5年融5輪，海歸博士創(chuàng)立的蘇州公司完成新融資

近日，創(chuàng)客君獲悉，蘇州中瑞宏芯半導(dǎo)體有限公司（下文簡稱“ 中瑞宏芯”）宣布完成新一輪融資，投資方為模擬芯片龍頭納芯微和充電模塊龍頭企業(yè)優(yōu)優(yōu)綠能，融資金額達(dá)億元級(jí)。

這是公司成立近五年來完成的第五輪融資，也標(biāo)志著這家由海外歸國技術(shù)專家領(lǐng)銜的碳化硅芯片廠商，在資本與產(chǎn)業(yè)的雙重加持下步入發(fā)展快車道。

中瑞宏芯的故事，要從創(chuàng)始人張振中博士長達(dá)二十年的碳化硅研究說起。

本科畢業(yè)于浙江大學(xué)的張振中，后赴瑞典皇家工學(xué)院攻讀博士學(xué)位。博士畢業(yè)后，他進(jìn)入瑞典國家研究院，正式投身碳化硅材料及功率器件研發(fā)。

“我一開始接觸碳化硅半導(dǎo)體器件研發(fā)的時(shí)候還是2英寸的晶圓，現(xiàn)在都已是6英寸量產(chǎn)甚至已經(jīng)有了8英寸大尺寸的晶圓。”張振中曾如此回顧自己與碳化硅結(jié)緣的起點(diǎn)。

2011年，憑借在瑞典國家研究院積累的深厚技術(shù)功底，張振中在瑞典創(chuàng)辦了Ascatron公司并擔(dān)任首席工程師，專注碳化硅外延片與功率器件的設(shè)計(jì)與制造。

在Ascatron期間，他參與了ABB、英飛凌、三星等跨國公司研發(fā)和業(yè)務(wù)合作，成功研發(fā)出1.2kV至10kV電壓等級(jí)的碳化硅二極管、MOSFET和JFET等器件，積累了從材料到器件、從設(shè)計(jì)到工藝的全鏈條產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn)。

值得一提的是，張振中早在2015年便開始與國內(nèi)廠商建立合作關(guān)系，逐步將目光投向國內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的萌芽。

可以說，在正式回國創(chuàng)業(yè)之前，他已經(jīng)用十余年時(shí)間完成了碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈的技術(shù)儲(chǔ)備。

而真正促使張振中下定決心的，是國內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的歷史性機(jī)遇。

彼時(shí)，國產(chǎn)化替代與產(chǎn)業(yè)升級(jí)形成雙重驅(qū)動(dòng)力。張振中敏銳地察覺到，中國擁有全球最大的第三代半導(dǎo)體應(yīng)用市場，產(chǎn)業(yè)鏈日趨完備，實(shí)現(xiàn)自主可控的條件正在成熟。

“市場占有率要從90%做到100%很難，但是從10%到20%卻是觸手可及。”面對(duì)這個(gè)市場規(guī)模巨大、天花板極高的細(xì)分賽道，張振中躊躇滿志。

2021年，張振中正式從瑞典國家研究院辭任，回國尋求產(chǎn)業(yè)化落地的機(jī)會(huì)。經(jīng)過多地調(diào)研考察，他將創(chuàng)業(yè)之地選定在蘇州工業(yè)園區(qū)。2021年6月，蘇州中瑞宏芯半導(dǎo)體有限公司正式注冊(cè)成立。

與許多科學(xué)家創(chuàng)業(yè)團(tuán)隊(duì)不同，張振中在中瑞宏芯組建了一支在半導(dǎo)體領(lǐng)域深耕十年以上的核心研發(fā)團(tuán)隊(duì)，研究領(lǐng)域覆蓋碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈上游材料、工藝，中游器件、封裝，下游應(yīng)用，實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)的全覆蓋。

“在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，找一個(gè)從事10年以上的硅材料研發(fā)的資深設(shè)計(jì)師已是不易，更不要說一直專注于碳化硅半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)的團(tuán)隊(duì)?！睆堈裰性粺o驕傲地說。

依托這支經(jīng)驗(yàn)豐富的團(tuán)隊(duì)，中瑞宏芯全面掌握了從芯片設(shè)計(jì)、仿真建模到測試應(yīng)用、量產(chǎn)導(dǎo)入的全流程。公司的主要產(chǎn)品線包括SiC二極管（覆蓋650V-1700V電壓，1A-40A電流）、SiC MOSFET（電壓覆蓋650V-2000V）、SiC功率模塊以及SiC外延片等，廣泛應(yīng)用于充電樁、光伏逆變器、新能源汽車OBC及主驅(qū)、數(shù)據(jù)中心電源、工業(yè)電源等場景。

在核心技術(shù)層面，公司開發(fā)的3D結(jié)構(gòu)SiC器件技術(shù)尤為突出——相比目前市場主流產(chǎn)品，不僅增加了電流密度，提高了反向耐壓和雪崩能力，在常溫及200℃高溫條件下的反向漏電流均比國際同類產(chǎn)品低一到兩個(gè)數(shù)量級(jí)。公司的高壓SiC MOSFET設(shè)計(jì)具有低導(dǎo)通電阻、高抗干擾、低開關(guān)損耗、易驅(qū)動(dòng)等特點(diǎn)，充電樁模塊效率超過97%。

在產(chǎn)業(yè)化落地方面，中瑞宏芯與國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）和江蘇省第三代半導(dǎo)體研究院掛牌共建SiC車用大功率MOSFET芯片技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心。

此外，公司在瑞典設(shè)有SiC新型器件研發(fā)基地，與瑞典國家研究院（RISE）開展特殊MOS工藝開發(fā)的深度合作。

在國產(chǎn)替代的實(shí)際推進(jìn)中，中瑞宏芯的產(chǎn)品已進(jìn)入多家頭部Tier1供應(yīng)鏈。多款二極管、MOSFET產(chǎn)品已通過車規(guī)級(jí)AEC-Q101認(rèn)證，性能達(dá)到國際先進(jìn)水平，并應(yīng)用于新能源、電動(dòng)汽車、智能電網(wǎng)、工業(yè)控制等領(lǐng)域。

公司產(chǎn)品已在新能源汽車OBC頭部客戶完成測試，基于第三代工藝平臺(tái)的160mΩ MOSFET產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

此次B+輪引入的納芯微和優(yōu)優(yōu)綠能，將進(jìn)一步深化中瑞宏芯的產(chǎn)業(yè)協(xié)同。納芯微在車規(guī)級(jí)芯片領(lǐng)域的深厚積累與優(yōu)優(yōu)綠能在充電模塊市場的渠道優(yōu)勢(shì)，將助力中瑞宏芯半導(dǎo)體在技術(shù)協(xié)同與市場拓展上實(shí)現(xiàn)跨越式發(fā)展，加速SiC器件在新能源汽車與充電設(shè)施領(lǐng)域的國產(chǎn)化替代進(jìn)程。

文章素材來 源：企查查、企業(yè)官網(wǎng)等

園區(qū)科創(chuàng)委《園區(qū)企業(yè)逐浪第三代半導(dǎo)體“黃金賽道”！》

全球半導(dǎo)體觀察《蘇州第三代半導(dǎo)體廠商完成新一輪融資》

荷塘創(chuàng)投《中瑞宏芯，第三代半導(dǎo)體“黃金賽道”上的新星》

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