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繼蘋果和華為給旗艦芯片劃分標(biāo)準(zhǔn)版和Pro版之后,高通終于也加入了這個(gè)行列,而且這個(gè)全新的Pro版本價(jià)格將會(huì)大漲。
迫于高通旗艦芯的漲價(jià)壓力,三星也重啟了自研CPU計(jì)劃。
至于漲價(jià)原因也很簡單,臺(tái)積電2nm工藝是其首個(gè)采用GAA的制程節(jié)點(diǎn),并已如期量產(chǎn),所以其初期成本有多高可想而知。
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其中 GAA 代表著“全環(huán)繞柵極”納米片晶體管,這種全新結(jié)構(gòu)可通過柵極完全包裹的水平堆疊納米片形成之溝道,極大增強(qiáng)靜電控制并減少泄漏電流,從而在不犧牲性能或能效的前提下實(shí)現(xiàn)更小晶體管尺寸。
此外,N2工藝還在電源傳輸網(wǎng)絡(luò)中集成了超高性能金屬-絕緣體-金屬(SHPMIM)電容器,其電容密度比前代產(chǎn)品高出一倍,同時(shí)將片電阻(Rs)和過孔電阻(Rc)分別降低了50%。
臺(tái)積電宣稱N2工藝相較于N3E工藝在相同功耗下性能提升了10%-15%,功耗降低了25%-30%,晶體管密度提升了15%(適用于包含邏輯、模擬和SRAM的混合設(shè)計(jì)),純邏輯電路晶體管密度提升則高達(dá)20%。
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當(dāng)然N2工藝還只是個(gè)開頭,臺(tái)積電還表示N2P計(jì)劃于2026年下半年量產(chǎn),性能再提升5%-10%,功耗再降低5%-10%;而A16則將于2026年下半年投產(chǎn),采用 Super Power Rail 背面供電技術(shù),專為復(fù)雜的AI和HPC處理器設(shè)計(jì)。
其中N2P工藝正是高通驍龍8 Elite Gen6系列處理器所基于的制程,到時(shí)Pro版價(jià)格會(huì)大漲到多少就拭目以待了。
至于標(biāo)準(zhǔn)版和Pro版的規(guī)格差異,站哥已經(jīng)給出了大概,那就是標(biāo)準(zhǔn)版不支持LPDDR6規(guī)格運(yùn)存,同時(shí)在GPU規(guī)模方面會(huì)有一定閹割。按照這架勢,明年如果高通還更新驍龍8 Gen6的話,那驍龍8系的型號(hào)辨認(rèn)難度將進(jìn)一步增加。
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