隨著2D NAND謝幕，聯電困境重重

聯華電子（UMC）可能獲得SLC和MLC閃存的代工訂單，但人才、工藝整合與開發能力以及設備這三大關鍵制約因素仍未得到解決。

全球退出2D NAND閃存生產已不再是可能性，而是逐漸成為必然。隨著主要存儲器制造商退出該領域，供應趨緊導致低容量芯片價格飆升。近期市場傳聞表明，聯華電子（UMC）可能獲得SLC和MLC閃存的代工訂單，如果這一消息成真，可能會擾亂日益集中的供應格局。

然而，業內高管告訴 DIGITIMES ，這種轉變面臨著巨大的挑戰。盡管近幾個月來，雙方已就閃存代工合作的潛在機會進行了磋商，但人才、工藝整合與開發能力以及設備這三大關鍵制約因素仍未得到解決。

價格飆升

自2026年初以來，NAND閃存價格一路飆升，漲幅甚至超過了DRAM。傳統MLC和SLC NAND的供應缺口尤為嚴重，導致采用舊工藝節點制造的小容量產品價格飆升至此前水平的近十倍。下游企業報告稱，僅MLC NAND的價格在4月份就上漲了約30%。

在此背景下，有報道稱亞洲客戶已與聯電接洽，尋求閃存代工服務，這加劇了市場猜測。隨著MLC和SLC NAND閃存價格飆升，閃存代工業務至少從賬面上看，似乎比成熟節點的邏輯芯片制造更具盈利潛力。

盡管如此，經濟效益卻并非如此簡單。現有的制造設備無法簡單地重新利用；重新配置生產線或購置新設備可能需要一到兩年的時間。鑒于目前二維NAND閃存供應缺口的規模，這些努力在短期內對緩解短缺收效甚微。

更深層次的挑戰在于結構性問題。潛在的知識產權授權方和NAND閃存制造商并不反對合作，但成功的技術轉讓需要經驗豐富的生產商提供實際操作支持。而這種專業技術如今十分稀缺。曾經專注于調校2D NAND設備的工程師大多已經退休、離開行業或轉行到3D NAND領域。與此同時，存儲器制造商正優先開發先進的3D NAND以滿足人工智能服務器的需求，幾乎沒有剩余產能來支持傳統技術。

聯電自身也面臨著巨大的學習挑戰。盡管多年前就已投資于存儲器相關研發，且目前仍擁有可用的晶圓廠空間，但其核心競爭力已與存儲器制造分道揚鑣。重建工藝優化和良率管理能力需要大量的時間和資金。如果聯電無法獨立協助客戶進行工藝開發和集成，任何代工合作都將收益有限。

設備是另一個瓶頸。國際制造商使用的許多老舊設備在過去的升級改造中已被出售或拆除。即使能夠找到舊設備，備件和維護方面的專業知識也越來越難以獲得。鎧俠指出，2D NAND 等產品的停產并非由于產能轉向人工智能，而是由于維護老舊設備的高昂成本和運營挑戰。

如果聯電要用新設備重建產能，它將面臨截然不同的生產環境，需要進行新一輪的試驗和研發。這給投資回報帶來了很大的不確定性。雖然集成電路設計公司對這類合作表現出濃厚的興趣，但它們對晶圓廠級制造的了解有限，這進一步增加了合作的復雜性。就目前而言，短期內通過技術轉讓實現二維NAND閃存的大規模代工生產似乎不太可能。

UMC的價格調整

聯電拒絕就市場傳聞置評。但該公司已通知客戶和合作伙伴，計劃于2026年下半年上調產品價格。聯電表示，通信、工業、消費電子和人工智能相關應用領域的需求依然強勁，但原材料、能源和物流成本也在不斷上漲。

據供應鏈消息人士透露，此次價格調整將同時適用于8英寸和12英寸晶圓。基于約三個半月的生產周期，預計4月份的訂單將反映新的價格。8英寸晶圓的價格漲幅可能在10%至15%之間，而采用80nm、55nm和40nm等工藝節點的12英寸晶圓的價格漲幅可能在5%至10%之間，具體漲幅取決于客戶的訂單規模。

由于此次漲價在很大程度上抵消了成熟工藝節點此前的價格下降，而且一些芯片制造商已經簽訂了長期協議，因此短期影響預計有限。然而，隨著時間的推移，更高的成本很可能會轉嫁到供應鏈的各個環節。

AI壓縮技術無法緩解內存短缺，NAND閃存短缺問題仍將持續。人工智能驅動的需求正在加劇全球內存供應緊張，導致NAND閃存和服務器DRAM出現短缺、價格上漲和產能受限的情況。預計到2026年，服務器內存需求將增長超過40%，占總存儲使用量的一半以上。

盡管有人擔心谷歌的TurboQuant壓縮技術可能會抑制需求，但業內高管表示，這種影響被夸大了。群聯電子CEO潘錦燮預計NAND閃存短缺的情況將持續，不會緩解。

大普商店CEO楊亞飛表示，人工智能推理工作負載正呈指數級增長。雖然效率提升可能會緩解部分供應鏈的壓力，但部署成本的降低預計將推動更廣泛的應用和更高的總體需求。阿里云Qwen LLM高級產品解決方案架構師李斌表示，壓縮可以減少單個任務的使用量，但無法抵消模型上下文和推理規模的快速擴張，這持續推高整體存儲需求。

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