江蘇
本周，富士通正式官宣加入軟銀牽頭的下一代AI內存開發項目，將與軟銀、英特爾及東京大學組成聯盟，打造“SAIMEMORY新型內存”
《日經亞洲》報道稱，此次合作聚焦大型語言模型等復雜AI計算需求，旨在突破現有存儲技術瓶頸，該聯盟將以三維堆疊DRAM技術打造高帶寬內存（HBM）的直接替代品，研發兼具高性能與經濟性的存儲器解決方案，為AI基礎設施建設提供全新選擇。
作為項目核心參與者之一，富士通將自身深耕多年的量子啟發技術注入研發體系，包括張量網絡模擬器等關鍵技術，可有效優化深度電路分析效率，為新型內存的性能提升提供支撐。
該項目的技術路線涵蓋多重創新方向，既包括動態存儲器硅梳化等壓縮技術，也涉及與光子芯片的深度整合及后量子安全增強方案，其中光子芯片在生成式AI任務中的效能已被證實遠超英偉達傳統硅芯片，成為差異化競爭的核心亮點。
在技術協作層面，項目將整合英特爾的垂直堆疊技術與東京大學在熱管理、數據傳輸領域的學術成果，原型設計與制造環節則攜手新光電氣（富士通曾為其大股東）、力積電推進，形成“產學研用”一體化的研發閉環。
可以說，這不僅是富士通重返存儲器領域的關鍵布局，也是日本近期發力半導體產業競爭力的重要項目之一。
在這之前，軟銀已經投入了不少精力。
從項目規劃來看，軟銀新成立的Saimemory公司將承擔總指揮職能，專注于芯片設計、知識產權管理等核心環節，生產制造則采用外包模式以控制成本，這種輕資產運營策略既避開了巨額制造投資，又能聚焦技術創新。
資金方面，項目計劃到2027財年完成80億日元（約合3.59億元人民幣）總投資，其中軟銀出資30億日元，富士通與日本理化學研究所（理研）合計出資10億日元，后續還將申請日本政府資金支持，整體投資規模預計最終達100億日元（約合5億元人民幣）。
按照時間表，該將在兩年內完成原型樣品開發，評估量產可行性后，力爭在21世紀20年代實現商業化落地，軟銀也計劃將該新型內存優先應用于自身AI訓練數據中心，以更低成本構建高效能數據處理體系。
關注半導體行業的讀者應該熟悉近期內存市場的漲價潮。當前HBM作為AI設備的核心組件，雖具備高帶寬、低延遲優勢，但存在功耗高、成本高的短板，且供應持續緊張——行業龍頭SK海力士未來兩年的HBM產能已全部售罄，而美國咨詢公司BCG預測，2023至2027年間AI相關服務器出貨量將增長六倍，DRAM出貨量年均增速達21%，HBM使用量的攀升進一步加劇了市場缺口。
Saimemory項目自然瞄準這一痛點，目標以與HBM相當或更低的價格，實現2-3倍的容量提升和50%的功耗降低，憑借差異化優勢打破現有市場格局。
比起韓國兩大存儲大廠以及后來崛起的中國存儲企業，日本在存儲業務這塊可謂毫無競爭力。
早些年富士通曾涉足DRAM業務，后為規避市場競爭轉向專用芯片領域，而爾必達等日本同行在三星等韓企的價格戰沖擊下逐步衰落，2013年爾必達被美光收購，日本半導體產業也從80年代占據全球半壁江山的輝煌，滑落至2023年無一家企業躋身全球前十的困境。
雖然不賣產品，不過日本也并沒有完全退出存儲賽道，而是掌控了半導體設備、材料等供應鏈，從信越化學的硅晶圓到JSR的光刻膠，日本企業始終占據產業鏈核心環節。也正因于此，Saimemory內存也是具備一定的競爭力。
盡管前景可期，項目仍面臨多重考驗：三維堆疊DRAM技術的量產穩定性、成本控制能力、市場接受度等均需時間驗證，而韓國企業在HBM市場占據90%份額，技術路徑的顛覆式創新能否打破現有壟斷尚未可知。
從產業格局來看，這場由軟銀牽頭、跨越多機構的合作，不僅是對HBM技術的挑戰，更是日本半導體產業試圖借AI浪潮重返全球核心競爭圈的重要探索，其商業化進展將持續影響全球AI存儲市場的格局演變。
本文作者：jh
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