者。公司半導體設備業務深度綁定國內兩大存儲巨頭——長江存儲(3D NAND)、長鑫存儲(DRAM),同時進入中芯國際、SK 海力士等國內外頭部產線,在存儲設備領域市占率穩居本土第一。其半導體設備覆蓋刻蝕、薄膜沉積、清洗、熱處理、離子注入、涂膠顯影六大前道核心工序,全面適配12英寸晶圓、28nm至14nm及先進制程需求,是國內存儲產線建設的“主力軍”。
中游存儲芯片設計、封測企業,將直接享受產品漲價紅利,毛利率快速修復,業績彈性最大。例如,兆易創新是國內唯一同時覆蓋NOR Flash、SLC NAND、利基型DRAM三大存儲品類的設計龍頭,存儲業務為公司核心收入與利潤來源。數據顯示,2025年公司存儲芯片營收約65.66 億元,占比超70%,毛利率達42.84%。在本輪存儲漲價周期中,公司將直接受益于產品提價+庫存重估+出貨量抬升,業績彈性顯著。
下游存儲模組、終端配套企業,雖面臨一定成本壓力,但在行業高景氣、需求擴容的背景下,有望實現量價齊升,穩步提升營收規模。例如,江波龍是國內存儲模組絕對龍頭、全球第二大獨立存儲廠商,核心業務覆蓋嵌入式存儲、固態硬盤(SSD)、內存模組(DRAM)、移動存儲四大板塊。在過去的一年,其市值從300億飆升到2000億,直接深度受益于本輪存儲漲價周期,2026一季度凈利潤同比暴增2644.05%至38.62億元,已超2025年全年凈利潤,業績彈性領跑行業。
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