海力士官宣：HBM關鍵技術突破！

韓國存儲廠商SK 海力士宣布，其應用于高帶寬內存（HBM）模組的混合鍵合封裝技術良率已實現提升?；旌湘I合技術可讓存儲芯片廠商無需借助微凸點，即可完成存儲晶圓層間的鍵合連接。這種直接接觸的互聯方式能夠降低發熱，進而實現更高傳輸速率與更優能效表現。據韓國媒體《The Elec》報道，海力士技術負責人金鐘勛（Kim Jong-hoon）在韓國舉辦的超越 HBM—— 先進封裝核心技術：從下一代基板到模組行業會議上，公布了這一技術進展。

全新封裝技術將落地下一代 HBM4 內存芯片

高帶寬內存通過多層存儲裸片垂直堆疊，再進行整體封裝制成。傳統堆疊方案普遍依靠微凸點實現裸片互聯，目前主流 HBM 產品多為 8 層、12 層堆疊設計。

為進一步提升傳輸速度、性能與單顆容量，HBM4、HBM5 等下一代內存模組需要堆疊更多晶圓層；同時，受限于設備空間要求，封裝整體尺寸必須嚴格控制。在此背景下，混合鍵合技術去除了裸片之間的微凸點結構，讓廠商能夠在同等封裝體積內，實現更多晶圓層的高密度堆疊。

海力士官宣，標志 HBM 市場取得關鍵技術突破

據《The Elec》消息，海力士技術高管金鐘勛于首爾這場封裝技術峰會上透露，公司已成功完成12 層裸片堆疊HBM的混合鍵合工藝驗證。他補充表示：“目前我們正全力提升工藝良率，使其達到大規模量產標準。具體良率數值暫無法公開，但整體量產籌備進度較以往大幅提速。”

混合鍵合量產落地前，海力士持續迭代高端底部填充工藝

在混合鍵合技術量產商用之前，海力士將繼續沿用大規?；亓鞒尚偷撞刻畛涔に嚕∕R-MUF）。該工藝與混合鍵合的目標一致，均以縮小裸片間隙為核心優化方向，但區別在于：MR-MUF 方案仍保留銅質微凸點互聯結構，通過整體加熱堆疊組件，再以底部填充膠填充裸片間隙，實現結構加固與性能優化。

HBM 內存雖主要面向企業級計算與高端算力負載場景，但混合鍵合帶來的性能升級，同樣會為消費級產品帶來增益。不過受全球數據中心海量需求驅動，HBM 芯片將長期面臨高價、供貨緊缺的現狀，行業產能與工藝瓶頸仍將持續存在。

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