上海
《科創板日報》6月2日訊 在今日舉行的Computex 2026電腦展上，三星電子首次展示了第八代高帶寬存儲芯片HBM5，并首次公開推出了HPB（Heat Pass Block，導熱塊）散熱方案。
據《朝鮮日報》等韓媒報道，三星電子計劃使用其自主研發的2nm工藝制造的芯片生產HBM5，預計將在2028年左右實現量產。而HPB將是大規模應用于其中的核心熱管理技術，
具體而言，HPB是一種集成在芯片封裝內的金屬導熱結構，通常由銅基材料制成，其導熱性能比基板、DAF或EMC等聚合物基材料高出約500至1000倍。
“通過增加一個類似煙囪結構的獨立傳熱路徑，我們降低了芯片運行溫度，提高了運行穩定性，”三星電子首席技術官宋載赫表示：“預計未來它將在高帶寬、高密度人工智能環境下，對提升下一代HBM的性能和系統效率發揮關鍵作用。”
宋載赫聲稱，HPB技術已在HBM4E芯片中得到應用和驗證，其可靠性和穩定性均已得到充分驗證。
值得一提的是，作為技術驗證的必要環節，此前三星電子已在Exynos 2600芯片中引入HPB技術，可使該處理器的散熱性能相比上代提升30%，意味著該散熱技術擁有進入移動處理器市場的潛力。
而眼下，AI基礎設施散熱需求正盛，多種熱管理技術在存儲領域相繼涌現。
5月26日，SK海力士推出iHBM解決方案，通過在HBM封裝內集成一體化冷卻元件“ICE”，以降低產品運行時的發熱量。該技術同樣將應用于HBM5等下一代產品。SK海力士表示：“該技術與客戶現有SiP系統級封裝環境具備高度設計兼容性，客戶無需進行大規模設計改動，即可直接部署。”
三星電子和SK海力士，為何紛紛革新HBM散熱技術？
機構指出，HBM5架構雖然能夠以更高的速度處理更大的數據量，但也會導致內部發熱量急劇增加。特別是負責HBM與外部GPU之間超高速數據傳輸的D2D PHY（芯片間物理層），被認為是芯片內部的主要熱源之一。而HPB和iHBM的特點是在 D2D PHY 區域內具有獨立的散熱路徑，從而改善熱傳導和散熱，降低熱阻并增強系統穩定性。
在散熱技術集體升級的預期下，HBM或仍維持供不應求局面。根據TrendForce集邦咨詢最新研究指出，三大原廠的HBM年度議價機制，導致HBM合約價無法及時反映市場的季度漲價趨勢。隨著時序進入2Q26，買賣雙方正在對2027年的主流產品HBM4供應進行談判。TrendForce集邦咨詢認為，基于DRAM供不應求市況、新舊世代HBM的高制造難度及高成本，三大原廠將于2027年大幅調高HBM的報價。
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