北京
存儲行業(yè)最近有個挺有意思的消息。華為發(fā)布了一款面向AI推理和數(shù)據(jù)中心的固態(tài)硬盤，容量做到61.44TB和122.88TB，未來還要推245TB版本。單看數(shù)字不算太意外——三星、Solidigm這些廠商早就有大容量產(chǎn)品了。真正有意思的是華為怎么造出來的。
問題卡在原材料上。2019年美國商務(wù)部把華為列入實體清單，切斷其獲取美國原產(chǎn)技術(shù)的渠道。這個禁令的覆蓋面很廣：不僅是美國公司的硬件軟件，任何用了美國技術(shù)生產(chǎn)的產(chǎn)品都在限制范圍內(nèi)。3D NAND閃存芯片恰好踩在這條線上——三星今年宣布的400層以上閃存、SK海力士的最新產(chǎn)品，底層技術(shù)都有美國專利和設(shè)備的影子。這意味著即便這兩家韓國公司想賣，法律上也不允許。
國內(nèi)不是沒有替代方案。長江存儲的Xtacking 4.0技術(shù)能做到232層，但這和三星的400層+相比，單位面積能塞下的數(shù)據(jù)密度明顯吃虧。如果按常規(guī)思路封裝，華為的固態(tài)硬盤容量會直接比競品矮一截。
華為的解法是把封裝環(huán)節(jié)整個繞過去。傳統(tǒng)固態(tài)硬盤的做法是先把NAND裸片封成BGA或TSOP標準的芯片，再焊到電路板上。華為用的DoB（Die-on-Board）技術(shù)直接把裸片貼到PCB上，省掉了中間封裝層。按Blocks & Files的報道，這樣能在不堆疊層數(shù)的前提下，靠物理空間的重新排布塞進更多裸片，最終把容量拉上去。
這個方案有兩個附帶好處。一是成本：封裝環(huán)節(jié)涉及好幾道貴價工序，砍掉之后整體造價能往下壓。二是靈活性：不用等封裝廠的產(chǎn)能排期，自己把控生產(chǎn)節(jié)奏。代價也有——裸片直接貼板對散熱和信號完整性都是考驗，華為得自己解決這些工程問題。從OceanDisk 1800的發(fā)布來看，他們似乎搞定了。
這不是華為第一次用"繞路"的方式破解封鎖。之前曝光的AI CloudMatrix集群，性能指標能壓過英偉達GB200，代價是功耗翻四倍——用數(shù)量換質(zhì)量，用能耗換性能。這種打法不優(yōu)雅，但在現(xiàn)有約束下能跑通。
北京這邊對英偉達H200的進口限制還在收緊，甚至考慮擴大管制范圍。兩邊的技術(shù)脫鉤在加速，華為這類公司的生存策略也越來越清晰：能在供應(yīng)鏈里找到替代就替換，找不到就改架構(gòu)、改封裝、改系統(tǒng)層面的集成方式，把短板用工程手段補起來。
DoB本身不是新技術(shù)，工業(yè)和軍工場景早就有應(yīng)用。但把它大規(guī)模用到消費級/企業(yè)級存儲產(chǎn)品里，華為可能是頭一個。這背后的邏輯很務(wù)實：當先進制程和先進封裝都受限時，退回到更原始的連接方式，靠PCB設(shè)計能力和系統(tǒng)集成能力把產(chǎn)品做出來。
122TB這個數(shù)字放在全球市場里不算最頂尖——Solidigm去年就發(fā)布了122TB的D5-P5336，用的還是傳統(tǒng)封裝路線。但華為的產(chǎn)品意義不在參數(shù)本身，而在證明一條被很多人看死的路其實還能走。只要NAND裸片還能買到，哪怕層數(shù)落后兩代，通過封裝層面的創(chuàng)新，大容量存儲設(shè)備照樣能落地。
接下來的變量有兩個。一是長江存儲的層數(shù)能不能追上來，這決定了華為還需要"繞路"多久；二是DoB方案的可靠性和量產(chǎn)良率，畢竟裸片直焊對工廠環(huán)境、測試流程的要求都比標準封裝高。如果這兩個環(huán)節(jié)穩(wěn)住，這種"受限環(huán)境下的工程創(chuàng)新"可能會成為更多中國廠商的參考樣本。
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