存儲(chǔ)價(jià)格遲遲無法回落

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外媒報(bào)導(dǎo)，全球存儲(chǔ)市場供應(yīng)持續(xù)吃緊，價(jià)格遲未回落，科技巨頭接連示警成本壓力升溫。蘋果CEO庫克在最新財(cái)報(bào)電話會(huì)議中指出，存儲(chǔ)成本將對公司營運(yùn)產(chǎn)生越來越大的影響，并坦言供應(yīng)仍存在明顯限制，后續(xù)將持續(xù)評(píng)估相關(guān)沖擊。

不僅蘋果，Meta與微軟亦在財(cái)報(bào)中提到，存儲(chǔ)價(jià)格上漲已推升資本支出，反映AI 基礎(chǔ)建設(shè)擴(kuò)張帶來的成本壓力。

供給端方面，美光、三星電子與SK 海力士正加快擴(kuò)產(chǎn)腳步，但市場需求成長更為迅猛，特別是AI 資料中心對高效能存儲(chǔ)的消耗快速攀升，導(dǎo)致供需缺口短期內(nèi)難以填補(bǔ)。

高盛分析師Kenta Kinuhata 最新報(bào)告指出，存儲(chǔ)價(jià)格上漲趨勢進(jìn)一步擴(kuò)大。預(yù)估2026 年DRAM 價(jià)格漲幅將達(dá)250% 至280%，較先前約150% 的預(yù)測大幅上修，且供應(yīng)緊張可能延續(xù)至2027 年初。 NAND 方面，2026 年價(jià)格漲幅預(yù)估也由約100% 上修至200% 至250%，顯示整體市場供應(yīng)壓力持續(xù)升溫。

實(shí)際市場價(jià)格亦反映漲勢。追蹤數(shù)據(jù)顯示，高階DDR5 存儲(chǔ)模組價(jià)格已由2025 年9 月初約149 美元，大幅攀升至2026 年4 月底約869 美元，漲幅超過4 倍。

市場關(guān)注焦點(diǎn)轉(zhuǎn)向供給何時(shí)能有效釋放？分析普遍認(rèn)為，在AI 需求持續(xù)擴(kuò)張下，即使廠商加速擴(kuò)產(chǎn)，短期內(nèi)仍難以完全緩解供應(yīng)瓶頸，存儲(chǔ)價(jià)格高檔盤旋的情況可能延續(xù)。

https://news.cnyes.com/news/id/6439975

（來源：鉅亨網(wǎng)）

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