MRDIMM，在中國市場加速滲透

到2027年，MRDIMM在中國市場的滲透率將達到8%至10%。

隨著人工智能服務器對高帶寬和大容量內存的需求迅速增長，瑞薩電子指出，在中國強勁的需求和產能擴張的推動下，其在中國的內存接口事業部（MID）業務預計將在 2026 年實現 100% 的增長。

鑒于內存價格上漲和供應緊張，高端DDR5 MRDIMM接口解決方案在人工智能計算領域的應用正在加速。瑞薩電子預計，到2027年，MRDIMM在中國市場的滲透率將達到8%至10%，公司計劃積極為中國客戶提供測試和驗證服務。

瑞薩電子MID業務發展總監李竹表示，DDR5 6400產品原本預計在2026年占據超過50%的市場份額，而速度更快的8000 MT/s產品將在2027年取而代之。然而，近期內存模塊和CPU價格的上漲降低了升級的性價比優勢，這可能會延緩客戶對DDR5 8000的驗證和采用。

新規范采用的延遲預計不會對行業造成重大影響。從存儲器制造商的角度來看，這種延遲甚至可能有助于延長現有工藝技術的生命周期，提高設備折舊效率，并提升整體毛利率。由于升級的緊迫壓力減輕，推動下一代技術的動力也可能隨之降低。

盡管如此，人工智能驅動的帶寬需求持續推動高端內存產品的增長，而MRDIMM正是其中的主要受益者之一。瑞薩電子解釋說，MRDIMM架構能夠將數據傳輸速率提升一倍，同時將單模塊容量從96GB提升至256GB。與傳統的RDIMM相比，這提高了CPU利用率，尤其適用于大規模人工智能模型工作負載。關于價格，朱先生表示，由于MRDIMM架構復雜，成本比RDIMM產品高出十倍以上，因此其市場滲透率此前一直受到限制。

然而，隨著整體內存價格上漲，MRDIMM 和 RDIMM 之間的相對價格差距正在縮小。人工智能服務器的性能提升被視為一項硬性需求，降低了客戶對價格的敏感度，從而推動了 MRDIMM 的快速普及。瑞薩電子目前預測，到 2027 年，MRDIMM 在中國的滲透率將從此前預估的 5%–8% 提升至 8%–10%，未來甚至有望達到 15%–20%。

與美國市場更為標準化的生態系統不同，中國云服務提供商正積極推廣定制化內存模塊。這種需求推動了本土供應鏈企業快速的技術進步和產能擴張。為了支持這一增長，瑞薩電子已在上海和成都部署了超過100名工程師的技術團隊，并配備了完善的測試設施，為客戶提供早期驗證支持。公司對2026年中國市場的強勁營收增長充滿信心。

隨著內存價格上漲和人工智能需求加速高端產品的普及，瑞薩電子認為，未來市場發展將由人工智能對更大帶寬和容量的需求驅動，這將進一步提高高速內存和相關接口芯片的重要性。

什么是MRDIMM？

MRDIMM（有時也稱作 MR DIMM）是 Multiplexed Rank Dual Inline Memory Module（多路復用雙列直插式內存模塊） 的縮寫。它是人工智能與數據中心等內存密集型負載的理想內存解決方案。

MRDIMM 將雙列 DDR5 模組與多路復用緩沖及內存控制器相結合，以提升性能，超越標準 DDR5 規格。多路復用 DIMM 可提供最高帶寬、最低延遲的主存，同時具備大容量與更高的能效比。MRDIMM 將兩個 DDR5 RDIMM 整合在單個模組內，這意味著它能夠實現雙倍的數據傳輸速率。

去年年底，美光推出了面向Intel Xeon 6處理器的高性能DDR5 DRAM解決方案。美光提供的MRDIMM主內存解決方案，在帶寬、延遲和容量三個關鍵維度上都實現了顯著突破。這種高性能內存特別適用于AI訓練、推理以及高性能計算等對內存性能要求極高的應用場景。通過與Intel Xeon 6處理器的深度優化，美光MRDIMM能夠充分發揮處理器的計算潛力，加速內存密集型工作負載的執行效率。

在容量方面，美光的大容量MRDIMM提供從32GB到256GB的豐富選擇，滿足不同規模數據中心的部署需求。這種靈活的容量配置使得數據中心運營商能夠根據實際業務需求進行精準部署，在保證性能的同時優化總體擁有成本。更重要的是，美光的高性能MRDIMM解決方案在帶寬和能效方面可提高39%，為數據中心帶來了顯著的性能提升和能源節省。

美光在DDR5技術領域展現出了強大的技術領先優勢。DDR5 RDIMM擴展后的總帶寬高達9200 MT/s，MRDIMM擴展后的總帶寬高達8800 MT/s，這種超高帶寬為數據密集型應用提供了充足的數據傳輸能力。與上一代3200 MT/s的DDR4 SDRAM相比，DDR5 SDRAM內存的帶寬最高可提升1倍，這種性能飛躍為AI和高性能計算應用打開了全新的可能性。

美光基于32Gb單顆粒技術的128GB RDIMM代表了內存技術的最新進展。這種大容量設計不僅提供了更多的內存空間，更重要的是通過先進的封裝技術實現了性能與容量的完美平衡。美光96GB和128GB大容量RDIMM正在全球各地推動AI數據中心的發展，為人工智能應用提供了堅實的硬件基礎。

美光128GB DDR5 RDIMM內存采用了行業前沿的1β技術，這項技術突破帶來了多方面的性能優勢。與采用3DS硅通孔技術的競品相比，美光的解決方案在位密度方面提高45%以上，這意味著在相同的物理空間內可以集成更多的存儲單元。同時，能源效率提升高達22%，這對于追求綠色節能的現代數據中心具有重要意義。此外，延遲最多降低16%，進一步提升了系統的響應速度和整體性能。

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