北京
本周四，三星電子公布第一季度凈利潤，折合超過 300 億美元。這不僅大幅刷新公司歷史單季盈利紀錄，甚至已接近這家韓國企業過去全年利潤的最高水平。
三星第一季度營業利潤中，約 94% 來自半導體業務。
三星在存儲領域的主要競爭對手——韓國 SK 海力士與美國美光科技，近期也交出了同樣驚人的成績單。這三家公司主導著全球存儲芯片市場，而存儲芯片正是與英偉達處理器搭配、支撐 AI 運算的核心器件。
盡管市場對于 AI 服務未來能否真正實現高額盈利的擔憂正在增加，但圍繞 AI 基礎設施建設的企業，卻正持續獲得巨額利潤。
而這場歷史級高景氣行情，短期內似乎仍難結束。
三星存儲業務執行副總裁金宰俊表示，根據公司目前已鎖定的訂單情況，明年的供貨緊張局面還將進一步惡化。他在周四財報電話會議中表示：“目前可供市場的產能，遠遠無法滿足客戶需求。”
自今年年初以來，三星電子股價累計上漲 72%，SK 海力士上漲 90%，美光科技上漲 65%。
市場研究機構 TrendForce（集邦咨詢）數據顯示，2026 年第一季度存儲芯片價格較上一季度上漲近 100%，約為此前市場預期漲幅的兩倍。
近幾年，存儲廠商優先擴大 AI 專用高帶寬內存（HBM）的產能，這也限制了智能手機、個人電腦以及通用服務器所使用傳統存儲芯片的供應。大語言模型訓練通常需要將英偉達 GPU 與 HBM 搭配使用。
而近期，AI 推理需求持續升溫——也就是讓已經訓練完成的大模型響應用戶請求的計算場景。這進一步帶動了通用服務器需求，而此類服務器主要使用傳統存儲芯片，也將三星、SK 海力士和美光的盈利能力推升至新的高度。
根據 FactSet 的預測，這三家企業 2026 年合計凈利潤預計將達到約 3500 億美元。屆時，它們都將躋身全球利潤最高的十大上市公司之列，其中三星甚至有望超過 Alphabet、微軟與蘋果，躍居全球第二。而就在一年前，這三家存儲廠商還沒有一家進入全球利潤前十。
業內分析師指出，一座芯片晶圓廠的建設成本通常超過 200 億美元，且建設周期長達數年。雖然三星、SK 海力士和美光都在擴建新產線，但新增產能預計要到 2027 年末甚至 2028 年才能完全釋放。同時，大量產線資源正被分配給 HBM，而 HBM 相比傳統存儲芯片需要占用更多產能。
存儲芯片主要分為兩大類：
DRAM：為服務器、PC 及其他電子設備提供臨時數據存儲，以實現高速數據處理；
NAND 閃存：負責長期數據存儲，例如手機照片、文件等內容保存。
HBM 則是通過將多層 DRAM 芯片垂直堆疊，再與英偉達等廠商的處理器共同封裝，從而提升 AI 運算性能。英偉達目前與三星、SK 海力士、美光均保持緊密合作關系。
市場研究機構 Counterpoint 半導體分析師黃敏秀（MS Hwang）表示，目前 DRAM 與 NAND 兩大產品的營業利潤率，相比正常水平幾乎翻倍：DRAM 利潤率已達到約 80%，NAND 閃存最高接近 60%。
她還表示，服務器、PC 與智能手機行業的大型企業，如今正愿意支付更高價格，大規模采購并囤積存儲芯片，以限制競爭對手獲取供應。
“現在市場的邏輯是：誰掌控存儲供應，誰就有機會主導 AI 產業。”她說。
全球電子元器件分銷商 FusionWorldwide 執行副總裁 Marcus Chen 表示：“當前市場正在經歷史上最嚴重的存儲芯片短缺。”
他稱，其服務的大多數客戶，目前只能拿到自身需求量 30% 至 50% 的存儲芯片，“有些甚至更少”。
過去，客戶與存儲廠商之間長期依賴口頭協議鎖定供貨，但如今部分合作已經轉向具有法律約束力的長期合同。
花旗半導體分析師 Peter Lee 表示，部分合同期限長達五年，客戶不僅需要預付約 30% 款項，甚至還要分攤新建存儲晶圓廠的投資成本。
“我們正在看到客戶愿意做到這種程度。” Lee 表示。
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