光刻機巨頭CEO：中國光刻機存10年代差，精算或錯覺

在全球半導體版圖的權力游戲中，沒有任何一家企業比荷蘭阿斯麥（ASML）更能牽動技術霸權的神經。

而就在近日，這家光刻機巨頭的掌舵人拋出了一番令業界嘩然的言論，阿斯麥對華出口的設備比其最新的高數值孔徑光刻技術整整落后了八代，技術水平大致相當于2013年至2014年銷往西方客戶的產品，技術代差已超過十年。

這一表態并非空穴來風，阿斯麥首席執行官克里斯托夫·富凱在接受采訪時毫不掩飾地提出，西方應當通過拒絕向中國提供“最新和最好的產品”，以維持中方對西方技術的依賴，同時拖慢中國自主技術進步的腳步。

他將這種策略描述為一種“微妙的平衡”，既不能徹底切斷技術聯系，又要確保技術代差始終保持在可控范圍之內?！爸袊^不會接受在技術方面被‘卡脖子’的處境，”富凱坦言，“如果你是一個擁有14億人口的大國，就必然要謀求技術進步，這是不爭的事實。”

這番言論的犀利之處在于，它揭開了技術封鎖的真實底色，并非要“殺死”對手，而是要讓它永遠處于追趕狀態。

富凱甚至拋出了一個令人深思的問題，那就是“要把這種技術差距拉大到何種程度？是讓中國落后5年、10年，還是15年？”

換句話說，阿斯麥出口給中國的每一臺光刻機，都是被精確校準過的“降級武器”，既足以維系中國市場的依賴性，又確保不會真正賦能競爭對手。

阿斯麥的底氣從何而來？答案在于極紫外（EUV）光刻技術，在先進芯片制造領域，EUV光刻機是最核心的設備，而阿斯麥是目前全球唯一能夠生產EUV光刻機的企業。

每一臺EUV設備重達180噸，造價高達數億美元，涉及極紫外光源、精密光學系統、超潔凈環境及復雜供應鏈整合，是數十年積累的成果，非短期資金投入可復制。

憑借這一壟斷地位，阿斯麥在過去十年間售出約140臺EUV設備，客戶僅限于臺積電、三星、英特爾等極少數巨頭，中國則被徹底排除在外。

更嚴峻的現實是，限制范圍正在持續擴大，受美國壓力影響，荷蘭政府自2023年起已禁止阿斯麥向中國出口部分先進深紫外光刻設備。

近期美國眾議院更進一步提出《硬件技術多邊協調管制法案》，擬將所有型號的阿斯麥深紫外光刻機納入對華出口管制范圍，并禁止相關工程師在中國部分設施提供設備維護與維修服務，一旦該法案落地，阿斯麥進入中國市場的空間將被顯著壓縮。

技術封鎖的邏輯從來不是單向度的，富凱本人也表達了對“過度封鎖”后果的擔憂，如果西方將中國逼至絕境，迫使中方別無選擇、只能徹底擺脫對西方技術的依賴，反而會倒逼中國決心自主研發替代產品。

事實確實如此，2025年5月，上海微電子官宣實現90納米ArF光刻機量產，同年三季度，其28納米浸沒式光刻機進入交付階段，預計年內交付超過10臺。

去年12月，上海微電子中標科技部所屬實驗室采購項目，成交金額1.1億元，標志著國產高端半導體裝備在實際應用中邁出實質性一步。

上海芯上微裝科技股份有限公司自主研發的首臺350納米步進光刻機已于2025年11月完成出廠調試并發往客戶現場，專攻功率器件、射頻芯片及光電子領域。

更具象征意義的是EUV領域的破冰，據路透社調查，中國工程師已在深圳啟動一臺極紫外光刻原型機，該原型機采用與阿斯麥不同的技術路徑，在固態激光設計上報告的能量轉換效率已達3.42%，接近實用門檻。

盡管該機器尚未制造出可供上市的芯片，但它的存在本身已經加速了中國邁向半導體自主的步伐。

中國半導體產業的整體態勢也在悄然改變，從2020年約15%的全球產能占比提升至接近28%，預計2030年將進一步擴大至全球近三分之一。

同時哈爾濱工業大學成功研制13.5納米波長EUV光源，中科院上海光機所實現全固態深紫外光源突破，浙江大學團隊也于2026年4月發布了加工精度可達亞30納米的萬通道3D納米激光直寫光刻機，在技術封鎖的重壓之下，中國光刻技術的攻堅步伐非但沒有停滯，反而在多個方向上齊頭并進。

阿斯麥的“技術制衡論”折射出全球半導體產業正在經歷的深刻裂變，曾經那個全球協作、分工明確的半導體生態系統正在被地緣政治的力量撕裂，取而代之的是兩條平行供應鏈的角力，西方試圖用“小院高墻”維持技術領先地位，中國則以舉國體制加速技術突圍。

富凱在采訪結尾依然對自身技術優勢抱有信心，他強調光刻技術仍然很難被完全替代，整個生態系統的關聯性極強。

這或許不是虛言，但一個同樣不容忽視的事實是，從航天到高鐵，從通信設備到新能源，中國已在多個曾被斷言“不可逾越”的技術領域完成了從追趕到超越的逆襲。

富凱口中那個“落后十年”的數字，究竟是一道難以跨越的天塹，還是一個即將被追趕者逼近的距離，答案或許已經寫在中國實驗室深夜不熄的燈光里。