Q1凈利增405%！SK海力士利潤率已碾壓臺積電！

2026年4月23日，韓國存儲芯片大廠SK海力士發(fā)布截至2026年3月31日的2026財年第一季度財務(wù)報告。在AI算力需求的持續(xù)驅(qū)動下，公司各項核心財務(wù)指標(biāo)均創(chuàng)下歷史新高，單季營收首次突破50萬億韓元大關(guān)，營業(yè)利潤率高達72%，不僅刷新了自身紀錄，更大幅超越了臺積電、美光等全球半導(dǎo)體同行。

Q1營收突破50萬億韓元，凈利潤同比暴增405%

根據(jù)SK海力士的財報數(shù)據(jù)顯示，2026年第一季度公司實現(xiàn)營業(yè)收入52.5763萬億韓元，同比暴漲198%，環(huán)比增長60%，這也是韓國芯片企業(yè)首次實現(xiàn)單季營收突破50萬億韓元。

營業(yè)利潤方面，SK海力士錄得37.6103萬億韓元，同比暴增405%，環(huán)比增長96%，營業(yè)利潤率更是達到了72%——意味著公司每賣出1萬韓元的產(chǎn)品，就能賺取超過7000韓元的營業(yè)利潤，這在半導(dǎo)體制造業(yè)中極為罕見。

凈利潤方面，SK海力士實現(xiàn)40.3459萬億韓元，同比增長398%，大幅超出市場分析師此前31.95萬億韓元的平均預(yù)期。凈利潤率高達77%。

從業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)來看，DRAM貢獻了公司總營收的78%，NAND貢獻了21%。業(yè)績大幅增長的核心驅(qū)動力來自兩方面：一是HBM、高容量服務(wù)器DRAM模塊、企業(yè)級SSD等高附加值產(chǎn)品銷量持續(xù)擴大；二是大宗DRAM和NAND合約價格在第一季度出現(xiàn)了史無前例的暴漲。

據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)，第一季度部分DRAM產(chǎn)品合約價格環(huán)比上漲近83%，部分NAND產(chǎn)品價格更是暴漲約160%。SK海力士披露，第一季度DRAM平均售價較上季度上漲約60%，NAND平均售價上漲約70%。

盈利能力已碾壓臺積電

本季度SK海力士72%的營業(yè)利潤率，不僅在其公司歷史上前所未有，在全球半導(dǎo)體行業(yè)中也處于絕對領(lǐng)先地位。

作為對比，臺積電2026年第一季度營業(yè)利潤率約為58%，美光約為67.6%，三星電子整體營業(yè)利潤率約為43%（其存儲業(yè)務(wù)預(yù)計在60%-70%區(qū)間）。SK海力士與臺積電之間的利潤率差距，已從去年第四季度的4個百分點擴大至第一季度的14個百分點。

需要指出的是，在2023年第一季度，SK海力士的營業(yè)利潤率曾跌至-67%的歷史低谷。此后，隨著存儲市場供需關(guān)系的逆轉(zhuǎn)和AI需求的爆發(fā)，公司營業(yè)利潤率在2023年第四季度轉(zhuǎn)正為3%，隨后每個季度持續(xù)攀升，到2026年第一季度已達到72%。

強勁的盈利能力也帶來了資產(chǎn)負債表的顯著改善。截至第一季度末，SK海力士現(xiàn)金及現(xiàn)金等價物達54.3萬億韓元，較上季度末增加19.4萬億韓元；有息債務(wù)降至19.3萬億韓元，較上季度減少2.9萬億韓元。由此，公司實現(xiàn)了35萬億韓元的凈現(xiàn)金頭寸。

SK海力士CEO郭魯正在今年3月的股東大會上曾表示，“為應(yīng)對結(jié)構(gòu)性需求增長、保持競爭力，確保能夠穩(wěn)定投資的財務(wù)穩(wěn)健性至關(guān)重要”，并設(shè)定了凈現(xiàn)金超過100萬億韓元的目標(biāo)。

未來三年HBM需求已遠超供給能力

對于未來市場走勢，SK海力士在財報中表達了樂觀預(yù)期。公司表示，隨著AI從大模型訓(xùn)練階段演進到“代理式AI”（Agentic AI）——即在各種服務(wù)環(huán)境中反復(fù)執(zhí)行實時推理——DRAM和NAND兩大存儲品類的需求基礎(chǔ)都在持續(xù)擴大。

“盡管第一季度通常是季節(jié)性淡季，但在AI基礎(chǔ)設(shè)施投資擴大的推動下，市場需求依然持續(xù)強勁。”SK海力士在財報中表示，預(yù)計DRAM和NAND都將維持有利的價格環(huán)境。這也意味著，SK海力士認為當(dāng)前存儲芯片供不應(yīng)求、價格上漲的市場現(xiàn)狀將會持續(xù)。

TrendForce也在最新預(yù)測中指出，盡管終端市場需求可能存在波動，但預(yù)計第二季度大宗DRAM合約價格仍將環(huán)比上漲58-63%，NAND合約價格預(yù)計上漲70-75%。

SK海力士在財報電話會議上還透露，客戶未來三年的HBM需求已經(jīng)遠超現(xiàn)有供給能力，公司正在現(xiàn)有約束條件下最大化HBM產(chǎn)出，并謹慎平衡HBM與標(biāo)準(zhǔn)DRAM之間的產(chǎn)能分配。

據(jù)韓媒報道，SK海力士正在從一年期短期合同向三至五年的長期供應(yīng)協(xié)議（LTA）模式轉(zhuǎn)型，已與微軟、谷歌等全球AI巨頭就DRAM長期供應(yīng)進行談判。同時，公司正在積極擴大對英偉達HBM4的供應(yīng)。

M15X與龍仁集群雙線推進

為應(yīng)對持續(xù)增長的需求，SK海力士正在加速產(chǎn)能擴張。公司表示，今年將顯著增加資本支出，重點用于清州M15X新廠的量產(chǎn)爬坡，以及龍仁半導(dǎo)體集群的基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)。

清州M15X工廠是SK海力士最新的DRAM生產(chǎn)基地，將主要用于HBM等尖端產(chǎn)品的生產(chǎn)。龍仁集群則是韓國政府推動的全球最大半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群項目的一部分，SK海力士計劃投資19萬億韓元在該區(qū)域建設(shè)新工廠。

1c制程SOCAMM2已量產(chǎn)

在技術(shù)路線圖方面，SK海力士也公布了最新進展。公司基于全球首創(chuàng)的10nm級第六代（1c）制程工藝，已開始量產(chǎn)192GB SOCAMM2 AI服務(wù)器內(nèi)存模塊，本月已正式啟動供貨。該產(chǎn)品帶寬是傳統(tǒng)RDIMM的兩倍以上，能效提升超過75%。

在NAND領(lǐng)域，公司基于CTF（電荷捕獲閃存）321層QLC技術(shù)，已開始供應(yīng)消費級SSD“PQC21”。公司計劃通過高性價比的TLC產(chǎn)品和高容量的QLC產(chǎn)品組合，靈活應(yīng)對企業(yè)級SSD市場的AI需求，同時利用與Solidigm在高容量QLC eSSD領(lǐng)域的協(xié)同效應(yīng)，強化在AI數(shù)據(jù)中心和AI PC存儲市場的競爭力。

編輯：芯智訊-浪客劍