臺(tái)積電為何不用High-NA EUV光刻機(jī)

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近來半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域最受關(guān)注的問題之一是臺(tái)積電宣布不打算在其計(jì)劃于2029年左右推出的A13節(jié)點(diǎn)上采用高數(shù)值孔徑EUV光刻系統(tǒng)。此舉引發(fā)了關(guān)于這一決定是否以及在多大程度上會(huì)影響ASML未來增長(zhǎng)軌跡的討論。

在此背景下，其影響不僅限于 ASML 的產(chǎn)品路線圖，還將影響客戶的采用策略和近期 EUV 需求前景。

高數(shù)值孔徑極紫外光刻：成本過高，短期內(nèi)難以普及？

即使對(duì)于預(yù)計(jì) 2026 年資本支出高達(dá) 5600 億美元的代工巨頭 ASML 而言，其高數(shù)值孔徑 EUV 系統(tǒng)仍然被視為價(jià)格昂貴，每臺(tái)設(shè)備的售價(jià)約為 4 億美元——據(jù)路透社報(bào)道，這大約是當(dāng)前一代 EUV 系統(tǒng)成本的兩倍。隨著臺(tái)積電加速在美國(guó)、日本和其他海外地區(qū)的新晶圓廠擴(kuò)大產(chǎn)能，這一問題變得更加突出。

在此背景下，臺(tái)積電推遲采用高數(shù)值孔徑極紫外光刻技術(shù)的決定，反映了其更廣泛的戰(zhàn)略，即擴(kuò)展現(xiàn)有低數(shù)值孔徑極紫外光刻設(shè)備的性能范圍。臺(tái)積電副首席運(yùn)營(yíng)官兼高級(jí)副總裁張凱文告訴路透社，公司在推進(jìn)現(xiàn)有極紫外光刻技術(shù)的同時(shí)，也保持著積極的擴(kuò)展路線圖，其研發(fā)工作“卓有成效”。

為了配合這一戰(zhàn)略，臺(tái)積電在上周的北美技術(shù)研討會(huì)上擴(kuò)展了其1-2nm工藝路線圖，推出了多個(gè)旨在提升效率而無需轉(zhuǎn)向下一代光刻技術(shù)的節(jié)點(diǎn)變體。據(jù)Tom's Hardware報(bào)道，這些節(jié)點(diǎn)包括1.2nm和1.3nm級(jí)別的A12和A13，以及出人意料的N2系列擴(kuò)展產(chǎn)品N2U，目標(biāo)上市時(shí)間為2028年至2029年。

低數(shù)值孔徑極紫外光刻擴(kuò)展了尺寸縮放路徑

臺(tái)積電指出，A13 是通過對(duì) A14 進(jìn)行光學(xué)縮減而來，在保持完全設(shè)計(jì)規(guī)則和電氣兼容性的前提下，芯片面積減少了約 6%，從而使客戶能夠以最小的重新設(shè)計(jì)工作量進(jìn)行升級(jí)。正如《微電子》雜志所強(qiáng)調(diào)的，這也使得現(xiàn)有 IP 可以直接復(fù)用，表明這種漸進(jìn)式縮減仍然可以通過低數(shù)值孔徑 EUV 光刻結(jié)合多重曝光技術(shù)得到有效支持。

TechPowerUp解釋說，低數(shù)值孔徑（Low-NA）極紫外（EUV）多重曝光需要多次曝光才能形成單層，其中兩次刻蝕可以有效地模擬高數(shù)值孔徑（High-NA）曝光的部分優(yōu)勢(shì)。然而，該報(bào)告補(bǔ)充道，在接近1納米及以下的先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上，這種技術(shù)將受到越來越多的限制，屆時(shí)高數(shù)值孔徑極紫外曝光預(yù)計(jì)將成為必需。

因此，低數(shù)值孔徑（Low-NA）EUV光刻技術(shù)仍然能夠滿足臺(tái)積電近期的發(fā)展規(guī)劃。這家晶圓代工巨頭——在3nm和2nm工藝強(qiáng)勁的需求支撐下——似乎并不急于采用高數(shù)值孔徑（High-NA）EUV光刻技術(shù)，而是選擇密切關(guān)注同行廠商的轉(zhuǎn)型進(jìn)展。正如路透社此前報(bào)道，包括英特爾和SK海力士在內(nèi)的ASML客戶已經(jīng)開始準(zhǔn)備最早于2027年采用高數(shù)值孔徑EUV系統(tǒng)，目標(biāo)是用于下一代AI邏輯芯片和高帶寬存儲(chǔ)芯片。

ASML認(rèn)為北美低端EUV需求強(qiáng)勁

值得注意的是，ASML與臺(tái)積電的立場(chǎng)一致，認(rèn)為低數(shù)值孔徑（Low-NA）極紫外光刻（EUV）技術(shù)仍保持強(qiáng)勁增長(zhǎng)勢(shì)頭。根據(jù)Investing.com的會(huì)議記錄，ASML首席財(cái)務(wù)官Roger Dassen表示，公司目標(biāo)是在2026年至少生產(chǎn)60套低數(shù)值孔徑極紫外光刻系統(tǒng)，并計(jì)劃在2027年將產(chǎn)量進(jìn)一步擴(kuò)大到80套左右。作為參考，《朝鮮日?qǐng)?bào)》指出，ASML通常每年僅生產(chǎn)40-50套系統(tǒng)。

值得注意的是，盡管ASML并未披露高數(shù)值孔徑EUV光刻機(jī)的出貨目標(biāo)或詳細(xì)的營(yíng)收構(gòu)成，但仍提供了該領(lǐng)域的部分信息。根據(jù)公司發(fā)布的財(cái)報(bào)，ASML在2026年第一季度實(shí)現(xiàn)凈系統(tǒng)銷售額63億歐元，其中EUV系統(tǒng)貢獻(xiàn)超過41億歐元，包括兩款高數(shù)值孔徑EUV光刻機(jī)的營(yíng)收。

假設(shè)高數(shù)值孔徑 (High-NA) 工具的外部基準(zhǔn)約為 4 億美元，這意味著 ASML 的大部分 EUV 收入仍然來自低數(shù)值孔徑 (Low-NA) 系統(tǒng)。

與此同時(shí)，ASML 還強(qiáng)調(diào)了其低數(shù)值孔徑 EUV 平臺(tái)的長(zhǎng)生命周期。該公司在財(cái)報(bào)電話會(huì)議上指出，其 1000 瓦光源的演示是一個(gè)關(guān)鍵里程碑，實(shí)現(xiàn)了長(zhǎng)期可擴(kuò)展性。ASML 表示，到 2031 年，低數(shù)值孔徑 EUV 設(shè)備的性能預(yù)計(jì)將達(dá)到每小時(shí) 330 片晶圓——遠(yuǎn)高于目前的性能水平——這將鞏固其在未來多年內(nèi)作為 EUV 制造主力設(shè)備的地位。

超越極紫外光的新動(dòng)力

據(jù)路透社3 月份的一篇報(bào)道，在下一代 EUV 需求存在不確定性的背景下，這家荷蘭設(shè)備制造商也在尋求超越其光刻核心業(yè)務(wù)，目標(biāo)是拓展到先進(jìn)封裝領(lǐng)域。

據(jù)《電子》雜志進(jìn)一步報(bào)道，根據(jù)在一次行業(yè)會(huì)議上公布的專利分析，ASML公司被認(rèn)為正在推進(jìn)晶圓對(duì)晶圓（W2W）混合鍵合設(shè)備的研發(fā)。分析結(jié)果表明，該公司正在利用其核心的Twinscan光刻平臺(tái)技術(shù)，探索W2W混合鍵合機(jī)的開發(fā)。

值得注意的是，業(yè)內(nèi)人士預(yù)計(jì)三星和 SK 海力士最遲會(huì)在 HBM5 中采用混合鍵合技術(shù)，這可能會(huì)為 ASML 帶來新的長(zhǎng)期增長(zhǎng)動(dòng)力。

ASML最大的客戶是誰？

臺(tái)積電長(zhǎng)期以來一直被視為ASML最大的客戶。《聯(lián)邦雜志》此前報(bào)道稱，該公司占據(jù)了全球EUV光刻系統(tǒng)裝機(jī)量的56%?！赌先A早報(bào)》 2024年的一篇報(bào)道援引AnandTech和The Register的數(shù)據(jù)進(jìn)一步指出，臺(tái)積電在全球EUV系統(tǒng)裝機(jī)量中的份額將從2020年的50%增長(zhǎng)到2023年的56%。

然而，這種主導(dǎo)地位正日益被置于歷史的視角下審視。隨著存儲(chǔ)器制造商大幅增加資本支出以支持人工智能驅(qū)動(dòng)的HBM周期，ASML頂級(jí)客戶群的構(gòu)成正在逐漸發(fā)生變化。

值得注意的是，ASML在韓國(guó)的需求已經(jīng)大幅增長(zhǎng)，該地區(qū)占其2026年第一季度銷售額的45%，高于2025年第四季度的22%。據(jù)SeDaily報(bào)道，三星也通過大規(guī)模設(shè)備訂單擴(kuò)大其光刻產(chǎn)能，從ASML訂購(gòu)了約20套用于10納米以下先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)的EUV系統(tǒng)。

與此同時(shí)，臺(tái)積電在先進(jìn)封裝領(lǐng)域日益重要的地位凸顯了其技術(shù)多元化程度的提升，不再局限于傳統(tǒng)的晶圓代工服務(wù)。在此背景下，ASML的收入來源可能會(huì)逐漸轉(zhuǎn)向更加多元化的客戶群體。

臺(tái)積電的漸進(jìn)式微縮策略能否勝過同行們采取的更為激進(jìn)的高數(shù)值孔徑芯片采用策略，以及阿斯麥能否成功應(yīng)對(duì)這一技術(shù)轉(zhuǎn)型，仍然是半導(dǎo)體行業(yè)最受關(guān)注的動(dòng)態(tài)之一。

https://www.trendforce.com/news/2026/05/01/news-behind-tsmcs-high-na-euv-deferral-low-na-stays-strong-customer-landscape-shifts-and-asml-quietly-pivots/

（來源：trendforce）

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