存儲芯片成為印鈔機

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去年年底，全球對人工智能的投資已經推動存儲芯片行業進入“超級繁榮周期”。利潤屢創新高。預計2026年第一季度的價格將比上一季度再上漲50%。

但事情并沒有那樣發展。情況變得更好了——好得多。

周四，三星公布的第一季度凈利潤超過300億美元。這不僅打破了該公司此前的季度紀錄，而且幾乎超過了這家韓國公司全年利潤的最高紀錄。

三星第一季度約 94% 的營業利潤來自其半導體業務。

三星的主要內存競爭對手——韓國的SK海力士和美國的Micron Technology也取得了類似的驚人成績。它們主導著內存市場，而內存則與英偉達的處理器芯片一起用于人工智能計算。

盡管人們越來越擔心人工智能服務最終能否帶來巨額利潤，但參與相關基礎設施建設的公司卻正獲得一筆巨額收益。

這波歷史性的上漲行情似乎短期內不會結束。三星負責內存業務的執行副總裁金在俊表示，根據三星的預訂訂單情況，預計明年供應短缺的情況會更加嚴重。他在周四的財報電話會議上說：“現有供應遠遠無法滿足客戶需求。”

今年以來，三星股價已上漲72%，SK海力士股價上漲90%，美光股價上漲65%。

據科技市場研究公司Trendforce的數據顯示，2026年第一季度內存價格環比上漲近100%，約為最初預期漲幅的兩倍。

近年來，內存制造商優先生產人工智能所需的專用內存——高帶寬內存（HBM），這反過來又限制了智能手機、個人電腦和通用服務器等常用傳統內存芯片的供應。訓練大型語言模型通常需要將英偉達的圖形處理器與HBM結合使用。

最近，對推理（一種使訓練好的人工智能模型能夠響應用戶查詢的計算類型）的需求有所增長。這刺激了對使用傳統內存的通用服務器的需求，并將三星、SK海力士和美光的盈利推向了新的高度。

據FactSet估計，這三家公司2026年的凈利潤預計將達到約3500億美元。預計每家公司都將躋身全球十大最賺錢上市公司之列——三星將超越Alphabet、微軟和蘋果，躍居第二位。一年前，沒有一家內存制造商進入前十。

一座芯片制造廠（或稱晶圓廠）的造價可能高達 200 億美元，建設周期長達數年。三星、SK 海力士和美光正在建設新的工廠，但行業分析師表示，產能可能要到 2027 年底或 2028 年才能達到滿負荷運轉。許多生產線都用于生產 HBM，與傳統內存相比，HBM 需要占用更多產能。

內存主要分為兩大類：DRAM，用于服務器、PC 和其他電子設備中的臨時存儲，以加快數據處理速度；以及 NAND 閃存，用于長期數據存儲，例如在手機上存儲照片。

HBM 是通過將 DRAM 芯片堆疊而成，然后與英偉達等公司生產的處理器一起封裝，以加速人工智能計算。英偉達與三星、SK 海力士和美光密切合作。

Counterpoint 的半導體研究分析師 MS Hwang 表示，這兩種類型的營業利潤率都比往常水平翻了一番，DRAM 的營業利潤率達到 80% 左右，NAND 閃存的營業利潤率達到 60% 左右。

黃補充道，服務器、PC 和智能手機行業的許多大公司都在支付溢價，以大量采購內存，從而限制競爭對手的供應。“這體現了一種理念：誰能主導內存供應，誰就能主導人工智能，”他說道。

“我們今天看到的是市場有史以來最嚴重的內存短缺，”全球電子元件分銷商 FusionWorldwide 的執行副總裁 Marcus Chen 表示。Chen 支持的大多數客戶只能獲得所需內存芯片的 30% 到 50%。“有些甚至更少，”他說道。

客戶和內存芯片制造商長期以來依賴口頭協議來確保長期供應，但現在在某些情況下，他們開始簽訂具有約束力的合同。花旗集團半導體分析師 Peter Lee 表示，一些合同的期限長達五年，要求客戶預付約 30% 的成本，或分擔新建內存芯片工廠的投資成本。

“我們看到客戶正在采取這樣的措施，”Lee 說道。

存儲會缺到2027年

如上所述，在三星于2026年4月30日發布的完整財報中，該公司內存業務負責人金在俊警告稱，內存產品“嚴重短缺”的情況預計至少會持續到2027年。據報道，三星表示 ，由于客戶爭相確保未來的供應，需求滿足率已降至歷史新低。這一警告與“競爭對手”SK海力士在一周前財報電話會議上的表態非常相似。

三星和SK海力士與美國美光科技一起，控制著全球超過90%的DRAM市場份額。當全球三大內存供應商中的兩家同時發出未來幾年內存短缺的警告時，人們感到擔憂也并非毫無道理。

造成內存短缺的主要原因是人工智能基礎設施的需求。現代人工智能系統需要海量的高速內存來持續不斷地向GPU和加速器提供數據。而造成這一需求激增的核心是HBM（高帶寬內存），這是一種垂直堆疊的DRAM，旨在提供極高的帶寬，同時保持與處理器物理距離很近。

HBM已成為人工智能加速器的關鍵組成部分。然而，這項技術的制造難度高、成本昂貴，需要先進的芯片堆疊、精密鍵合和復雜的封裝技術。因此，供應有限，而需求卻超過了制造商的產能。

雖然HBM內存短缺主要是由其需求驅動的，但其影響正開始蔓延至更廣泛的內存市場。由于HBM本身就是一種DRAM，制造商正越來越多地將產能、工程資源和投資重新分配到利潤豐厚的AI內存產品上。這種轉變可能會導致用于服務器、PC和移動設備的傳統DRAM產品的供應趨緊。此外，隨著AI數據中心需要海量存儲基礎設施以及計算硬件，企業級SSD的需求也在不斷增長。

具有諷刺意味的是，由于現有內存架構功耗巨大，業界同時也在尋求替代方案。我們近期報道了正在研發的下一代內存技術，例如3D X-DRAM和ZAM（Z-Angle Memory），這些技術旨在降低功耗并突破擴展性限制。

盡管對未來替代方案進行了大量投資，但對現有存儲技術的需求仍然十分旺盛。

據報道，三星表示，部分客戶已經確保了到 2027 年的供貨配額。今年早些時候，SK 集團董事長崔泰元曾表示，人工智能相關的內存需求壓力可能會持續到 2030 年。

短缺對這些公司本身來說未必是壞消息。

三星半導體部門2026年第一季度營業利潤達53.7萬億韓元（約合361億美元），約占公司當季總利潤的94%，主要得益于人工智能內存需求的飆升推動了創紀錄的銷售額。與此同時，SK海力士也公布了創紀錄的季度營收，達52.6萬億韓元（約合355億美元），營業利潤達37.6萬億韓元（約合278億美元），這主要得益于人工智能基礎設施用HBM（人腦內存）的銷售火爆。

部分問題具有周期性。內存行業歷來在供過于求和供不應求之間搖擺不定。然而，分析師們越來越認為，此次周期有所不同，因為人工智能基礎設施的增長正以前所未有的速度消耗硬件。

為應對危機，各公司正積極擴大產能，并加大對先進封裝和存儲器制造的投資。據《韓國時報》報道，近期提交的監管文件顯示，三星電子計劃在2025年向其位于西安的存儲芯片工廠投資4654億韓元，同比增長67.5%。SK海力士也大幅增加了支出，分別向其位于無錫的工廠投資5811億韓元，向其位于大連的工廠投資4406億韓元。

然而，半導體制造廠和先進存儲器封裝設施需要數年時間才能擴建和提高產能，這意味著供應增長無法跟上人工智能驅動的需求增長速度。

內存短缺問題正成為人工智能爆炸式發展帶來的眾多資源短缺問題之一。

GPU短缺問題在部分行業已經十分嚴重。本月初，我們報道了英特爾證實，市場需求異常旺盛，甚至出現了客戶購買以往可能被丟棄或視為低價值產品的芯片的情況。

電力正成為另一個主要瓶頸。人工智能數據中心消耗大量電力，迫使科技公司尋求越來越非常規的能源解決方案。本月初，Meta Platforms支持了一項計劃，該計劃涉及太空太陽能發電系統，理論上可以將太陽能傳輸回地球，以幫助滿足未來人工智能基礎設施的需求。

內存價格不會下降了？

隨著內存持續成為人工智能硬件討論的焦點，韓國投資證券（KIS）的一份研究報告指出，內存價格可能不會下降。由于內存與人工智能GPU的性能直接相關，超大規模數據中心運營商已下了長期訂單。KIS認為，即使這段時間過去，內存短缺對內存價格的影響也可能持續存在，因為內存芯片能夠驅動人工智能GPU的關鍵性能指標。

該研究報告解釋說，由于擴展內存容量可以提高GPU的利用率，從而提高GPU的成本效益，因為可以處理更多tokens。因此，人工智能公司訂購了更多內存芯片，以提高效率并降低每個tokens的處理成本。由于更多內存允許更多tokens靠近GPU，GPU處理更多tokens的能力也隨之提高，因為無需從存儲設備“傳輸”tokens。

據KIS稱，效率的提高不僅促使超大規模數據中心運營商下達長期產能訂單，而且這種趨勢未來可能還會繼續。

研究公司KIS解釋說，因此，盡管市場預期DRAM內存價格或需求會下降，但目前DRAM內存價格每年上漲三倍，價格可能仍將居高不下。KIS補充道，市場的觀點可能存在缺陷，因為盡管價格更高，但GPU利用率提高帶來的收益也更高，因為更大的內存容量可以提升系統級性能，而不僅僅是單個芯片的性能。

該公司補充道，對HBM和DRAM內存模塊的高需求以及由此導致的產能緊張也推高了對NAND芯片的需求。這一需求與人們普遍認為的NAND芯片需求增長可能會緩解DRAM市場壓力的觀點相悖，因為各公司正致力于將NAND集成到人工智能系統中。支撐NAND需求持續高漲的另一個因素是其價格低于DRAM，這使得即使在需求極高的情況下，NAND芯片也能擁有更大的供應彈性。

HBM 容量緊張和 AI 超大規模數據中心的需求也在推動該領域的創新，像 SK 海力士這樣的公司正在尋求通過混合鍵合等技術來增加單個芯片中的內存芯片數量，從而從封裝中去除銅凸點。

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