武漢近日發布2026年重大項目規劃,380億美元(約合人民幣2600億元)存儲半導體擴產計劃宣告落地。
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擴產以長江存儲與武漢新芯為雙核心,主攻3D NAND與DRAM兩大方向。長江存儲三期廠房已進入設備調試階段,預計2026年底投入量產,2027年達成月產能5萬片的階段性目標。
長江存儲三座新廠全面達產后,總產能較現有水平提升超過100%,出貨量有望超越SK海力士和美光,劍指全球NAND閃存第三席位,僅次于三星和鎧俠。
武漢新芯同步推進三期擴產,總投資280億元。武漢新芯深耕NOR Flash特色工藝,是國內規模最大的NOR Flash芯片制造廠商,目前擁有兩座12英寸晶圓廠,每座月產能超3萬片。
產能翻番的背后,是AI算力對存儲芯片的需求加大。TrendForce最新數據顯示,單臺AI服務器對DRAM的需求是傳統服務器的8倍,對NAND Flash的需求是3倍。
高盛預測2026年全球DRAM供需缺口將達4.9%,為15年來最嚴重。而原廠產能爬升需要12至18個月,供需缺口短期內難以填平。
存儲芯片價格在AI需求的持續拉動下大幅上漲,產業鏈企業的業績同步兌現。其中佰維存儲2026年Q1實現營業收入68.14億元,同比增長341.53%;歸母凈利潤28.99億元,相當于2025年全年凈利潤的3.3倍。
來源:快科技
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