2035年，全球功率半導體市場規模將超過7萬億日元

未來十年，下一代功率半導體市場將迎來顯著增長。

2026年4月28日，富士經濟發布了2035年全球功率半導體市場預測報告。

預計到2035年，全球功率半導體市場規模將達到73495億日元。其中，硅（Si）功率半導體市場規模將達到48418億日元，下一代功率半導體市場規模將達到25077億日元。2025年，功率半導體市場規模為37550億日元，其中硅功率半導體市場規模為32182億日元，下一代功率半導體市場規模為5368億日元。這表明，未來十年，下一代功率半導體市場將迎來顯著增長。

據富士經濟預測，2025年硅功率半導體市場將因電子設備制造商的庫存調整以及消費電子產品和信息通信設備需求的增長而增長。另一方面，歐洲、美國和日本的功率半導體制造商則受到電動汽車市場停滯不前的顯著影響。

全球功率半導體市場。來源：富士經濟

預計碳化硅的價格競爭將加劇

在下一代功率半導體領域，碳化硅（SiC）功率模塊的市場規模預計將從2025年的3506億日元增長到2035年的1.8749萬億日元。電動汽車牽引逆變器對SiC功率模塊的需求旺盛，預計其在電動汽車中的應用將持續增長。到2035年，預計約70%的電動汽車將配備基于SiC的牽引逆變器。在鐵路和能源領域，SiC功率模塊在大容量儲能系統（ESS）和太陽能發電系統功率調節器中的應用也將顯著擴大。

另一方面，來自中國制造商的新進入者數量不斷增加，預計將加劇價格競爭。

氮化鎵技術正在汽車和服務器領域迅速發展

預計到2025年，GaN功率半導體市場規模將達到585億日元，到2035年將增長至3169億日元。未來，GaN的應用預計將在車載充電器、激光雷達、服務器機架電源以及人形機器人和無人機等領域得到更廣泛的應用。

功率半導體市場增長預測。來源：富士經濟

氧化鎵市場形成開始

2025 年氧化鎵功率半導體市場規模很小，但預計到 2035 年將增長至 149 億日元。

氧化鎵功率半導體主要分為兩類：一類用于肖特基勢壘二極管（SBD），即高速整流二極管；另一類用于場效應晶體管（FET），即高速開關晶體管。在日本，FLOSFIA公司于2025年12月完成了其4英寸氧化鎵晶圓制造技術的演示。該公司還宣布，使用原型SBD驗證了產品可靠性的提升。

富士經濟預測，用于白色家電和服務器機架電源的600V小梁網二極管（SBD）將于2027年左右開始量產，屆時市場將迎來爆發式增長。盡管由于碳化硅（SiC）功率半導體成本的下降，氧化鎵功率半導體的成本優勢正在減弱，但富士經濟預計，一旦開始量產，鑒于氧化鎵功率半導體具有耐高壓等優勢，其應用將會更加廣泛。

預計到2030年左右，FET將開始大規模生產，主要面向工業和能源領域，這些領域的需求量將大于SBD。FET的應用將首先應用于大型太陽能發電廠的電源調節器和兆瓦級充電器，未來有望擴展到汽車和電子領域。

全球功率半導體制造設備/元件市場

受功率半導體市場整體低迷的影響，晶圓、光刻膠、焊料、封裝材料和鍵合材料等功率半導體元件市場增速放緩。硅晶圓需求同比略有增長，中國市場對前端材料的需求依然強勁，但歐美市場需求有所下降。后端材料需求疲軟，尤其是在汽車和電子應用領域。預計從2026年起，在功率半導體需求復蘇的推動下，市場將開始擴張。市場規模預計到2025年將達到5967億日元，2029年將達到1萬億日元，2035年將達到1.806萬億日元。

全球功率半導體制造設備市場預計將從2025年的6735億日元增長至2035年的1.3627萬億日元，翻一番。2025年，由于電動汽車市場低迷導致汽車相關資本投資減少，以及對2024年之前過度投資的反彈，該市場出現顯著萎縮。預計從2026年開始，此前被推遲的資本投資將恢復，從而帶動市場復蘇，尤其是在前端工藝設備方面。預計到2035年，8英寸碳化硅功率半導體生產線設備的投資增加，以及汽車/電子行業檢測測試設備和芯片外觀檢測設備的廣泛應用，將推動市場擴張。

功率半導體元件/制造設備市場增長預測。來源：富士經濟

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