先進封裝，大戰再起

當摩爾定律逼近物理極限，晶體管尺寸的微縮不再是芯片性能提升的唯一路徑，先進封裝技術正從產業鏈的“配角”一躍成為決定AI算力上限的“主角”。限制AI硬件供應的不只有芯片產能，更有CoWoS產能。據Yole Group數據，2025年全球先進封裝市場規模約531億美元，預計到2030年有望達794億美元，年復合增長率約8.4%。

如今，全球半導體產業迎來了一場前所未有的先進封裝大戰：產能擴張速度創歷史新高，技術路線競爭白熱化，上游材料供應持續緊張，下游AI與汽車電子需求呈指數級增長。這場戰爭不僅關乎芯片廠商的市場份額，更成為大國科技競爭的新焦點。

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全球擴產競賽：產能成為最稀缺的戰略資源

如今，制約頂級AI芯片量產的核心瓶頸已經不再是先進制程的晶圓制造能力，而是先進封裝環節的產能與技術供給。全球頭部廠商紛紛砸下重金，掀起了一場擴產狂潮。

臺積電作為全球先進封裝領域的絕對霸主，其CoWoS產能占據全球85%以上的市場份額，且仍在以前所未有的速度擴產。公司計劃布局7座先進封裝工廠，全面部署CoWoS、WMCM及SoIC三大核心封裝技術。由于高性能計算（HPC）領域的AI芯片需求遠超其他細分市場，臺積電的大部分封裝產能將優先服務于AI算力基礎設施建設。根據產能規劃，到2027年，臺積電先進封裝年產能將從當前的130萬片晶圓提升至200萬片，增幅約53.85%。為快速填補市場缺口，臺積電采取“新建+改造”雙軌策略：一方面加速建設全新封裝設施，另一方面將部分老舊8英寸晶圓廠改造為先進封裝產線。相比新建工廠，改造現有廠房可大幅縮短設備調試周期。同時，臺積電正積極推進美國亞利桑那州的先進封裝布局，兩座封裝工廠計劃于2030年投入量產，屆時將填補美國本土芯片制造在封裝環節的空白。

當日月光宣布其LEAP（先進封裝及測試）業務營收從2025年的16億美元翻倍至2026年的32億美元時，市場意識到，OSAT（委外封測代工）已成為先進封裝產能擴張的“第二波動能”。作為臺積電CoWoS產能外溢的主要承接方，日月光的先進封測訂單已處于爆滿狀態。公司斥資新臺幣178億元（約合人民幣38.3億元）興建楠梓科技第三園區，這是其近五年在中國臺灣地區的最大手筆投資。該園區將建設智能運籌中心與先進制程測試大樓兩棟建筑，地上8層、地下1層，預計2026年動工、2028年第二季完工。此外，日月光還計劃在中國臺灣省高雄仁武基地投入逾新臺幣1083億元，一期工程預計2027年4月投運，二期工程將于同年10月跟進。最近，日月光投控代子公司日月光半導體公告稱，經雙方議價，以總價新臺幣148.5億元（未稅，約合人民幣32億元），向面板大廠群創光電取得位于臺南市新市區新科段的南科Fab 5廠房及相關附屬設施，以快速補齊先進封裝產能缺口。

英特爾位于馬來西亞的先進封裝基地及封裝測試產線將于2026年下半年正式投產。2025年底，英特爾馬來西亞“塘鵝計劃”先進封裝基地已進入建設收尾階段，整體完工率達99%，英特爾還追加2億美元投資用于基地最終落成。該基地將承接芯片晶圓分選、預處理等工序，同時支持EMIB和Foveros兩種先進封裝工藝，可更快響應客戶的產能與技術需求。與此同時，英特爾正聯合長期合作的封測代工廠安靠科技，持續擴大EMIB技術產能，該技術已在安靠科技韓國松島K5工廠落地。

半導體OSAT領軍企業安靠（Amkor）宣布，計劃將2026年資本支出預算提高至25億-30億美元，優先擴大韓國和中國臺灣地區的先進封裝產能。為滿足客戶對美國本土制造及供應鏈多元化的需求，安靠正借助《芯片與科學法案》補貼及客戶資金，將資本支出推至歷史新高。其中，約65%-70%的投資將用于全球生產設施建設，包括預計2027年中期竣工的亞利桑那州新工廠一期工程，以及越南、韓國和中國臺灣地區的生產線擴建；剩余30%-35%將用于購置先進的2.5D和HDFO封裝及測試設備，相關投資額預計同比增長40%。

三星電子計劃在越南北部新建一座總投資額40億美元的芯片封裝工廠，進一步強化其在越南的戰略布局，項目將分階段推進，首期投資20億美元。韓國存儲巨頭SK海力士則宣布，將在韓國忠清北道清州投資約19萬億韓元（約合人民幣900億元）建設新的芯片封裝工廠，重點服務AI相關存儲產品。新工廠將成為清州園區的重要組成部分，主要承擔HBM及其他AI存儲產品的先進封裝任務。項目建成后，SK海力士將形成利川、清州、美國西拉法葉三大先進封裝基地，進一步強化從晶圓制造到封裝測試的垂直整合能力。

中國本土企業：加速追趕高端封裝賽道

國內封測龍頭企業也正搶抓行業機遇，加速向高端先進封裝領域突破。

2026 年 1 月，通富微電發布定增公告，擬募集資金投向存儲芯片、汽車等新興應用、晶圓級、高性能計算及通信四大封測領域，同時安排 12.3 億元用于補充流動資金及償還銀行貸款。具體來看，公司計劃投入 8.88 億元提升存儲芯片封測產能，其中擬使用募集資金 8 億元；投入 11.00 億元布局汽車等新興應用領域封測產能，擬使用募資 10.55 億元，項目建設期 3 年，建成后將新增相關產能 5.04 億塊；投入 7.43 億元建設晶圓級封測產能提升項目，將新增晶圓級封測產能 31.20 萬片，同時提升廠區高可靠性車載品封測產能 15.73 億塊；投入 7.24 億元建設高性能計算及通信領域封測產能提升項目，建成后年新增相關封測產能 4.80 億塊。

盛合晶微已完成科創板過會，募資總額高達50.28億元，創今年以來A股新股募資之最。募資中48億元將用來擴產2.5D/3D封裝產能，資金投向三維多芯片集成封裝項目（40億元）和超高密度互聯三維多芯片集成封裝項目（8億元）。

中芯國際近期全資設立上海芯三維半導體有限公司，注冊資本達4.32億美元，正式發力先進封裝領域。此前，中芯國際曾與封測龍頭長電科技合資成立中芯長電（盛合晶微前身），后續退出相關股份，專注于前段晶圓代工業務。隨著產業趨勢變化，中芯國際于今年1月底聯合上下游企業開展產業鏈協同合作，在上海成立先進封裝研究院。此番布局將補齊中芯國際在后段封裝環節的短板，實現從制造到封裝的垂直整合，進一步提升產品附加值與客戶黏性。

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技術路線之爭：從2.5D到3D，誰將主導未來？

產能軍備競賽的背后，是更為白熱化的技術路線博弈。2025-2026年，先進封裝產業正加速從2.5D向3D演進，混合鍵合、玻璃中介層、面板級封裝等前沿技術，成為各大廠商爭奪的焦點。

CoWoS：當前的絕對主流

當前AI芯片領域已形成HBM+CoWoS的技術綁定關系。英偉達H100/H200/GB200、AMD MI300系列、博通AI ASIC等主流產品均采用臺積電CoWoS封裝。英偉達已預訂臺積電2026年80-85萬片晶圓產能，占據超50%份額。

技術演進上，CoWoS正向CoPoS升級。CoPoS（Chip-on-Panel-on-Substrate）是臺積電（TSMC）推出的新一代先進封裝技術，被定位為CoWoS的繼任者。該技術的核心是“化圓為方”，采用玻璃或藍寶石方形載具作為中介層，以矩形面板基板（如310x310mm、750x620mm）替代傳統的圓形硅中介層，旨在提升封裝面積利用率、生產靈活性與可擴展性，并降低成本。臺積電CoPoS（基于基板的面板級芯片封裝）中試生產線已于2月啟動設備交付，整條產線預計6月全面建成。量產預計于2028年底至2029年上半年實現，量產據點包括嘉義AP7廠與美國亞利桑那州廠，英偉達（NVIDIA）預計將成為首發客戶。

混合鍵合：3D封裝的終極技術

如果說CoWoS是2.5D時代的王者，那么混合鍵合（Hybrid Bonding）則被視為3D封裝的終極技術。它能將芯片間的互連間距縮小到微米級甚至亞微米級，實現銅對銅的直接原子級貼合，從而大幅提升連接密度和帶寬，降低功耗。

在HBM高帶寬內存領域，混合鍵合已從“技術選項”變為“生存必需”。三星、美光、SK海力士三大存儲巨頭明確宣布：HBM5 20Hi（20層堆疊），必須采用混合鍵合技術。東興證券指出，混合鍵合技術正從先進選項轉變為AI時代的核心基礎設施。在存儲領域，HBM5為實現20hi超高堆疊采用此項“無凸塊”技術以突破物理極限。行業已進入高速落地期：臺積電等大廠提前擴產，HBM4/5與高端AI芯片將率先規模應用，相關設備需求預計在2030年前實現數倍增長，標志著該技術已成為驅動下一代算力的確定方向。

玻璃中介層：解決翹曲問題的關鍵

隨著AI芯片尺寸不斷增大，傳統硅中介層的翹曲問題日益嚴重，玻璃基板憑借與硅匹配的熱膨脹系數、極低介電損耗和超高布線密度，被視為解決這一問題的最佳方案。

2026 年 CES 上，英特爾發布了業界首款采用玻璃核心基板大規模量產的 Xeon 6 + 處理器；蘋果公司也正深化自研 AI 硬件布局，啟動先進玻璃基板測試，用于內部代號為 “Baltra” 的 AI 服務器芯片。為強化供應鏈掌控力，蘋果采取 “孤島式” 封閉研發策略，已直接向三星電機評估采購 T-glass 玻璃基板，而三星電機此前已向博通供應玻璃基板樣品，此次與蘋果的合作，標志著其在玻璃基板這一新興業務領域的快速拓展。

目前，玻璃中介層技術正經歷從技術驗證向早期量產的關鍵轉折，臺積電 CoPoS 中試生產線的長遠目標，正是用玻璃基板全面取代硅中介層。但玻璃基板并非完美無缺：它解決了翹曲問題，卻引入了脆性缺陷 —— 邊緣輕微磕碰就會產生微裂紋，這類缺陷在早期難以檢測，往往到最終測試階段才會發現整批產品報廢，造成巨大的經濟損失。

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結語：先進封裝是決定AI時代的勝負手

先進封裝之戰的本質，是算力交付能力的戰爭。當晶體管微縮逼近物理極限，當AI模型參數突破萬億級，芯片性能的提升已越來越依賴垂直集成與異構封裝。2nm制程的晶體管密度固然重要，但若無先進封裝技術的支撐，AI芯片的算力潛力將無法充分釋放。

2026年將成為產業分水嶺，在這場大戰中，產能擴張的速度、技術迭代的精度、供應鏈整合的深度，將共同決定半導體產業下一階段的權力分布。而對于中國大陸廠商而言，臺積電高端封裝產能的持續緊缺，疊加半導體產業鏈國產化的大趨勢，或許是切入全球高端封裝供應鏈的最后戰略機遇。