DRAM價格飆升，HBM陷入困境

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今年第二季度，通用DRAM價格的上漲趨勢比預期更為強勁。與市場研究機構預測的需求在第一季度激增后將逐漸放緩相反，全球對三星電子和SK海力士的DRAM供應需求反而有所增加。然而，據業內人士透露，由于DRAM產能已分配給高帶寬內存（HBM），擴大通用DRAM產能仍然面臨挑戰，導致難以滿足市場需求。

據業內人士29日透露，市場研究公司TrendForce最初預測今年第一季度通用DRAM價格將上漲55%至60%，但隨后將預測值上調至90%至95%，較最初預測值提高了35個百分點。加上第二季度預計還將上漲58%至63%，市場趨勢由第一季度價格暴漲后的企穩期轉變為第二季度價格的進一步上漲。

主要原因是三星電子和SK海力士難以滿足通用DRAM的需求，因為HBM專用DRAM的產量固定不變。這兩家公司占據全球DRAM市場70%以上的份額，隨著它們減少通用DRAM的產量，較為簡單的DRAM產品的利潤率已經超過了高價值HBM產品的4-5倍。據報道，三星電子半導體事業部第一季度的“意外業績”更多地是由DRAM而非HBM推動的。

HBM對DRAM整體產能的影響日益加劇。一位熟悉三星電子的消息人士解釋說：“向HBM的轉型對供應的沖擊比傳統的產品組合變化更大。隨著HBM技術的進步，它消耗更多的DRAM，并延長制程周期，使得像通用DRAM那樣靈活的應對措施難以實施。”美光此前曾表示，HBM的生產所需產能約為DDR5的三倍。

TrendForce 分析指出，盡管 PC DRAM 需求預測有所下調，但供應商減少了對 PC 制造商和內存模塊公司的出貨量，導致部分廠商因配額不足而不得不以更高的價格采購產品。預計第二季度消費級 DRAM 價格也將上漲 45% 至 50%。僅 3 月份，DDR4 4Gb 的平均價格就上漲了 20% 以上，而 DDR3 和 DDR2 的價格在同月也上漲了 20% 至 40%。

即使通用DRAM價格大幅上漲，削減HBM產量仍然面臨挑戰。三星電子和SK海力士正在爭奪HBM4（第六代HBM）市場的領導地位，并與英偉達、博通和OpenAI等主要客戶簽署了長期合同。由于HBM比通用DRAM能帶來更穩定的長期利潤，這些公司別無選擇，只能在短期內減少收入損失的情況下，加大對HBM的投入。

業內人士認為，這些供應瓶頸可能會持續到今年下半年。雖然DRAM制造商需要重新配置生產線以提高通用DRAM的出貨量，但HBM需要客戶認證以及復雜的封裝/后處理工藝，這使得短期調整難以實現。一位半導體行業人士表示：“現在的問題不僅是價格高昂，還有供貨量不足。對于客戶而言，無法獲得所需的數量可能會擾亂產品發布計劃，從而使定價權大幅向供應商傾斜。”

與此同時，DRAM價格飆升加劇了PC、智能手機和服務器制造商的成本負擔。內存成本占比更高的入門級智能手機和低端PC面臨著更大的價格壓力。服務器廠商也在競相爭奪用于AI服務器的HBM內存和高容量DDR5內存模塊，這進一步加劇了內存行業的供需失衡。

（來源：編譯自chosun）

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