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存儲芯片巨頭大戰下,HBM還在進化,而新型內存HBF(High Bandwidth Flash,高帶寬閃存)也加快了商業化進程。
近日,SK海力士與閃迪聯合舉辦“HBF規格標準化聯盟啟動”活動,宣布在開放計算項目(OCP)框架下成立專屬工作組,推進HBF的全球標準化。
消息傳出后,閃迪盤前股價拉升5%,足以看出市場對該技術的高度期待。
什么是HBF?這并非全新概念,其源于AI產業從訓練向規模化推理的轉型。
作為“AI推理時代存儲缺口解決方案”的核心技術,HBF的標準化啟動,標志著下一代存儲架構競爭進入實質階段。
隨著多模態大模型普及,AI服務并發量激增,現有存儲架構陷入明顯瓶頸:HBM帶寬優異但容量有限、成本高昂,單堆棧僅數十GB;而TB級的SSD雖容量充足,卻讀寫偏慢,無法適配AI推理的實時性需求。
正是為了解決現有內存技術的問題,催生了HBF技術,其核心定位就是填補兩者間的存儲空白,打造兼具高帶寬、大容量與高性價比的專屬解決方案。
要理解HBF的核心優勢,需從其技術本質入手。
根據官方的介紹,HBF是經架構重構與封裝優化的新型存儲半導體,借鑒HBM成熟的3D堆疊技術,將存儲介質替換為NAND閃存,通過硅通孔(TSV)技術實現高速數據傳輸,既完整保留NAND閃存高容量、低成本的優勢,又具備接近HBM的帶寬表現。
其采用CMOS直接鍵合到陣列(CBA)設計,打破傳統NAND的固有限制,實現獨立訪問的存儲器子陣列,大幅提升數據并行訪問能力。數據顯示,單堆棧HBF容量可達512GB,8個堆棧可實現4TB,足以高效支撐大模型參數的高速讀取需求。
不過,HBF的出現并非要取代HBM,反而是要與之協同構建高效AI存儲架構。
在全新的AI存儲架構下,HBM將負責延遲敏感型任務,而HBF會接替HBM專注于大容量順序讀取的工作,例如模型參數讀取。
兩者分工協作、優勢互補,精準滿足AI推理的性能與功耗雙重需求,SK海力士推出的“H3混合架構”就是用來驗證這一邏輯。
該架構將HBM與HBF并列部署于GPU周邊,仿真測試顯示,其每瓦性能較純HBM方案最高提升2.69倍,在1000萬token 場景下,并發查詢量提升18.8倍,GPU使用量大幅減少。
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正是看到HBF在AI推理場景中的巨大潛力,全球存儲巨頭紛紛加碼布局。
其中,SK海力士作為HBM領域龍頭,擁有成熟的堆疊與封裝技術;閃迪則是HBF概念的提出者和商業化先行者,兩者聯手推進標準化,形成了技術與市場的雙向互補。另外,三星電子也已加入這一陣營,未來三大巨頭共同推動HBF標準化從雙邊合作走向廣泛的產業協同。
而OCP作為全球知名的開放數據中心技術組織,為其提供了重要平臺支撐,專屬工作組的成立,將加速HBF技術規范的完善,為其規模化商業化落地掃清障礙。
“HBM之父”Kim Joungho表示,三星與閃迪計劃在2027年底至2028年初,將HBF技術集成至英偉達、AMD、谷歌的相關產品中;閃迪也明確預測,首批HBF產品將于2026年下半年出樣,搭載HBF的AI推理設備則將于2027年初出樣。業界普遍預計,HBF的市場需求將于2030年進入快速增長通道,2038年市場規模有望超越HBM,其核心驅動力正是AI推理場景的持續擴張,其高容量、高帶寬、低成本的特性,可精準適配數據中心、自動駕駛等多領域需求。
不過,盡管HBF商業化前景廣闊,但依然沒有跳脫NAND閃存本身寫入速度偏慢的固有短板,在緩存動態更新場景中可能影響用戶體驗。
SK海力士也坦言,需通過設計優化、提升基礎芯片性能來突破這一限制。此外,HBF與現有GPU架構的兼容性、封裝復雜度及設備散熱等問題,仍需整個行業協同攻關解決。但總體而言,HBF仍是AI產業倒逼存儲技術創新的必然結果。
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