英特爾先進(jìn)封裝，火力全開

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英特爾的關(guān)鍵EMIB技術(shù)實(shí)現(xiàn)了驚人的良率，表明其已準(zhǔn)備好在即將到來的AI數(shù)據(jù)中心芯片中得到應(yīng)用。

英特爾EMIB是芯片巨頭英特爾最關(guān)鍵的晶圓代工技術(shù)，它將使英特爾成為臺(tái)積電在先進(jìn)封裝領(lǐng)域的有力競爭對手。

我們最近討論了人工智能公司如何將EMIB技術(shù)應(yīng)用于其下一代人工智能芯片。這項(xiàng)技術(shù)的目標(biāo)很簡單：為臺(tái)積電的CoWoS技術(shù)提供一種經(jīng)濟(jì)高效且可擴(kuò)展的替代方案。

英特爾的先進(jìn)封裝技術(shù)將被谷歌用于其下一代TPU芯片，我們也曾報(bào)道過英偉達(dá)將其用于其下一代Feynman芯片。GF證券科技研究部的分析師Jeff Pu分享了他對EMIB項(xiàng)目進(jìn)展的一些見解，初步印象非常不錯(cuò)。

據(jù)杰夫透露，英特爾的EMIB良率已達(dá)到90%，這對公司的晶圓代工業(yè)務(wù)來說無疑是個(gè)好消息，也解釋了為何目前外界對英特爾晶圓代工如此充滿信心。Meta也是EMIB的客戶之一，不過雙方的合作計(jì)劃是圍繞2028年底推出的CPU展開，因此我們還需要一段時(shí)間才能獲得更多相關(guān)信息。

與此同時(shí)，英特爾并未停止宣傳其EMIB技術(shù)的優(yōu)勢。這家芯片制造商再次強(qiáng)調(diào)了EMIB（嵌入式多芯片互連橋）的諸多益處，包括：提高良率、降低功耗、降低成本，以及使更大規(guī)模的“混合節(jié)點(diǎn)”系統(tǒng)成為現(xiàn)實(shí)。

在最新發(fā)布的視頻中，英特爾還分享了關(guān)于EMIB封裝的一個(gè)有趣見解，指出EMIB的良率與FCBGA相當(dāng)，同時(shí)芯片間的互連密度更高。FCBGA（倒裝芯片球柵陣列）是另一種高性能封裝技術(shù)，廣泛應(yīng)用于各種IP，例如CPU、GPU和其他控制器芯片。FCBGA芯片通過焊球直接連接到PCB基板，而EMIB則將互連封裝在橋接結(jié)構(gòu)中，從而將多個(gè)芯片連接在一起。

EMIB-M 和 EMIB-T 的主要區(qū)別

目前，EMIB技術(shù)主要有兩種：EMIB-M和EMIB-T。EMIB-M橋接電路的設(shè)計(jì)旨在提高效率，其硅橋接電路中采用MIM電容，通過最大程度地降低噪聲來增強(qiáng)功率傳輸和電路完整性。雖然MIM電容的成本略高于金屬-氧化物-金屬（MOM）電容，但它具有更高的穩(wěn)定性和更低的漏電。

EMIB-M 的構(gòu)建過程涉及通過芯片組創(chuàng)建高密度 3D 結(jié)構(gòu)。這些芯片組通過 EMIB-M 橋接器連接，該橋接器提供高帶寬互連。芯片組的電源繞過橋接器傳輸。

嵌入式多芯片互連橋 2.5D。

• 一種高效、經(jīng)濟(jì)的多個(gè)復(fù)雜芯片連接方式。

• 用于邏輯-邏輯和邏輯-高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）的 2.5D 封裝。

• EMIB-M 在橋式電路中采用 MIM 電容。EMIB-T 在橋式電路中增加了 TSV 封裝。

• 封裝基板中嵌入硅橋，用于岸線到岸線的連接。

• EMIB-T 可以簡化其他封裝設(shè)計(jì)中的 IP 集成。

• 簡化供應(yīng)鏈和組裝流程。

• 生產(chǎn)已驗(yàn)證：自 2017 年以來，已采用英特爾和外部芯片進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。

EMIB-T 改變了電源布線方式，通過集成 TSV 技術(shù)實(shí)現(xiàn)了更高的密度擴(kuò)展。與 EMIB-M 不同，EMIB-T 中的電源可以直接通過 EMIB 橋接器布線，而無需繞過橋接器。EMIB-T 的設(shè)計(jì)旨在滿足高性能 AI 芯片的需求。

面向超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心時(shí)代的 EMIB 規(guī)模化應(yīng)用

目前，EMIB-T 芯片的擴(kuò)展能力已達(dá)到光罩尺寸的 8 倍以上，封裝尺寸為 120x120，可容納 12 個(gè) HBM 芯片、4 個(gè)高密度芯片組以及超過 20 個(gè) EMIB-T 連接。到 2028 年，英特爾計(jì)劃將擴(kuò)展能力提升至光罩尺寸的 12 倍以上，封裝尺寸超過 120x180，可容納超過 24 個(gè) HBM 芯片和超過 38 個(gè) EMIB-T 橋接器。

作為對比，臺(tái)積電預(yù)計(jì)到2028年將實(shí)現(xiàn)14倍光刻技術(shù)，最多可集成20個(gè)HBM封裝。該公司還擁有用于超大型先進(jìn)封裝芯片的SoW（晶圓系統(tǒng)）封裝，但其成本遠(yuǎn)高于CoWoS。

EMIB 的一個(gè)關(guān)鍵優(yōu)勢在于它與 IP 和工藝節(jié)點(diǎn)無關(guān)，因此您可以容納基于各種 IP 和各種第三方或內(nèi)部工藝節(jié)點(diǎn)的多個(gè)芯片，從而制造出專為帶寬、電源完整性和規(guī)模而設(shè)計(jì)的芯片。

（來源：編譯自wccftech）

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