光通信“中國鏈”：從材料、代工到模塊

隨著 3.2T 光模塊、量子光芯片等下一代技術(shù)加速迭代，硅光集成等技術(shù)已成為光通信領(lǐng)域不可逆的主線。日前，2026 九峰山論壇暨中國光谷國際化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會于中國光谷科技會展中心開幕，本屆展會除化合物半導(dǎo)體的賽道外，光模塊與光通信產(chǎn)業(yè)成為全場另一大核心主線，產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)集中亮相，全面展現(xiàn)了國產(chǎn)光通信產(chǎn)業(yè)的突破與國產(chǎn)化進程。

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上游核心：關(guān)鍵材料與高端測試設(shè)備

光模塊的性能升級與規(guī)模化量產(chǎn)，高度依賴上游核心材料與高端測試設(shè)備的底層支撐，本屆展會集中呈現(xiàn)了國產(chǎn)廠商在這一領(lǐng)域的關(guān)鍵突破。

在核心材料層面，磷化銦（InP）襯底是高速光芯片的核心襯底材料，主要用于制備邊發(fā)射激光器芯片（如 DFB、EML）與探測器芯片（如 PIN、APD），是實現(xiàn)光信號發(fā)射與接收的核心載體，更是 800G、1.6T 及以上超高速光模塊不可或缺的基礎(chǔ)材料。隨著 AI 數(shù)據(jù)中心向 800G/1.6T 光模塊加速升級，全球磷化銦襯底需求呈指數(shù)級增長，供需缺口持續(xù)擴大。

本屆展會上，云南鍺業(yè)展出了其6英寸磷化銦單晶片等產(chǎn)品。目前，其已實現(xiàn)大尺寸、低缺陷密度、高平整度、超高潔凈表面磷化銦單晶片的規(guī)模化生產(chǎn)，可全面保障國內(nèi)光通訊頭部企業(yè)在 5G 基站、數(shù)據(jù)中心、AI 算力中心等信息基建項目的建設(shè)需求；同時在現(xiàn)有年產(chǎn) 15 萬片產(chǎn)能的基礎(chǔ)上，正推進擴產(chǎn)至年產(chǎn) 45 萬片的產(chǎn)能規(guī)劃。

隨著 AI 超節(jié)點/集群規(guī)模的快速增長，單個光模塊的故障/失效將被指數(shù)級放大，影響智算系統(tǒng)/集群網(wǎng)絡(luò)的可用性、穩(wěn)定性，光模塊測試從"生產(chǎn)質(zhì)量保證"升級為"網(wǎng)絡(luò)關(guān)鍵保障"。單一模塊的故障/失效影響在萬卡以上的集群規(guī)模中被指數(shù)級放大。光模塊全流程開發(fā)與測試能力逼近瓶頸，高端儀器成為產(chǎn)業(yè)演進的關(guān)鍵保障。

萬里眼在本屆展會上發(fā)布了 65GHz 帶寬的 SpWave PS 系列光采樣示波器，實現(xiàn)三大核心技術(shù)突破，進一步完善了國產(chǎn)高端光電測試儀器產(chǎn)品矩陣。

其一，測試效率實現(xiàn)跨越式提升，憑借業(yè)界領(lǐng)先的 500kHz 采樣率，測試效率較傳統(tǒng)方案提升 100%，可大幅縮短產(chǎn)品生產(chǎn)周期，助力客戶提升光模塊量產(chǎn)能力；

其二，帶寬性能實現(xiàn)代際升級，65GHz 超高帶寬可完美支持單通道 200G 測量，為 1.6T 光通信產(chǎn)業(yè)發(fā)展筑牢技術(shù)底座，同時模塊化架構(gòu)可支持未來向更高速率演進，保障客戶長期投資價值；

其三，測量精度達到行業(yè)領(lǐng)先水平，可實現(xiàn)低至 12μW（典型值）的超低底噪，能夠精準捕捉微弱光信號，為產(chǎn)品高質(zhì)量生產(chǎn)與交付提供支撐。該系列產(chǎn)品支持高達 120GBaud 信號速率，ADC 分辨率達 16bit，可充分滿足企業(yè)與科研機構(gòu)的 1.6T/800G 光模塊研發(fā)與測試需求，同時作為嚴格校準的接收機，可保障測試結(jié)果完全符合行業(yè)標準。

這也是萬里眼繼 2025 年 10 月發(fā)布 90GHz 超高速實時示波器后，在高速光電測試領(lǐng)域的又一關(guān)鍵突破。現(xiàn)場工作人員介紹，長期以來，該賽道的全球市場龍頭為是德科技。此前泰克、力科等國際測試測量巨頭也曾布局相關(guān)產(chǎn)品，但受限于早期光模塊行業(yè)規(guī)模有限，光采樣示波器細分市場體量偏小，上述企業(yè)逐步裁撤了相關(guān)業(yè)務(wù)線。近年來，隨著高速光模塊市場迎來爆發(fā)式增長，光采樣示波器的市場需求快速拉升。

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中游制造：硅光代工與中試平臺

全球前十大光模塊廠家中，有七家為國內(nèi)企業(yè)，但國內(nèi)長期缺乏成熟的硅光芯片量產(chǎn)制造線，導(dǎo)致多數(shù)企業(yè)依賴國外代工，供應(yīng)鏈安全風險突出。本屆展會清晰展現(xiàn)，國內(nèi)企業(yè)正加速填補這一產(chǎn)業(yè)空白，從規(guī)模化量產(chǎn)線到研發(fā)中試平臺，國產(chǎn)硅光制造能力逐漸實現(xiàn)突破。

蘇州星鑰光子科技有限公司由長光華芯、亨通光電、東輝光學(xué)等行業(yè)龍頭企業(yè)于 2025 年 5 月聯(lián)合發(fā)起設(shè)立，是中國首家專業(yè)硅光集成芯片量產(chǎn)工廠（Foundry）。作為本屆展會參展商之一，星鑰光子將建設(shè)以8英寸90nm制程為基礎(chǔ)的硅光產(chǎn)線和異質(zhì)異構(gòu)集成平臺，為國內(nèi)激光器、硅光芯片、電芯片等企業(yè)搭建協(xié)同創(chuàng)新平臺與產(chǎn)業(yè)鏈，推動上下游協(xié)同發(fā)展，全面服務(wù)光通信、光互聯(lián)、光傳感、光顯示、光計算等前沿領(lǐng)域和市場。一期項目已于2026年3月建成，計劃2027年初投產(chǎn)，2029年達到盈虧平衡，并將在2030年項目達成時，形成60000片/年的產(chǎn)能。項目總投資50億元，一期投資12億元，計劃于2026年底完成通線。

除規(guī)模化量產(chǎn)線外，國內(nèi)光子芯片研發(fā)中試能力也實現(xiàn)了關(guān)鍵落地。上海交通大學(xué)無錫光子芯片研究院（CHIPX）由上海交通大學(xué)、無錫濱湖區(qū)、蠡園經(jīng)濟開發(fā)區(qū)三方共建，是企業(yè)化運營的新型研發(fā)機構(gòu)，已建成國內(nèi)首條光子芯片中試線。研究院聚焦芯、光、智、算領(lǐng)域的成果轉(zhuǎn)化與創(chuàng)業(yè)孵化，構(gòu)建了 “研究院 + 孵化 + 基金” 三位一體的工研院模式，致力于打造全球領(lǐng)先的光子芯片產(chǎn)業(yè)高地。目前，研究院擁有 17000㎡研發(fā)中試面積、110 余臺 CMOS 工藝設(shè)備，組建了 35 人以上的科研專家團隊與 200 人以上的工藝研發(fā)團隊，可提供 110nm 工藝制程及 6/8 英寸全流程流片服務(wù)，同時可開展單步工藝與定制工藝的技術(shù)開發(fā)與驗證工作。

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下游終端：光模塊產(chǎn)品與核心光芯片器件

作為產(chǎn)業(yè)鏈的核心終端環(huán)節(jié)，國產(chǎn)廠商在超高速光模塊、核心光芯片領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)多點突破，多款面向下一代技術(shù)的產(chǎn)品集中亮相，全面展現(xiàn)了國產(chǎn)光通信產(chǎn)業(yè)的終端競爭力。

在光模塊整機領(lǐng)域，華工正源擁有光通信行業(yè)領(lǐng)先的一站式垂直集成解決方案，具備從芯片到器件、模塊、子系統(tǒng)全系列產(chǎn)品的研發(fā)與規(guī)模化量產(chǎn)能力，產(chǎn)品覆蓋超高速光模塊、銅連接模塊、智能車載光、衛(wèi)星通訊光模塊等多個領(lǐng)域，廣泛應(yīng)用于 AI 算力、全球無線通信等核心場景。本屆展會，華工正源集中展示了多款前沿產(chǎn)品與解決方案，包括面向 CPO/OCI-MSA 應(yīng)用的量子點光頻梳外置光源、面向 3.2T CPO 應(yīng)用的密集波分復(fù)用外置激光源 (ELSFP)、6.4T NPO 光模塊、100G 星載光模塊等。

其中，面向 3.2T CPO 應(yīng)用的密集波分復(fù)用外置激光源 (ELSFP) 基于全球領(lǐng)先的硅光 (SiPh) 平臺，集成量子點光頻梳激光芯片，是專為 3.2T CPO 架構(gòu)打造的高性能外置光源 (ELS)。該模塊工作于 O 波段，支持 100GHz 及 200GHz 信道間隔，兼容 OCI-MSA 和 CW-WDM MSA 協(xié)議，可與共封裝光學(xué)及高密度波分系統(tǒng)實現(xiàn)無縫適配；憑借領(lǐng)先的芯片集成工藝與功耗優(yōu)化技術(shù)，在實現(xiàn)多波長并行輸出的同時，將整機功耗降至 5.5W 以下。而 100G 星載光模塊專為星內(nèi)多通道超寬帶數(shù)據(jù)通信打造，支持 100G 以太網(wǎng)傳輸，采用 850nm 波長，可在-40℃~85℃寬溫環(huán)境下穩(wěn)定工作，具備低延時、低功耗、小體積、輕量化、抗干擾能力強、發(fā)射成本低等優(yōu)勢。其6.4 T的NPO模塊，單個port口32通道，單通道200G，總共16個port口。

此外，據(jù)工作人員透露，公司正在開發(fā)CPO產(chǎn)品，產(chǎn)品的光引擎（OE）配合外置激光光源，其前面板類似交換機可直接插拔替換。相較于傳統(tǒng)CPO，外置光源的優(yōu)勢是維護成本低，光源壞了直接拔掉更換即可，避免集成式光源損壞導(dǎo)致整個單板報廢。

OEM/ODM/JDM 一站式服務(wù)商 mentech，在本屆展會上展示了通信領(lǐng)域全場景定制化解決方案，可提供面向國內(nèi)外運營商的 JDM 服務(wù)、面向分銷商的 ODM 服務(wù)，以及面向品牌商的 OEM 服務(wù)。工作人員透露，2026年Q3將推出3.2T的NPO光模塊和800G DR8 LPO光模塊。

在核心光芯片領(lǐng)域，國產(chǎn)廠商也實現(xiàn)了關(guān)鍵技術(shù)突圍。垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）作為半導(dǎo)體激光器的核心品類，激光發(fā)射方向垂直于芯片表面，與傳統(tǒng)邊發(fā)射激光器（EEL）沿芯片邊緣發(fā)射的技術(shù)路徑不同，具備低閾值電流、圓形光斑、光束質(zhì)量好、易于二維陣列集成、調(diào)制速率高、測試成本低等顯著優(yōu)勢，是數(shù)據(jù)中心短距離光互連的核心器件。

國產(chǎn)高速 VCSEL 芯片領(lǐng)跑者華芯半導(dǎo)體，累計交付在網(wǎng)運行芯片超 7000 萬顆，本屆展會帶來了兩款核心產(chǎn)品：

• 一款是850nm 1*4 112G VCSEL芯片，支持 850nm 多模激光輸出，可實現(xiàn) 112Gbit/s PAM4 調(diào)制速率；
• 另一款是850nm 1*4 56G VCSEL芯片，支持 850nm 多模激光輸出，可實現(xiàn) 56Gbit/s PAM4 調(diào)制速率，該產(chǎn)品已累計交付15kk+通道。

海思則在本屆展會上展出了全系列聯(lián)接/計算光芯片產(chǎn)品，包括

• 相干DBR，窄線寬可調(diào)，單芯片C+L，240波可調(diào)，50kHz線寬；
• 高速EML/PD，有400/200/100/50Gbps等規(guī)格，帶寬超 110GHz，RIN 值低于-152dB/Hz；
• CW光源，有400/200/100/80mW等規(guī)格，制冷功率超 400mW，非制冷功率超 200mW，具備高功率，高可靠性的優(yōu)勢。

整體來看，從上游核心材料、高端測試設(shè)備，到中游硅光代工制造平臺，再到下游光模塊整機與核心光芯片，國產(chǎn)光模塊產(chǎn)業(yè)鏈已實現(xiàn)全鏈條多點突破。而硅光集成技術(shù)的加速落地與國產(chǎn)化的持續(xù)深化，也將為我國光通信產(chǎn)業(yè)在全球下一代技術(shù)競爭中，筑牢長期發(fā)展的核心競爭力。