IT之家 6 月 24 日消息,科技媒體 Wccftech 昨日(6 月 23 日)發(fā)布博文,報(bào)道稱三星披露下一代 NAND Flash(閃存)路線圖,計(jì)劃 2030 年前后沖擊 900 至 1000 層 SSD。
![]()
6 月 14~18 日在美國夏威夷召開的 2026 年 IEEE / JSAP VLSI 技術(shù)與電路研討會(huì)(VLSI Symposium 2026)上,三星公開了更完整的 NAND Flash(閃存)路線圖。
根據(jù)幻燈片披露的路線規(guī)劃,三星計(jì)劃 2029 年實(shí)現(xiàn) 420 層 NAND 閃存解決方案,到 2030 年推進(jìn)至 560 層以上。隨后在下一個(gè)十年初,繼續(xù)把層數(shù)翻倍,邁向 1000 層以上產(chǎn)品,服務(wù)高容量存儲(chǔ)場景。IT之家附上相關(guān)截圖如下:
![]()
路線還規(guī)劃展示 900 至 1000 層方案,三星計(jì)劃通過 CMB(單元多重鍵合)連接方式,在一顆芯片內(nèi)封裝 2 組 450 層單元,讓 8 TB 的 QLC M.2 SSD 可以提升到最高 32 TB。
![]()
在量產(chǎn)難度方面,三星表示主要障礙包括晶圓翹曲和層間對(duì)準(zhǔn)誤差。三星公司計(jì)劃引入 Upper Chuck Design 方案來控制翹曲,并借助 Overlay Correction(疊對(duì)校正)技術(shù)降低錯(cuò)位風(fēng)險(xiǎn)。
![]()
特別聲明:以上內(nèi)容(如有圖片或視頻亦包括在內(nèi))為自媒體平臺(tái)“網(wǎng)易號(hào)”用戶上傳并發(fā)布,本平臺(tái)僅提供信息存儲(chǔ)服務(wù)。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.