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本文來自EETOP博客，作者：sea11038
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原文（一張圖）：
壇友問的一個(gè)問題，推導(dǎo)了一下，原理不復(fù)雜，具體設(shè)計(jì)時(shí)還要結(jié)合工藝的失配參數(shù)繼續(xù)推導(dǎo)和計(jì)算。
以下內(nèi)容為AI解讀整理成了一份結(jié)構(gòu)清晰、公式完整的筆記（不一定100%正確，請參考原圖）
MOS 電流鏡失配分析（含源極負(fù)反饋）
一、基礎(chǔ)電流鏡（無電阻）
1. 電流方程
飽和區(qū) MOS 電流：
其中 為閾值電壓。
2. 一階誤差推導(dǎo)
對電流做全微分，考慮 和 的失配：
代入得到：
3. 相對電流誤差
兩邊除以 ：
4. 誤差方差（隨機(jī)失配）
假設(shè) 與 相互獨(dú)立，方差為：
二、帶源極電阻的電流鏡（源極負(fù)反饋）
1. 電流方程
源極串聯(lián)電阻 后，柵源電壓關(guān)系變?yōu)椋?/p>
因此電流方程為：
2. 一階誤差推導(dǎo)
對電流做全微分，考慮 、 和 的失配：
分別求偏導(dǎo)：
代入得到：
整理后：
3. 相對電流誤差
兩邊除以 ：
當(dāng) 時(shí)，第二項(xiàng)可近似為：
4. 誤差方差（隨機(jī)失配）
假設(shè) 、、 相互獨(dú)立，方差為：
三、關(guān)鍵結(jié)論
1源極負(fù)反饋的衰減作用：
MOS 管參數(shù)（、）失配帶來的電流誤差，被源極負(fù)反饋衰減了 倍，因此電流鏡匹配度顯著提升。
1電阻失配成為新的誤差源：
電阻 的失配 會(huì)直接反映到電流誤差中，成為主導(dǎo)誤差源之一，設(shè)計(jì)時(shí)需同時(shí)保證電阻的匹配精度。
設(shè)計(jì)權(quán)衡：
增大 可以進(jìn)一步抑制 MOS 管失配，但電阻失配的影響不會(huì)被衰減，反而會(huì)隨 增大而更受關(guān)注，需在兩者之間做平衡。
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