即刻生效！三星、金士頓宣布SSD漲價，漲幅至少10%

SSD的第二波漲價潮，已然來襲。

三星電子與金士頓已于本周雙雙向渠道商下發官方調價通知，旗下SSD全系列產品漲幅均不低于10%，即刻生效。

這是4月內存儲大廠發起的第二波集中漲價。本月初，三星與西部數據已悄然將部分高端M.2 SSD價格上調近兩倍，部分市場8TB旗艦盤標價一度突破4000美元。

如今新舊兩輪漲價疊加，零售端價格徹底被推至歷史最高位。落到具體型號上，三星990 PRO 1TB目前海外售價約300-330美元，此輪上調10%后將沖擊330-360美元。去年同款產品售價還不到100美元，如今已暴漲3至4倍。國內方面，常規國產PCIe 4.0 1TB固態硬盤價格已攀升至約900元，2TB型號約1500元。

由于三星與金士頓在行業內的主導地位，其價格信號往往對整個市場形成示范效應，預計其他廠商的跟漲動作在未來數周內將逐步落地。

推動此輪漲價的核心驅動力仍然是上游NAND閃存顆粒成本持續升溫。

據TrendForce最新預估，2026年第二季度NAND Flash合約價將環比再增70%至75%，DRAM合約價也將季增58%至63%。TrendForce還指出，市場買家普遍預期客戶端SSD價格仍有進一步上漲空間，即便目前PC端需求尚未出現明顯復蘇。此外，買家擔憂服務器端需求可能吸收現有產能，由此推動市場積極回補庫存，進一步加劇供需緊張態勢。

NAND Flash價格暴漲的核心邏輯，在于供給端的主動收縮與需求端的超預期爆發形成的“強剪刀差”。供給端來看，經歷2022-2024年連續三年的產能過剩后，全球存儲芯片龍頭企業（如三星、SK海力士、鎧俠）從2025年初開始集體調整產能策略：一方面大幅削減128層以下舊世代NAND Flash產線的資本開支，另一方面將更多產能轉向176層、232層等新一代3D NAND技術。據TrendForce統計，2025年全球NAND Flash總產能同比下滑15%，其中傳統消費級存儲芯片產能收縮幅度達25%。更關鍵的是，頭部廠商通過“控量保價”策略主動減少現貨市場投放，將更多晶圓優先供應給長期合約客戶，直接導致市場流通貨源銳減。

需求端的“井噴”則遠超市場預期。AI革命的深化成為核心驅動力：AI服務器對高速大容量存儲的需求較傳統服務器增長5-8倍——單臺8卡AI服務器需配置2Tb以上的企業級SSD，而全球AI服務器出貨量2025年預計同比增長120%；智算中心的算力集群建設中，存儲容量需求隨算力規模呈指數級增長，僅國內頭部云廠商2025年新增存儲采購量就達10EB（1000萬Tb）；消費電子領域，手機廠商為應對AI大模型本地化需求，將旗艦機型存儲配置從128Gb普遍提升至512Gb甚至1Tb，帶動手機用NAND Flash單機用量增長3倍。

隨著 AI 產業推動存儲需求快速上升，三星與SK海力士已經開始敲定具體的NAND Flash擴產方案。業內消息稱，三星與SK 海力士都計劃在今年第 2 季度推進最尖端 NAND 的“轉換投資”。

三星在2024年9月就已啟動280 層 V9 NAND 量產，但目前產能仍然很小，月產大約只有 15000 片晶圓左右。當時，三星考慮到市場需求不足，只在平澤園區部署了初期量產線。

三星接下來準備從今年第2季度開始擴大V9產能，重點放在中國西安的 X2 產線。目前西安 X2 仍主要生產6至7代舊款 NAND，而鄰近的X1產線向第8代 NAND 的轉換基本已經完成。業內正在討論的轉換投資規模約為月產4-5萬片晶圓。按照設備導入節奏，V9 NAND 預計從明年起正式進入量產加速階段。

半導體業內人士表示，三星原本打算在第1季度啟動西安 X2 的 V9 轉換，但日程推遲到第2季度。同時，平澤第1園區（P1）也在準備相關投資，因此明年V9產品的生產占比可能會明顯提高。

SK 海力士方面同樣在推進先進NAND擴產。SK 海力士計劃在今年第2季度啟動 321 層第 9 代 NAND 的轉換投資，目標是在清州 M15 確保月產約3萬片晶圓的V9產能。與目前約 2 萬片晶圓的水平相比，這次擴產力度相當大。

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