北京
【CNMO科技消息】近日，三星電子在臺(tái)北電腦展2026期間公布下一代存儲(chǔ)方案，首次展示第八代高帶寬內(nèi)存HBM5樣品，并表示將推進(jìn)一項(xiàng)名為HPB的散熱技術(shù)在后續(xù)產(chǎn)品中的應(yīng)用，以應(yīng)對(duì)AI系統(tǒng)持續(xù)提升帶來(lái)的發(fā)熱問(wèn)題。
三星電子DS部門首席技術(shù)官宋在赫于在展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)介紹稱，隨著AI產(chǎn)業(yè)快速變化，覆蓋存儲(chǔ)、代工、邏輯和封裝的整體方案能力正變得更加重要。與此同時(shí)，AI系統(tǒng)正向超高性能和超高集成方向演進(jìn)，競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)已不再局限于單純的存儲(chǔ)性能，數(shù)據(jù)處理效率和熱管理能力也成為關(guān)鍵因素。
此次亮相的HBM5樣品屬于開(kāi)發(fā)完成前的外觀模型。三星稱，面向HBM5的一項(xiàng)核心技術(shù)是HPB，即通過(guò)新增獨(dú)立熱傳導(dǎo)路徑，降低熱阻，并讓物理層區(qū)域產(chǎn)生的熱量更高效地?cái)U(kuò)散和釋放，從而提升運(yùn)行穩(wěn)定性。按照三星的說(shuō)法，該技術(shù)有望在高帶寬、高集成的AI應(yīng)用環(huán)境中改善系統(tǒng)整體效率。
三星還透露，HPB技術(shù)已在HBM4E產(chǎn)品上完成實(shí)現(xiàn)與驗(yàn)證，后續(xù)將正式導(dǎo)入HBM5，以進(jìn)一步提升產(chǎn)品性能和穩(wěn)定性。此前，三星已表示計(jì)劃在HBM5中率先采用2納米基礎(chǔ)芯片。
除HBM5外，三星在本次展會(huì)上還展示了HBM4E晶圓和芯片組。該產(chǎn)品采用1c DRAM核心芯片與自家4納米工藝基礎(chǔ)芯片組合的結(jié)構(gòu)。根據(jù)三星此前公布的信息，HBM4E已于5月29日完成行業(yè)首個(gè)樣品出貨，能夠以每引腳14Gbps穩(wěn)定運(yùn)行，最高可達(dá)16Gbps，對(duì)應(yīng)最大帶寬4TB/s。三星表示，未來(lái)將繼續(xù)與包括英偉達(dá)在內(nèi)的全球企業(yè)展開(kāi)合作，強(qiáng)化下一代存儲(chǔ)技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力。
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