浙江
武漢近日發布2026年重大項目規劃，380億美元（約合人民幣2600億元）存儲半導體擴產計劃宣告落地。
擴產以長江存儲與武漢新芯為雙核心，主攻3D NAND與DRAM兩大方向。長江存儲三期廠房已進入設備調試階段，預計2026年底投入量產，2027年達成月產能5萬片的階段性目標。
長江存儲三座新廠全面達產后，總產能較現有水平提升超過100%，出貨量有望超越SK海力士和美光，劍指全球NAND閃存第三席位，僅次于三星和鎧俠。
武漢新芯同步推進三期擴產，總投資280億元。武漢新芯深耕NOR Flash特色工藝，是國內規模最大的NOR Flash芯片制造廠商，目前擁有兩座12英寸晶圓廠，每座月產能超3萬片。
產能翻番的背后，是AI算力對存儲芯片的需求加大。TrendForce最新數據顯示，單臺AI服務器對DRAM的需求是傳統服務器的8倍，對NAND Flash的需求是3倍。
高盛預測2026年全球DRAM供需缺口將達4.9%，為15年來最嚴重。而原廠產能爬升需要12至18個月，供需缺口短期內難以填平。
存儲芯片價格在AI需求的持續拉動下大幅上漲，產業鏈企業的業績同步兌現。其中佰維存儲2026年Q1實現營業收入68.14億元，同比增長341.53%；歸母凈利潤28.99億元，相當于2025年全年凈利潤的3.3倍。
來源：快科技
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