通富微電步步為贏

富凱摘要：在科技算力競(jìng)爭(zhēng)延伸至存力領(lǐng)域、內(nèi)存條價(jià)格狂飆的當(dāng)下，通富微電迎來發(fā)展契機(jī)。

作者|川扇假

在科技飛速發(fā)展的當(dāng)下，算力競(jìng)爭(zhēng)的烽火已蔓延至存力領(lǐng)域，一場(chǎng)激烈的存力角逐就此拉開帷幕。近幾個(gè)月以來，內(nèi)存條市場(chǎng)價(jià)格一路狂飆，數(shù)倍的漲幅令人咋舌。業(yè)內(nèi)甚至戲稱，囤內(nèi)存條的增值潛力遠(yuǎn)超囤黃金。

當(dāng)然，這不過是行業(yè)內(nèi)的一句玩笑話。畢竟，黃金作為傳統(tǒng)避險(xiǎn)資產(chǎn)，其大規(guī)模易開采金礦的發(fā)現(xiàn)概率微乎其微，而內(nèi)存市場(chǎng)則截然不同，其擴(kuò)產(chǎn)速度雖然不快，但兩三年時(shí)間必將帶來翻天覆地變化。

在此背景下，通富微電近期公布了一項(xiàng)44億元的定增計(jì)劃，其中就包括提升存儲(chǔ)芯片封測(cè)產(chǎn)能，待項(xiàng)目建成，年新增存儲(chǔ)芯片封測(cè)產(chǎn)能將達(dá)84.96萬片。在這一利好消息刺激下，通富微電股價(jià)接連上揚(yáng)，一躍成為存儲(chǔ)芯片概念股中的領(lǐng)頭羊。

存儲(chǔ)封測(cè)賽道大贏家

2026年初，全球存儲(chǔ)市場(chǎng)漲聲一片，一條256GB服務(wù)器級(jí)DDR5內(nèi)存價(jià)格沖破4.5萬元關(guān)口，相較于2025年下半年，漲幅超300%；消費(fèi)級(jí)16GB DDR5筆記本內(nèi)存條價(jià)格從380元猛躥至千元以上。

這股由AI算力需求點(diǎn)燃的漲價(jià)浪潮，正以“蝴蝶效應(yīng)”重構(gòu)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈格局，而通富微電作為全球存儲(chǔ)封測(cè)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，自然不會(huì)錯(cuò)過這波行業(yè)上行契機(jī)。

通富微電是國內(nèi)半導(dǎo)體封裝測(cè)試行業(yè)的頭部企業(yè)之一，在全球封測(cè)市場(chǎng)位居第四、國內(nèi)排名第二，為全球客戶呈上從設(shè)計(jì)仿真、圓片中測(cè)，到封裝、成品測(cè)試的全流程服務(wù)。作為國內(nèi)率先達(dá)成7nm/5nm Chiplet封裝量產(chǎn)的企業(yè)之一，通富微電與AMD高端CPU/GPU封測(cè)訂單深度綁定，其終端應(yīng)用覆蓋手機(jī)、汽車、AI服務(wù)器等領(lǐng)域，其中集成電路封測(cè)業(yè)務(wù)在營收中的占比高達(dá)96%，業(yè)務(wù)聚焦程度極高。

通富微電在2026年開年便拋出一份規(guī)模高達(dá)44億元的定向增發(fā)計(jì)劃，資金將用于提升存儲(chǔ)、汽車、晶圓級(jí)和高性能計(jì)算封測(cè)產(chǎn)能，并補(bǔ)充流動(dòng)資金。其中，存儲(chǔ)封測(cè)項(xiàng)目投資8.88億元，預(yù)計(jì)新增年產(chǎn)能84.96萬片。公司稱，此次募投項(xiàng)目順應(yīng)國產(chǎn)替代與技術(shù)升級(jí)大勢(shì)，可緩解產(chǎn)能壓力，提升高端封測(cè)能力。

對(duì)于這份定增計(jì)劃，市場(chǎng)給予了積極回應(yīng)。通富微電在1月16日強(qiáng)勢(shì)漲停，單日成交金額達(dá)80.14億元，這反映出資金對(duì)其技術(shù)落地與擴(kuò)產(chǎn)前景的高度看好。

一方面，存儲(chǔ)芯片制造商迎來難得的盈利窗口期，在市場(chǎng)需求急劇增長(zhǎng)的背景下，產(chǎn)能已趨飽和，新建一條存儲(chǔ)生產(chǎn)線需兩年以上時(shí)間，不少老牌內(nèi)存巨頭并無擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，妄圖坐享供需失衡帶來的紅利，卻忽視了后來者的奮起直追。

另一方面，通富微電作為內(nèi)存巨頭的封測(cè)合作伙伴，其大尺寸封裝量產(chǎn)技術(shù)取得重大突破，在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，其技術(shù)核心在于高堆疊封裝能力，通富微電已實(shí)現(xiàn)多層堆疊NAND閃存與LPDDR內(nèi)存的穩(wěn)定量產(chǎn)，還在國內(nèi)率先完成基于TSV技術(shù)的3DS DRAM封裝開發(fā)，具備擴(kuò)大存儲(chǔ)芯片產(chǎn)能的深厚技術(shù)積淀。

在市場(chǎng)層面，進(jìn)入2026年，內(nèi)存價(jià)格的上漲態(tài)勢(shì)并未減弱，無論是DDR5、DDR4還是DDR3，價(jià)格均持續(xù)上揚(yáng)。眾多研報(bào)對(duì)此展開分析，認(rèn)為內(nèi)存價(jià)格的上漲趨勢(shì)在短期內(nèi)難以扭轉(zhuǎn)。

存儲(chǔ)大廠為追求更高利潤(rùn)，將產(chǎn)能從DDR4轉(zhuǎn)向HBM和DDR5，這使得DDR4供應(yīng)缺口急劇放大，而需求端仍有不小的規(guī)模，尤其是工業(yè)自動(dòng)化、醫(yī)療設(shè)備、工控機(jī)等領(lǐng)域因認(rèn)證周期較長(zhǎng)，仍依賴DDR4平臺(tái)，這種供需失衡狀況導(dǎo)致DDR4價(jià)格大幅飆升，甚至出現(xiàn)價(jià)格倒掛現(xiàn)象。

盡管近期多家國內(nèi)存儲(chǔ)領(lǐng)域企業(yè)陸續(xù)公布擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，但由于產(chǎn)能釋放需要一定時(shí)間周期，內(nèi)存緊缺的局面還會(huì)持續(xù)一段時(shí)間，而轉(zhuǎn)機(jī)則取決于內(nèi)存產(chǎn)業(yè)鏈的國產(chǎn)替代浪潮能否成功承接DDR4、DDR3需求，以及產(chǎn)能何時(shí)釋放。

國產(chǎn)替代浪潮下的業(yè)績(jī)騰飛

在半導(dǎo)體國產(chǎn)替代的洶涌浪潮推動(dòng)下，通富微電近年來業(yè)績(jī)大放異彩。作為國內(nèi)集成電路封測(cè)行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)，通富微電近年來業(yè)績(jī)不僅展現(xiàn)出顯著的復(fù)蘇態(tài)勢(shì)，更實(shí)現(xiàn)了結(jié)構(gòu)優(yōu)化升級(jí)。

數(shù)據(jù)顯示，通富微電營收于2020年成功突破百億元大關(guān)，不過受全球半導(dǎo)體周期下行沖擊，此后營收增速有所趨緩。尤其是2023年，通富微電雖維持了營收增長(zhǎng)，但凈利潤(rùn)卻大幅下滑66%。

然而，自2023年起，半導(dǎo)體行業(yè)景氣度逐步回升，疊加國產(chǎn)替代進(jìn)程加速推進(jìn)，通富微電順勢(shì)駛?cè)敫咴鲩L(zhǎng)快車道。2024年，公司營收達(dá)238.82億元，同比增長(zhǎng)7.24%；凈利潤(rùn)6.78億元，同比暴增300%，業(yè)績(jī)表現(xiàn)極為亮眼。

步入2025年，通富微電的業(yè)績(jī)延續(xù)攀升態(tài)勢(shì)。2025年前三季度，公司營收201.16億元，同比增長(zhǎng)17.77%；歸母凈利潤(rùn)8.60億元，同比增長(zhǎng)55.74%。其中，第三季度單季凈利潤(rùn)4.48億元，環(huán)比二季度增長(zhǎng)38.8%，強(qiáng)勁的增長(zhǎng)動(dòng)能盡顯無遺。

從客戶構(gòu)成來看，AMD訂單在通富微電收入中仍占據(jù)主導(dǎo)地位，占比超80%，但值得一提的是，通富微電已成功拓展客戶版圖，覆蓋了英偉達(dá)、高通等國際行業(yè)巨頭，以及長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)等國內(nèi)領(lǐng)軍企業(yè)，客戶多元化戰(zhàn)略有效降低了經(jīng)營風(fēng)險(xiǎn)。

在技術(shù)領(lǐng)域，通富微電雙管齊下。一方面，大力推進(jìn)先進(jìn)封裝技術(shù)的預(yù)先研發(fā)，另一方面，積極布局存儲(chǔ)芯片賽道。針對(duì)智能手機(jī)與平板電腦市場(chǎng)，通富微電開發(fā)超薄FCBGA封裝技術(shù)，通過高堆疊3D NAND封裝技術(shù)，深度布局服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域。

當(dāng)前，制約通富微電發(fā)展的關(guān)鍵因素并非客戶與技術(shù)，而是產(chǎn)能瓶頸。通富微電的南通工廠產(chǎn)能已趨飽和，處于滿負(fù)荷運(yùn)轉(zhuǎn)狀態(tài)，面對(duì)國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)周期上行的大趨勢(shì)，以及國家政策對(duì)半導(dǎo)體和芯片產(chǎn)業(yè)的大力扶持，通富微電必然要通過產(chǎn)能擴(kuò)張，推動(dòng)技術(shù)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化落地與規(guī)模化發(fā)展。

因此，隨著通富微電定增計(jì)劃的出爐，為公司開辟了新的業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)空間與未來想象空間，據(jù)通富微電介紹，此次定增重點(diǎn)聚焦于存儲(chǔ)芯片封測(cè)、車載芯片封測(cè)、晶圓級(jí)封測(cè)以及面向高性能計(jì)算與通信芯片的封測(cè)能力布局，在擴(kuò)充產(chǎn)能規(guī)模的同時(shí)，優(yōu)化產(chǎn)品與工藝結(jié)構(gòu)，以更好地匹配下游芯片高算力、高可靠性、高集成度的發(fā)展趨勢(shì)。

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