河南
快科技6月11日消息，據(jù)報道，SK海力士已完成375層NAND閃存的量產(chǎn)驗證，正將清州M15工廠的原產(chǎn)線從176/238/321層升級改造為375層產(chǎn)品產(chǎn)線，計劃于2026年底前實現(xiàn)量產(chǎn)。
該產(chǎn)品最初規(guī)劃為400層架構(gòu)，受超高層數(shù)堆疊的量產(chǎn)工藝限制，最終被迫調(diào)整為375層。業(yè)內(nèi)人士透露，后續(xù)將依次推出480層、604層產(chǎn)品。
為彌補(bǔ)層數(shù)折損，375層產(chǎn)品首次在字線金屬柵極中以鉬（Mo）部分替代傳統(tǒng)鎢（W）材料。
這是由于超高層堆疊導(dǎo)致鎢基字線電阻激增、信號延遲，且阻擋輔助層占用堆疊空間。鉬以更低電阻率和無阻擋層優(yōu)勢，同步提升NAND閃存的讀寫性能與存儲密度。
鉬前驅(qū)體常溫下為固態(tài)，對制程管控要求極高。SK海力士評估了泛林集團(tuán)和東京電子的設(shè)備后，最終選定后者的爐式沉積系統(tǒng)。
該方案一次可處理約100片晶圓，在設(shè)備成本、場地占用及物料消耗上更具優(yōu)勢。
需要指出的是，三星電子已于2024年4月量產(chǎn)第九代286層V-NAND時，就將鉬應(yīng)用于金屬布線環(huán)節(jié)。
三星規(guī)劃中的第十代400層以上NAND亦將于2026年下半年推出，鉬材料的應(yīng)用范圍正持續(xù)擴(kuò)大。
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