北京
【環球網科技綜合報道】4月9日消息，近日，我國在第三代半導體與微顯示技術融合創新領域取得重大進展，成功突破異質異構三維集成關鍵技術瓶頸。蘇州漢驊半導體有限公司自主研發的8寸硅基氮化鎵LED外延與無損去硅核心工藝，建成與主流CMOS工藝高度兼容的Micro-LED標準工藝量產平臺。
氮化鎵作為第三代半導體核心材料，是Micro-LED微顯示技術的關鍵基石。長期以來，氮化鎵發光單元與硅基CMOS驅動電路的高效集成難題，制約著AR/VR/MR等近眼顯示產品的規模化商用。此次技術突破，有效打通不同材料體系間的三維異構集成通道，標志著我國Micro-LED產業化進程邁出關鍵一步。
該平臺以“超越摩爾GaN Plus”為技術核心，實現氮化鎵外延、無損去硅、薄膜集成、CMOS工藝適配、微顯示器件制造全流程貫通，形成以三維集成為核心的平臺化工藝能力。工藝參數全面對標8寸CMOS產線標準，通過自主研發的晶圓級無損去硅技術，完成8寸硅片上氮化鎵薄膜的完整剝離與精準轉移，實現發光陣列與驅動芯片的晶圓級鍵合協同制造。
目前，平臺具備紅、藍、綠多波長發光結構制備能力，可支撐超高像素密度微顯示器件研發生產，滿足近眼顯示、光互聯、數字車燈、AI電源管理等前沿應用需求。（純鈞）
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