剛剛，臺積電官宣1.2nm工藝！全球半導體工藝重大突破

4月22日，臺積電在2026北美技術論壇上，正式公布直至2029年的通用制程技術路線圖，其中最核心的是A12（1.2nm級）與A13（1.3nm級）兩大全新工藝節點的官宣，以及截至2029年暫無計劃采用高NAEUV光刻的重大決策。

臺積電業務開發暨全球銷售資深副總裁張曉強（KevinZhang）在會上直言：“我們的研發團隊找到了不依賴天價新設備就能實現工藝微縮的方法，這絕對是我們的一大優勢。”

這次技術發布最顛覆行業認知的，是臺積電徹底告別“一刀切”的工藝開發模式，轉向分岔式戰略。根據終端市場需求差異，臺積電明確了雙軌并行的發布節奏，即每年為消費級終端推出一款新工藝，每兩年為重型AI與HPC應用推出一款新工藝。

面向消費終端市場，臺積電推出了兩大過渡方案。

①A13作為A14的光學微縮版，計劃2029年量產，通過線性尺寸縮小約3%實現晶體管密度提升6%，同時與A14保持完全兼容的設計規則與電氣特性，客戶幾乎無需重新設計即可復用現有IP。

②而N2U作為N2平臺的第三年延伸版本，通過DTCO技術實現同功耗下性能提升3%-4%、同頻率下功耗降低8%-10%，且保持與N2PIP兼容，為消費電子廠商提供低成本升級路徑，預計2028年投產。

針對AI與HPC的極致性能需求，臺積電祭出A16與A12兩大旗艦工藝。

①A16作為帶超級電源軌（SPR）背面供電架構的N2P，基于第一代GAA納米片晶體管，相比N2系列提供顯著的功耗、性能與密度優勢，盡管量產時間從2026年推遲至2027年。張曉強解釋：“A16將在2026年準備就緒，但大規模量產取決于客戶需求，預計2027年上量。”

②而計劃2029年問世的A12，作為A16的繼任者，將采用第二代GAA納米片晶體管與NanoFlexPro技術，同步微縮正面與背面結構，實現全節點級代差優勢。

這次臺積電明確拒絕高NAEUV光刻，要知道，這種新一代設備每臺售價高達4億美元，約為現有EUV機型的兩倍，且需要全新的光刻膠與工藝適配。

張曉強在會上毫不掩飾對成本的顧慮：“或許未來某一天我們不得不使用它，但就目前而言，我們仍能從現有EUV中挖掘收益，不必轉向高NAEUV——畢竟它極其昂貴。”這一決策與英特爾形成鮮明對比，后者計劃在14A及后續節點（2027-2028年）開始使用高NAEUV。

臺積電的技術路線圖調整，本質上是對芯片行業發展規律的深刻洞察，通過A12/A13/N2U等差異化節點，臺積電既滿足了消費電子對成本與兼容性的需求，又通過A16等高性能工藝抓住AI時代的增長機遇，同時繞開天價設備投資，為行業提供了可持續發展的新范式。