臺積電先進封裝功臣：余振華傳入職聯(lián)發(fā)科

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據(jù)臺媒報道，前臺積電封裝副總裁Douglas Yu（余振華）已加入聯(lián)發(fā)科，據(jù)聯(lián)發(fā)科內(nèi)部人士透露，他們預(yù)計他的到來將使首次采用EMIB-T技術(shù)相關(guān)的技術(shù)和量產(chǎn)風(fēng)險比之前擔(dān)心的要容易管理得多。

報道此消息的媒體援引一位業(yè)內(nèi)人士的話稱：“臺積電以為客戶不會離開，但他們還是離開了?！痹撁襟w還評論稱，雖然臺積電現(xiàn)在正匆忙填補CoWoS與SoW之間的封裝缺口，但根據(jù)當(dāng)前時間表，臺積電似乎很難重新拿下TPU v9的封裝訂單。

臺積電研發(fā)的最終騎士

臺積電研究發(fā)展副總經(jīng)理暨卓越科技院士余振華，于2025年7月8日正式退休。

而臺積「研發(fā)六騎士」的美談并未熄滅，這位真正尚在近期，仍于臺積電任職的「最終騎士」余振華，也被半導(dǎo)體業(yè)界高度評價，十足地推動臺積電站上晶圓代工產(chǎn)業(yè)頂峰。

業(yè)界人稱道格（英文名）的余振華，自1994年加入臺積電，從銅制程的重大突破，到領(lǐng)軍開發(fā)CoWoS、InFO等劃時代先進封裝技術(shù)，為臺灣半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)下無數(shù)里程碑，對臺積電登上全球晶圓代工龍頭地位貢獻深遠。

1955年出生于基隆的余振華，1977年自清大物理系畢業(yè)，1979年取得材料工程碩士學(xué)位，并于1987年獲美國喬治亞理工學(xué)院材料工程博士學(xué)位，畢業(yè)后進入當(dāng)時全球最先進的美國AT&T貝爾實驗室，參與單芯片電漿輔助薄膜蒸鍍與低功率元件等制程技術(shù)的研發(fā)，開啟其半導(dǎo)體研究生涯。

余振華1994年返臺，加入臺積研發(fā)部門，負(fù)責(zé)關(guān)鍵制程模組開發(fā)。并在1997年著手推動銅導(dǎo)線制程，領(lǐng)軍建立全臺首座銅制程實驗室，自主研發(fā)出0.18微米先進銅制程，成功實現(xiàn)150納米到130納米制程世代轉(zhuǎn)換，更確立了銅導(dǎo)線取代鋁的業(yè)界趨勢。

余振華多年來聚焦IC后段制程技術(shù)與材料創(chuàng)新，累積取得超過190項美國與173項臺灣專利，涵蓋低介電材料、封裝整合技術(shù)與先進制程等多個關(guān)鍵領(lǐng)域。

除了技術(shù)貢獻，余振華也是推動臺灣產(chǎn)業(yè)鏈整合的關(guān)鍵人物，其力拱的3D芯片整合與硅穿孔（TSV）技術(shù)，帶動上下游廠商投入3D芯片設(shè)備研發(fā)，進一步強化臺灣先進封裝產(chǎn)業(yè)聚落。

余振華歷任臺積電先進晶圓制程資深處長、先進封裝技術(shù)處副總經(jīng)理，也是臺積電唯一的「卓越科技院士」，長期致力于半導(dǎo)體封裝與異質(zhì)整合系統(tǒng)的研發(fā)，橫跨從晶圓制程、材料科學(xué)到封裝設(shè)計等多領(lǐng)域，其于產(chǎn)學(xué)界享有崇高聲望。

他曾任IEEE IITC聯(lián)合主席，并為國際構(gòu)裝暨電路板研討會（IMPACT）指導(dǎo)委員，也是美國國家工程學(xué)院（NAE）院士，曾獲頒張忠謀博士創(chuàng)新獎。

（來源：半導(dǎo)體行業(yè)觀察綜合）

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