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三星電子正式對外披露，公司計劃最早于2026年5月生產(chǎn)出首批符合英偉達(dá)標(biāo)準(zhǔn)的HBM4E（高帶寬內(nèi)存4E）樣品，進(jìn)一步鞏固在高端AI內(nèi)存市場的領(lǐng)先優(yōu)勢，應(yīng)對來自美光、SK海力士等競爭對手的挑戰(zhàn)。HBM作為AI芯片的核心配套組件，主要用于高端GPU、AI加速器等產(chǎn)品，隨著人工智能技術(shù)的快速發(fā)展，市場對HBM的需求持續(xù)激增，尤其是HBM4及以上高端產(chǎn)品，成為全球半導(dǎo)體企業(yè)競爭的核心焦點(diǎn)。
AI生成
據(jù)悉，三星此次研發(fā)的HBM4E采用1c nm DRAM Die和4nm Base Die工藝，相比目前主流的HBM4產(chǎn)品，帶寬提升20%以上，功耗降低15%，單顆容量可達(dá)24GB，能夠更好地滿足英偉達(dá)下一代GPU對內(nèi)存帶寬和容量的需求。
目前，三星已完成HBM4E的核心技術(shù)研發(fā)，正在推進(jìn)生產(chǎn)線調(diào)試和樣品測試工作，預(yù)計2026年下半年實現(xiàn)批量生產(chǎn)，2027年占據(jù)全球HBM4E市場份額的50%以上。
與此同時，三星還在同步推進(jìn)HBM5的研發(fā)工作，計劃2028年推出HBM5樣品，進(jìn)一步擴(kuò)大在高端AI內(nèi)存市場的優(yōu)勢。業(yè)內(nèi)數(shù)據(jù)顯示，2025年全球HBM市場規(guī)模達(dá)300億美元，預(yù)計2026年將增長至450億美元，年增長率達(dá)50%，其中HBM4及以上高端產(chǎn)品占比將超過70%。
目前，三星、美光、SK海力士占據(jù)全球HBM市場的99%以上份額，其中三星占比達(dá)52%，處于領(lǐng)先地位。此次加速HBM4E研發(fā)，將進(jìn)一步鞏固三星的市場地位，同時為全球AI產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供核心硬件支撐。
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