1nm晶體管落地中國！北大團隊發(fā)布，彎道超車造芯片還要多久？

可以說，芯片技術的發(fā)展走到今天，早就逼近了物理極限。晶體管越做越小，數(shù)據(jù)中心耗電堪比小城市，都是這個原因。更別說 AI 時代讓一半的時間和能耗都浪費在數(shù)據(jù)搬運上。全球科學家都在找辦法，可硅基的框架里，再怎么折騰也難有大突破，而西方還攥著 EUV 光刻機這個殺手锏，讓我們的硅基先進制程研發(fā)舉步維艱。

而就在2月23日，根據(jù)“人民日報”和“光明日報”的報道消息，北京大學彭練矛院士、邱晨光研究員團隊，在《科學·進展》期刊上公布了一項成果：他們成功制造出了物理柵長僅1納米的鐵電晶體管。而且是迄今尺寸最小、功耗最低的鐵電晶體管，有望為AI芯片算力和能效提升提供核心器件支撐。

當然了，實驗室里做出一個晶體管，和工廠里批量造芯片，中間還隔著一道難跨的坎。碳納米管有金屬性和半導體性之分，想大規(guī)模做出高純度、方向一致的碳納米管陣列，難度堪比在針尖上繡花。

但讓人看到希望的是，我們的科研和產業(yè)界已經(jīng)在一步步突破這些瓶頸：中科院金屬所實現(xiàn)了米級單壁碳納米管薄膜的連續(xù)制備，解決了材料供應的大問題；重慶的國內首條碳基集成電路中試生產線已經(jīng)投運，8 英寸碳基晶圓實現(xiàn)量產，十幾臺專用設備都是國產，還組建了專業(yè)的工程化團隊攻堅。從基礎研究到中試生產，一條完整的產業(yè)鏈正在慢慢成型，這可不是孤軍奮戰(zhàn)，而是全國上下的協(xié)同發(fā)力。

有人問，繞開光刻機造芯片還要多久？其實答案就藏在這些一步步的突破里。碳基芯片從現(xiàn)在的中試線到大規(guī)模商用，可能還需要幾年時間，還要解決良品率、大面積均勻性這些工程化難題。但我們已經(jīng)走出了最關鍵的一步，要知道彭練矛團隊深耕碳基電子學二十多年，重慶的產線團隊泡在車間里反復攻關，這些默默的堅持，都是在為突破積蓄力量。

更重要的是，中國的芯片戰(zhàn)略從來都是兩條腿走路，一邊在硅基領域攻克 28 納米、14 納米的量產，一邊在碳基、光子等新賽道全力沖刺，這種多線并進的策略，讓我們不用再被別人的規(guī)則牽著走。

這次 1 納米碳基晶體管的突破，從來都不是一個孤立的成果，而是中國科技人面對封鎖時，不服輸、敢創(chuàng)新的縮影。