北京
據日經亞洲 2026 年 5 月報道，中國設定行業硬目標：2026 年底國內芯片制造商所用 12 英寸硅晶圓本土供應占比超 70%，海外供應商份額壓縮至 30% 左右。這一目標直指芯片產業最上游基礎材料，標志著半導體自主化從制造、設備向晶圓基底全面延伸。
硅晶圓是芯片的物理基底，12 英寸晶圓更是高端 CPU、GPU、存儲芯片與車規功率器件的核心載體，長期由日本信越、SUMCO 及中國臺灣地區廠商壟斷，合計占據全球六成以上份額。中國晶圓全球占比從 2020 年的 3% 躍升至 2025 年的 28%，預計 2026 年將達到 32%，成長速度位居全球首位。
推動這一激進目標的直接動因，是外部供應鏈風險集中爆發。2025 年 9 月底，美國實施 “50% 穿透規則”，荷蘭隨即以冷戰時期法律接管中資控股的安世半導體，并切斷對中國子公司的晶圓供應，試圖以原材料卡脖子癱瘓產能。
危機之下，安世中國快速切換至上海鼎泰匠芯、芯聯集成、上海積塔半導體等本土供應商，快速完成 12 英寸車規級晶圓國產替代，良率達標并實現穩定量產，成本較進口下降約 8%，東莞封測產能快速恢復，未出現大規模停線，反而完成從 8 英寸向 12 英寸平臺的升級。荷蘭政府事后承認，嚴重低估中方反制與本土替代能力，ASML 等荷蘭企業亦受波及出現裁員，歐洲汽車產業鏈一度面臨停擺風險。
從產業支撐看，70% 自給目標具備現實產能基礎。西安易硅等頭部企業 2026 年 12 英寸晶圓月產能將達 120 萬片，可滿足國內近四成需求，全球市占率突破 10%，并在多地擴產；中環領先等廠商產品通過臺積電、英飛凌認證，進入國際供應鏈體系。目前國內 8 英寸晶圓已接近完全自給，12 英寸成熟制程自給率穩步提升，預計 2026 年全球新增 12 英寸產能中 77% 來自中國，集中在 28nm 及以上成熟節點，廣泛覆蓋汽車、工業、消費電子需求。
這一進程呈現三大特征：一是成熟制程優先自主，先進制程仍需海外支持，循序漸進降低風險；二是市場與政策雙輪驅動，龐大內需支撐產能爬坡，成本優勢逐步顯現；三是危機倒逼加速替代，外部斷供反而縮短驗證周期，推動本土供應鏈快速成熟。
短期來看，國產晶圓在缺陷密度、均勻性、高端認證等方面與國際頂尖水平仍有差距，部分車規高壓料號良率有待提升，完全替代仍需 12—24 個月驗證周期。但長期趨勢明確：中國正從晶圓進口大國轉向供應大國，擠壓日臺廠商在成熟制程領域的市場空間，重塑全球半導體材料格局。
綜上，70% 本土供應目標不僅是產能數字，更是半導體安全戰略的關鍵落子。安世事件驗證了本土供應鏈的韌性，產能擴張支撐規模化替代，中國正以地基自主帶動全鏈自主，為芯片產業擺脫外部卡脖子奠定底層基礎。
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