山東
IT之家 6 月 11 日消息，韓媒 THE ELEC 當地時間昨日報道稱，SK 海力士現有 V9 321L 后的下一代 3D NAND 閃存將采用 375 層堆疊設計。該企業新的 V10 NAND 已完成生產驗證，正準備量產轉移，目標 2026 年內通過既有產線制程升級實現大規模生產。
▲ SK 海力士 V9 NAND
韓媒宣稱 SK 海力士原本計劃在 V10 世代采用 400 層堆疊，但由于這會為量產帶來更大技術難度最終選擇 375 層設計。業內人士稱 SK 海力士未來還規劃了 480 層、604 層的 3D NAND。
技術層面，SK 海力士在 V10 NAND 的金屬布線層中將部分字線 (Word Line) 材料從鎢 (W) 替換為鉬 (Mo)，后者電阻更低、填充性能更好。在鉬沉積工藝中，SK 海力士將應用成本更具優勢的 TEL 爐式設備。
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