DDR5暴漲627%的背后，AI正在“搶走”你的內(nèi)存

文 | 影子備忘錄

2026年5月，全球存儲芯片市場正在經(jīng)歷一場前所未有的風暴。

這不是普通的“漲價”——這是結(jié)構(gòu)性產(chǎn)能錯配引爆的“超級周期”。DDR5顆粒從4.68美元漲到34.08美元，單月漲幅突破100%；DRAM合約價一季度跳漲90%以上。

全球約70%的先進存儲產(chǎn)能被AI吞噬，消費電子市場陷入“有錢也買不到貨”的困境；三星電子單季營業(yè)利潤超過2025年全年總和，SK海力士平均每天凈賺超20億元人民幣——這些數(shù)字背后，一場由AI驅(qū)動的半導體產(chǎn)業(yè)權(quán)力重構(gòu)正在加速推進。

但問題在于：漲價只是結(jié)果的暴露，而非原因的終結(jié)。市場真正需要回答的，不是“漲了多少”，而是“為什么價格會突然失去錨點”？

為什么過去三年一輪的存儲周期，在AI面前突然失效？為什么連蘋果這樣的供應(yīng)鏈管理大師，也不得不為iPhone 17的LPDDR5X芯片接受翻倍的報價？

答案指向一個本質(zhì)：AI正在用算力的邏輯，重塑存儲產(chǎn)業(yè)的資源配置規(guī)則，而整個行業(yè)——從上游晶圓廠到下游終端廠商——都還沒有準備好應(yīng)對這種顛覆。

價格體系的重構(gòu)，正在沖擊市場

截至2026年第二季度，TrendForce預(yù)測一般型DRAM合約價將環(huán)比上漲58%至63%，NAND Flash合約價環(huán)比上漲70%至75%。

而在2026年第一季度DRAM合約價漲幅已被上修至93%至98%，NAND Flash漲幅被上修至85%至90%。在不到半年的時間里，存儲價格體系已經(jīng)從“溫和修復”直接切入“急劇重估”。

回顧整個漲價路徑：2025年第三季度DRAM價格同比暴漲171.8%，其中DDR5 16Gb顆粒從4.68美元漲至34.08美元，漲幅達到驚人的627.79%。更震撼的是2025年10月，DDR5 16Gb顆粒單價從7.68美元飆升至15.5美元，單月漲幅102%。

國家發(fā)改委價格監(jiān)測中心數(shù)據(jù)顯示，截至2026年1月，DRAM和NAND閃存價格均創(chuàng)下2016年有統(tǒng)計數(shù)據(jù)以來的最高值。

如果把這組數(shù)據(jù)拆開看，一個關(guān)鍵信號便浮現(xiàn)出來：DRAM在第一季度經(jīng)歷了一次近乎“跳空式”的重估，第二季度繼續(xù)維持高位上行；而NAND則在第二季度顯示出更強的價格爆發(fā)力。

DRAM的緊張，首先體現(xiàn)為服務(wù)器和高端內(nèi)存配置對通用供給的“抽血效應(yīng)”；NAND的加速，則更多來自AI數(shù)據(jù)中心對企業(yè)級SSD的需求外溢，以及原廠對低利潤產(chǎn)品的主動供給控制。

這輪價格的真正詭異之處在于：它不是一個“所有產(chǎn)品同步、均勻、線性漲價”的市場。真正發(fā)生的，是不同產(chǎn)品線在同一輪景氣中被重新排序——誰更貼近AI服務(wù)器、誰利潤更高、誰更能綁定長期客戶，誰就先獲得產(chǎn)能與議價權(quán)。而那些偏向消費級、標準化程度高、毛利偏低的產(chǎn)品，則在供給分配中被毫不留情地放到最后。

這恰恰是“超級周期”最典型的前兆之一：價格不再只由“現(xiàn)貨緊不緊”決定，而開始由“誰有資格優(yōu)先獲得產(chǎn)能”決定。

不是缺貨，是AI在搶產(chǎn)能

許多觀察者將本輪漲價簡單歸因為“AI需求爆發(fā)導致芯片短缺”，這種概括雖不無道理，卻嚴重低估了問題的結(jié)構(gòu)性與復雜性。真正驅(qū)動漲價的力量來自供需兩側(cè)的雙重疊加。

供給端的三記重拳。

第一拳：產(chǎn)能的結(jié)構(gòu)性遷徙。三星、SK海力士、美光三大巨頭壟斷著全球90%以上的DRAM產(chǎn)能，但近兩年來，它們心照不宣地將先進制程產(chǎn)能全面向HBM（高帶寬存儲器）傾斜。

集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，全球約70%的先進存儲產(chǎn)能正在被AI領(lǐng)域“吞噬”，而手機、電腦等消費電子市場只能爭奪剩下的殘羹。新思科技CEO蓋思新甚至直言：頭部制造商生產(chǎn)的大部分內(nèi)存芯片“幾乎全部流向AI基礎(chǔ)設(shè)施”。

第二拳：擴產(chǎn)的剛性約束。存儲芯片制造極度依賴無塵室空間，而其擴張周期通常需要1.5至2年，新增產(chǎn)能短期內(nèi)根本無法釋放。

SK海力士此前明確表示，AI需求爆發(fā)疊加潔凈室擴張緩慢，導致供給增長完全無法匹配需求增速。美光CEO桑杰·梅赫羅特拉更是直言：核心客戶的需求滿足率僅為50%至三分之二。

第三拳：HBM的“虹吸效應(yīng)”。每生產(chǎn)1bit的HBM，大約需要消耗相當于3倍DDR5的晶圓面積。這意味著，每將一片晶圓分配給HBM，就意味著三片傳統(tǒng)DRAM產(chǎn)能的永久性消失。這種物理級別的產(chǎn)能擠占，絕非短期擴產(chǎn)所能彌補。

需求端的指數(shù)級燃燒。

在需求側(cè)，情況更加瘋狂。單臺AI服務(wù)器的DRAM用量可達傳統(tǒng)服務(wù)器的8至10倍。2026年全球服務(wù)器端DRAM需求增速將高達39%，2027年仍能維持22%的高增長，僅服務(wù)器端的DRAM需求占比就將歷史性地突破50%。

摩根士丹利最新報告顯示，2026年全球HBM總需求達322.79億Gb，同比增長約150%；其中僅英偉達一家就占比約54%。更關(guān)鍵的是，這種需求不是短期炒作。

SEMI中國總裁馮莉指出，2026年全球AI基礎(chǔ)設(shè)施支出將達到4500億美元，其中推理算力占比首次超過70%。AI從訓練走向推理，意味著存儲需求的核心驅(qū)動力正從“階段性采購”轉(zhuǎn)向“持續(xù)性消耗”。

供需兩側(cè)的雙重擠壓，直接制造了一個驚人的缺口。高盛研報顯示，2026年全球DRAM市場供需缺口達4.9%，NAND Flash缺口達4.2%，HBM缺口更是高達5.1%，均為2011年以來最高水平。這被高盛定性為“過去15年來最嚴重的存儲芯片供應(yīng)短缺”。

交銀國際研究的判斷更為尖銳：當前全球存儲芯片行業(yè)正經(jīng)歷“本世紀以來最強勁的上行周期”，周期強度不僅高于此前幾輪，上行周期至少將持續(xù)至2027年第一季度。

為什么這輪漲價需要重新理解？

如果僅僅用“供不應(yīng)求”四個字來解釋這輪行情，便會錯過更具深意的產(chǎn)業(yè)變革。過去幾個月，多個此前被視為“行業(yè)定論”的觀點正在被現(xiàn)實逐一擊碎。

共識一被打破：“AI需求只拉動HBM，消費端不受影響”。

市場一度流行一種“隔離論”——認為AI只是高端市場的故事，普通存儲還是老樣子。但事實證明，這種隔離從來不存在。

三星、SK海力士、美光將產(chǎn)能向HBM傾斜后，DDR5、DDR4、甚至NOR Flash都被卷入了漲價漩渦。DDR4現(xiàn)貨價從2025年低點的約3美元飆升至27美元以上，漲幅接近10倍。

普冉股份在互動易上也明確表示，NOR Flash芯片產(chǎn)品受到行業(yè)供需關(guān)系變化影響，價格“在合理范圍內(nèi)上調(diào)”。HBM的虹吸效應(yīng)，已經(jīng)順著產(chǎn)能的傳導鏈，蠶食了每一個存儲品類。

共識二被打破：“存儲芯片漲價的最終買單者是消費者”。

國家發(fā)改委價格監(jiān)測中心指出，存儲芯片價格上漲正逐步傳導至消費電子終端，聯(lián)想、戴爾、惠普等主要電腦廠商均已發(fā)布調(diào)價函，漲幅普遍在500至1500元之間；小米、vivo等國產(chǎn)新機型同配置版本價格較上一代上漲300至500元。

蔚來董事長李斌直言，2026年企業(yè)最大的成本壓力來自存儲芯片漲價，單車存儲芯片成本從700元上升至2000元。這種傳導已經(jīng)不是“錦上添花”，而是實實在在的成本沖擊。

但最新的信號顯示，這條傳導鏈正在某個環(huán)節(jié)開始斷裂。

共識三被打破：“漲價潮中，買家只能被動接受”。

5月上旬，摩根士丹利發(fā)布了備受矚目的2026年上半年中國CIO調(diào)研報告。數(shù)據(jù)顯示，面對內(nèi)存價格的持續(xù)暴漲，僅有20%的中國CIO選擇直接增加硬件預(yù)算，而高達38%選擇“right-sizing”（壓縮內(nèi)存需求），17%只采購關(guān)鍵負載所需內(nèi)存，13%押注廠商讓步而推遲采購。

這是中國CIO第一次對內(nèi)存供應(yīng)商集體說“不”。

這意味著什么？意味著下游用戶已經(jīng)開始尋找繞過天價存儲的替代路徑——或者壓縮配置，或者延長存量設(shè)備的使用壽命，或者探索基于NAND的KV緩存等替代方案。

這不是議價層面的短期博弈，而是整個IT采購邏輯的切換。如果這種趨勢蔓延，存儲產(chǎn)業(yè)鏈的某個環(huán)節(jié)遲早會出現(xiàn)“預(yù)期差”——而存儲行業(yè)的歷次周期反轉(zhuǎn)，往往都始于需求端預(yù)期差的暴露。

共識四被打破：“存儲的周期規(guī)律不會變”。

這是最具顛覆性的打破。過去十年，存儲行業(yè)一直遵循著“三年一周期”的經(jīng)典節(jié)奏：降價去庫存、供需平衡、缺貨漲價、產(chǎn)能擴張、重回過剩——周而復始。

但這一輪，AI徹底打亂了節(jié)奏。正如深圳一家存儲行業(yè)上市公司高管所言：“存儲是個強周期行業(yè)，大概三年一個周期，但AI需求至少把周期拉長了一年”。

更激進的觀點來自產(chǎn)業(yè)領(lǐng)袖。SK集團會長崔泰源預(yù)計本輪內(nèi)存供應(yīng)短缺將持續(xù)至2030年，供應(yīng)缺口超20%。英特爾CEO陳立武則將存儲芯片短缺定性為“AI發(fā)展的最大挑戰(zhàn)”，預(yù)計供需失衡要到2028年才會緩解。

無論最終誰更接近真相，有一點已然清晰：存儲行業(yè)的傳統(tǒng)周期律，正在被AI時代的結(jié)構(gòu)性需求重構(gòu)所改寫。

共識五被打破：“存儲芯片的定價權(quán)永遠在芯片廠手里”。

在傳統(tǒng)的存儲強周期中，三星、海力士、美光三大巨頭掌握著絕對的定價權(quán)，下游廠商幾無議價能力。但本輪周期出現(xiàn)了一個關(guān)鍵變量：國產(chǎn)存儲力量的崛起。

長江存儲、長鑫科技在技術(shù)和產(chǎn)能上的持續(xù)突破，正在緩慢但堅定地改變這一格局。正如中國經(jīng)濟網(wǎng)所分析的，中國存儲產(chǎn)業(yè)的崛起正成為影響全球存儲格局、決定行業(yè)發(fā)展走向的“勝負手”。

兆易創(chuàng)新、江波龍、佰維存儲等國產(chǎn)廠商跟隨國際龍頭同步提價，但也在不斷擴張自身的產(chǎn)能版圖。這種競爭格局的微妙變化，是過去幾輪存儲周期中從未出現(xiàn)過的。

巨頭們賺瘋了但這可能是最危險的信號

價格暴漲的另一面，是巨頭們史無前例的利潤狂飆。

SK海力士2026年第一季度財報，堪稱半導體行業(yè)史上最炸裂的成績單：營收52.58萬億韓元，同比增長198%；營業(yè)利潤37.61萬億韓元，同比暴增405%；凈利潤40.35萬億韓元，同比增長398%。

營業(yè)利潤率達到驚人的72%，不僅創(chuàng)下公司歷史紀錄，更一舉超越英偉達和臺積電，問鼎全球半導體行業(yè)盈利能力之王。

換算成更直觀的數(shù)字：SK海力士在2026年開年的前三個月，平均每天凈賺超過20億元人民幣。

這背后的核心驅(qū)動力極其清晰——HBM。盡管HBM在SK海力士DRAM總出貨量中的占比僅為14%左右，但其銷售額貢獻已超過40%，營業(yè)利潤貢獻更是超過50%。用不到兩成的產(chǎn)能，賺取超過一半的利潤——這就是高端存儲的極致定價權(quán)。

三星電子同樣不甘示弱。2026年第一季度，三星營業(yè)利潤達57.2萬億韓元——這個數(shù)字已經(jīng)超過了三星2025年全年43.6萬億韓元的總營業(yè)利潤。花旗銀行預(yù)計三星2026年全年營業(yè)利潤將達310萬億韓元，同比增長超6倍。

美光科技則在2026財年第二季度實現(xiàn)營收238.6億美元，毛利率飆升至74.4%，均創(chuàng)歷史新高。CEO梅赫羅特拉在財報電話會上做出了一個極具標志性意義的表態(tài)：內(nèi)存不再是周期性大宗商品，而是人工智能時代的關(guān)鍵戰(zhàn)略資產(chǎn)。

但正是在這種極致的繁榮中，最大的風險正在悄然積蓄。

一方面，美光、SK海力士均在大幅上調(diào)資本支出計劃，美光已將2026財年資本支出預(yù)期從200億美元上調(diào)至250億美元，并計劃在接下來一年中再追加100億美元。

SK海力士則啟動了位于韓國清州的P&T7工廠建設(shè)，總投資19萬億韓元，專門用于HBM等AI內(nèi)存的先進封裝工藝。資本開支持續(xù)攀升所伴隨的風險——一旦需求端出現(xiàn)任何預(yù)期修正，新增產(chǎn)能就有可能從“救命稻草”變成“沉重包袱”。

另一方面，LS證券分析師Jung Woo-sung在5月11日的報告中提出了一個關(guān)鍵警示：存儲芯片價格從此處繼續(xù)上漲，將同時發(fā)揮“正面催化劑”和“風險因素”的雙重作用——整機廠商的BOM成本增加、大型科技公司折舊費用上升、中國存儲國產(chǎn)化加速、以及可能出現(xiàn)的2027年供需調(diào)整——“當前估值應(yīng)聚焦于高盈利能力的可持續(xù)時長”。

這也許是當下最需要警惕的問題：當存儲芯片的利潤率遠超所有下游應(yīng)用，整條產(chǎn)業(yè)鏈的利益分配機制正在發(fā)生根本性的斷裂。

三大未解難題這輪超級周期的“勝負手”

盡管理論上的漲價動能仍然充沛，但市場并非沒有變數(shù)。三個懸而未決的深層問題，正在為這輪行情的后續(xù)走向增添變數(shù)。

第一問：中國CIO的“集體反抗”會否成為需求拐點的先行信號？

摩根士丹利調(diào)研中38%的中國CIO選擇壓縮內(nèi)存配置而非追加預(yù)算，這絕非孤立事件。當存儲芯片在手機整機中的BOM占比從10%至15%飆升至30%至40%，終端產(chǎn)品的定價邏輯已經(jīng)變形。

如果消費者不愿意為更昂貴的手機買單，終端廠商的采購策略必然轉(zhuǎn)向保守。這種“需求端負反饋”一旦形成，將是產(chǎn)業(yè)鏈最值得警惕的結(jié)構(gòu)性變量。

第二問：三星罷工與地緣風險，會否在供給端制造“黑天鵝”？

就在5月21日，三星電子可能面臨為期18天的勞資罷工——數(shù)萬名員工要求分享公司一季度380億美元營業(yè)利潤中的更大份額。

作為全球最大的存儲器制造商，三星任何形式的生產(chǎn)中斷都將產(chǎn)生立竿見影的供應(yīng)鏈沖擊，從企業(yè)級服務(wù)器到消費級設(shè)備無一幸免。此外，中東沖突的延宕也可能對芯片供應(yīng)鏈產(chǎn)生深層擾動。供給側(cè)的脆弱性，遠比市場目前定價的更高。

第三問：這輪漲價是AI時代下的結(jié)構(gòu)性牛市，還是一場被需求透支的超級泡沫？

從表面上看，AI對存儲的需求是真實的——2026年AI將推動數(shù)據(jù)中心DRAM和NAND的位需求TAM首次超過行業(yè)的50%。

但越是強烈的需求信號，越容易引發(fā)供給側(cè)的過度反應(yīng)。美光分析師已開始預(yù)警：KV緩存等替代方案的出現(xiàn)可能使NAND增量需求低于預(yù)期；而存儲芯片毛利率逼近周期峰值，一旦出現(xiàn)回調(diào)，幅度或?qū)⑦h超市場預(yù)期。歷史反復證明：最強烈的共識之下，往往隱藏著最危險的糾錯。

結(jié)語

存儲芯片的這輪漲價，已經(jīng)超越了供需曲線的范疇，演變?yōu)橐粓鲫P(guān)于半導體產(chǎn)業(yè)權(quán)力結(jié)構(gòu)、資源配置規(guī)則和AI時代定價權(quán)的深層博弈。

AI正在用它的算力邏輯，重新定義“存儲”這個詞在整個科技產(chǎn)業(yè)鏈中的位置——它不只是CPU的配角，而是新算力范式的核心瓶頸。

從這個意義上說，這輪漲價與其說是扭曲，不如說是“價值回歸”——存儲芯片長期以來被低估的戰(zhàn)略地位，正在價格信號中完成重估。

但對于產(chǎn)業(yè)鏈上的每一個參與者而言——無論是上游的芯片巨頭，還是下游的手機品牌、服務(wù)器廠商，抑或是每一個終將被漲價傳導到的消費者——這場重估的最終代價將由誰來承擔，答案遠未揭曉。

而真正的風險從來不是價格本身，而是在所有人都相信“漲價會永遠持續(xù)”時，被忽略掉的那一個脆弱環(huán)節(jié)。