行業(yè)調(diào)研機發(fā)布報告,2026 年全球 AI 服務器出貨量預計達 370 萬臺,同比增長 51.3%,AI 應用占 DRAM 需求超 40%,疊加消費電子、汽車電子需求復蘇,存儲芯片供需缺口持續(xù)擴大,短缺程度創(chuàng)近 15 年新高,漲價周期或?qū)⒊掷m(xù)至 2027 年。目前,DRAM 芯片價格已連續(xù) 8 個月上漲,累計漲幅超 60%;NAND Flash 芯片價格連續(xù) 5 個月上漲,累計漲幅超 30%,美光、三星、SK 海力士三大原廠同步上調(diào)報價,下游廠商面臨成本壓力。
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AI生成
存儲芯片短缺核心驅(qū)動因素為AI 算力需求爆發(fā)。AI 服務器單臺 DRAM 容量是傳統(tǒng)服務器的 8-10 倍,NAND 容量是 3-5 倍,2026 年全球 AI 服務器 DRAM 需求將同比增長 70%,NAND 需求同比增長 50%,遠超產(chǎn)能擴張速度。同時,消費電子市場回暖,智能手機、PC 出貨量回升;汽車電子滲透率提升,單車存儲容量從傳統(tǒng) 50GB 提升至 200GB 以上,多重需求共振加劇供需失衡。
產(chǎn)能擴張受限進一步加劇短缺。存儲芯片產(chǎn)線建設周期長達 18-24 個月,且受設備交期延遲、技術(shù)壁壘、資金投入大等因素影響,三大原廠 2026 年資本開支增速僅 15%,遠低于需求增速。國內(nèi)存儲芯片企業(yè)迎來國產(chǎn)替代機遇,長江存儲、長鑫存儲加速產(chǎn)能擴張與技術(shù)迭代,在中低端存儲芯片領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)批量供貨,逐步縮小與海外差距。分析認為,存儲芯片高景氣周期將持續(xù) 2-3 年,產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)有望持續(xù)受益于量價齊升。
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