25%國產(chǎn)化！從“被動(dòng)備選”到“主動(dòng)擁抱”，國產(chǎn)光刻膠跨越最后一道門檻

3月，上海張江高科技園區(qū)的無塵車間內(nèi)，一臺臺國產(chǎn)浸沒式光刻機(jī)正高速運(yùn)轉(zhuǎn)。在晶圓表面，一束束深紫外光精準(zhǔn)地刻畫著納米級的電路圖形。與五年前不同的是，此刻流淌在晶圓上的光刻膠，已有相當(dāng)一部分印上了“中國制造”的標(biāo)簽。

曾經(jīng)，這里是日本東京應(yīng)化、JSR、信越化學(xué)和美國杜邦牢牢占據(jù)主導(dǎo)的“高地”。一瓶高端ArF光刻膠的價(jià)格曾居高不下，交期長達(dá)半年，且供應(yīng)鏈穩(wěn)定性長期受制于人。彼時(shí)，中國芯片制造企業(yè)不得不將國產(chǎn)材料作為“備胎”，僅在非關(guān)鍵制程或緊急情況下謹(jǐn)慎試用。甚至因一次批次波動(dòng)導(dǎo)致整條產(chǎn)線停擺的教訓(xùn)，讓許多人心有余悸。

然而，短短數(shù)年間，產(chǎn)業(yè)格局發(fā)生顯著變化。根據(jù)中國電子材料行業(yè)協(xié)會（CEMIA）數(shù)據(jù)，2025年中國大陸集成電路用光刻膠市場規(guī)模約為68億元。在成熟制程（G/I線）領(lǐng)域，國產(chǎn)化率已超過50%；中高端KrF光刻膠達(dá)到20%-25%；最艱難的ArF光刻膠實(shí)現(xiàn)了從“0”到“1”的量產(chǎn)突破，整體半導(dǎo)體光刻膠國產(chǎn)化率穩(wěn)步提升至20%-25%區(qū)間。

這一轉(zhuǎn)變不僅是數(shù)據(jù)的攀升，更折射出中國半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)從“跟跑”向“局部并跑”邁進(jìn)的重要態(tài)勢。

產(chǎn)業(yè)定位：芯片制造的“納米級畫筆”

光刻是半導(dǎo)體制造中最關(guān)鍵的工藝步驟，占芯片制造時(shí)間的40%-50%、總成本的30%。光刻膠作為光刻環(huán)節(jié)的核心耗材，其質(zhì)量和性能直接決定芯片的良品率與器件性能可靠性。

按曝光波長劃分，光刻膠可分為G線（436nm）、I線（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）、ArF浸沒式、EUV（13.5nm）。波長越短，解析度越高，技術(shù)難度也呈指數(shù)級上升。目前，KrF和ArF光刻膠覆蓋了250nm至7nm的絕大部分制程，是半導(dǎo)體光刻膠市場的主力軍。

光刻膠主要由四大組分構(gòu)成，樹脂、光引發(fā)劑、溶劑和添加劑。其中，樹脂占比約40%-50%，是決定成膜性能、分辨率、抗刻蝕性等關(guān)鍵指標(biāo)的核心材料。高端光刻膠的研發(fā)具有顯著的“經(jīng)驗(yàn)科學(xué)”特征。各廠商的配方難以通過分析成品反向獲得，需要對成百上千個(gè)樹脂、光酸和添加劑進(jìn)行排列組合，并不斷調(diào)整比例，才能實(shí)現(xiàn)與已有產(chǎn)品關(guān)鍵參數(shù)的完全匹配。這種技術(shù)特性，加上對跨學(xué)科高端人才的極高要求，構(gòu)成了極深的行業(yè)護(hù)城河。

歷史格局：被“卡住”的芯片筆尖

過去三十年，全球光刻膠市場呈現(xiàn)高度寡頭壟斷格局。日本企業(yè)占據(jù)全球約76%的市場份額，美國企業(yè)緊隨其后。在中國市場，這一比例曾高達(dá)90%以上。這種壟斷對國內(nèi)產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生了三重影響。

一是定價(jià)權(quán)缺失。外企主導(dǎo)定價(jià)體系，高端產(chǎn)品售價(jià)常年居高不下，大幅推高了中國芯片制造成本。二是供應(yīng)鏈脆弱。光刻膠作為關(guān)鍵耗材，其供應(yīng)穩(wěn)定性直接關(guān)系產(chǎn)線運(yùn)轉(zhuǎn)，進(jìn)口依賴使國內(nèi)晶圓廠面臨潛在斷供風(fēng)險(xiǎn)。三是技術(shù)封鎖嚴(yán)密。核心配方、合成工藝、檢測標(biāo)準(zhǔn)長期被外企封鎖，中國企業(yè)只能在低端領(lǐng)域摸索，難以觸及高端制程門檻。

全線反攻：從低端到高端的梯度突破

轉(zhuǎn)機(jī)出現(xiàn)在2023年至2026年。在政策、資本、技術(shù)三重因素推動(dòng)下，國產(chǎn)光刻膠迎來集體突破期，形成了清晰的梯度發(fā)展格局。

高端突破：ArF光刻膠的“零的跨越”

ArF光刻膠（適配28nm至14nm制程）是國產(chǎn)化難度最高的領(lǐng)域。此前，這一領(lǐng)域國產(chǎn)化率不足1%。

南大光電成為國內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)28nmArF光刻膠規(guī)模化量產(chǎn)的企業(yè)。歷經(jīng)10年研發(fā)、上千次配方調(diào)整，其產(chǎn)品良率穩(wěn)步提升，缺陷密度控制達(dá)到國際先進(jìn)水平。根據(jù)公司公告，目前寧波南大光電ArF光刻膠產(chǎn)能為50噸/年，暫未實(shí)施擴(kuò)產(chǎn)。產(chǎn)品已通過中芯國際、長江存儲等頭部晶圓廠認(rèn)證，進(jìn)入正式供應(yīng)鏈。

中端崛起：KrF光刻膠快速上量

彤程新材（北京科華）在KrF光刻膠領(lǐng)域占據(jù)國內(nèi)領(lǐng)先地位，市占率超40%，成為成熟制程芯片、功率器件、傳感器領(lǐng)域的主力供應(yīng)商。上海基地年產(chǎn)能1.1萬噸，可滿足國內(nèi)主流晶圓廠需求。

晶瑞電材也已有多款KrF光刻膠實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)出貨，ArF光刻膠進(jìn)入小批量出貨階段。

低端穩(wěn)固：G/I線光刻膠基本自給

晶瑞電材、容大感光、上海新陽等企業(yè)在G/I線光刻膠領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)模化生產(chǎn)，國產(chǎn)化率超50%，基本實(shí)現(xiàn)自主可控。

上游突圍：核心原材料不再受制于人

強(qiáng)力新材是全球PCB干膜光刻膠光引發(fā)劑的隱形冠軍，HABI系列產(chǎn)品占全球市場份額的65%以上。其LCD肟酯類光引發(fā)劑全球市占率約40%，位居全球第二。圣泉集團(tuán)布局光刻膠用酚醛樹脂、環(huán)氧樹脂等材料。徐州博康等企業(yè)在光致產(chǎn)酸劑、高純樹脂等核心原材料領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破，為國產(chǎn)光刻膠提供全鏈條支撐。

生態(tài)重構(gòu)：下游采購邏輯的根本轉(zhuǎn)變

隨著國產(chǎn)光刻膠性能的持續(xù)提升和供應(yīng)鏈安全意識的增強(qiáng)，下游晶圓廠的采購邏輯發(fā)生了根本性轉(zhuǎn)變。

一是戰(zhàn)略定位升級。國產(chǎn)光刻膠在晶圓廠的供應(yīng)鏈體系中，正從“戰(zhàn)略備選”向“核心供應(yīng)商”演進(jìn)。受國際供應(yīng)鏈環(huán)境影響，下游晶圓廠對供應(yīng)鏈安全的重視程度顯著提高，將國產(chǎn)材料視為保障生產(chǎn)連續(xù)性的戰(zhàn)略必需品。

二是合作模式深化。產(chǎn)業(yè)觀察顯示，下游客戶與上游材料企業(yè)的合作已從“單向送樣測試”轉(zhuǎn)向“協(xié)同開發(fā)”。晶圓廠愿意共享部分工藝參數(shù)，將材料性能與工藝需求深度綁定，共同優(yōu)化缺陷密度。這種深度協(xié)同顯著縮短了從驗(yàn)證到量產(chǎn)的周期。目前，中芯國際、華虹半導(dǎo)體、長江存儲等頭部晶圓廠均加快了對國產(chǎn)光刻膠的驗(yàn)證進(jìn)度，KrF及以上級別光刻膠的平均驗(yàn)證周期已從過去的18-24個(gè)月縮短至11個(gè)月左右。

三是采購份額提升。隨著國產(chǎn)材料在良率、穩(wěn)定性等關(guān)鍵指標(biāo)上不斷追平進(jìn)口產(chǎn)品，部分頭部晶圓廠已開始將國產(chǎn)材料納入核心供應(yīng)商體系，并逐步擴(kuò)大采購份額。以南大光電為例，其ArF光刻膠已通過中芯國際、長江存儲等頭部晶圓廠認(rèn)證，進(jìn)入正式供應(yīng)鏈。

從“可用”到“好用”仍有距離

國產(chǎn)高端光刻膠的突破值得肯定，但從產(chǎn)業(yè)視角審視，“導(dǎo)入意愿”與實(shí)際“采購比例”之間依然存在客觀差距。這種差距主要源于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的固有特性：

一是驗(yàn)證周期的“時(shí)間差”。半導(dǎo)體材料從驗(yàn)證到大規(guī)模采購?fù)ǔＰ枰?-2年的周期。雖然晶圓廠的“導(dǎo)入意愿”顯著增強(qiáng)，但很多產(chǎn)品仍處于驗(yàn)證或小批量試產(chǎn)階段，尚未轉(zhuǎn)化為大規(guī)模采購訂單。

二是產(chǎn)能爬坡的“滯后性”。即使客戶有很強(qiáng)的采購意愿，如果上游產(chǎn)能無法在短期內(nèi)滿足全行業(yè)需求，實(shí)際的“采購比例”也會受到物理限制。以南大光電為例，其ArF光刻膠產(chǎn)能目前維持在50噸/年，暫未擴(kuò)產(chǎn)。

三是“信任成本”和“切換成本”仍在起作用。為確保產(chǎn)線良率穩(wěn)定，晶圓廠往往采取“進(jìn)口為主、國產(chǎn)為輔”的雙軌制策略，在關(guān)鍵制程仍謹(jǐn)慎使用國產(chǎn)材料。

此外，在EUV光刻膠領(lǐng)域，國產(chǎn)化率基本為0，完全依賴進(jìn)口。部分超高純度樹脂、光酸劑及特種添加劑仍需突破。日美企業(yè)在高端光刻膠領(lǐng)域積累的大量核心專利，也構(gòu)成潛在風(fēng)險(xiǎn)。

國產(chǎn)光刻膠的突圍，從來不是一場“換道超車”的魔術(shù)，而是一場關(guān)于每一個(gè)分子、每一個(gè)批次、每一道良率的“笨功夫”長跑。目前，產(chǎn)業(yè)正處于從“意愿高漲”向“比例提升”轉(zhuǎn)化的關(guān)鍵窗口期。

從“戰(zhàn)略備選”向“核心供應(yīng)商”演進(jìn)

展望未來，國產(chǎn)光刻膠正站在從“戰(zhàn)略備選”向“核心供應(yīng)商”跨越的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)。

市場規(guī)模持續(xù)擴(kuò)張。受益于AI算力、新能源汽車、5G通信等需求拉動(dòng)，國內(nèi)12英寸晶圓產(chǎn)能持續(xù)爬坡，帶動(dòng)光刻膠需求穩(wěn)步增長。

政策與市場雙輪驅(qū)動(dòng)。國家大基金三期重點(diǎn)向光刻膠等半導(dǎo)體材料領(lǐng)域傾斜。工信部將光刻膠列入“卡脖子”材料攻關(guān)清單，多地出臺采購國產(chǎn)光刻膠的補(bǔ)貼政策。

技術(shù)迭代方向清晰。KrF自給率向50%沖刺，ArF向更高端制程延伸，EUV光刻膠開始前期布局。上游樹脂國產(chǎn)化進(jìn)入量產(chǎn)突破期，全產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新將持續(xù)加速。

產(chǎn)業(yè)評價(jià)機(jī)制有望重構(gòu)。行業(yè)呼吁建立“誰用誰評、誰產(chǎn)誰評”的市場化評價(jià)機(jī)制，讓下游晶圓廠、設(shè)備商來評價(jià)上游材料企業(yè)的價(jià)值，由市場決定產(chǎn)業(yè)資源配置。

從PCB到G/I線，從KrF到ArF，從配方到樹脂，國產(chǎn)光刻膠產(chǎn)業(yè)的突破，是政策引導(dǎo)、資本投入、產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)力的結(jié)果。

更重要的是，下游晶圓廠的態(tài)度之變，折射出中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)的成熟。從“被動(dòng)備選”到“主動(dòng)擁抱”，從“單向驗(yàn)證”到“協(xié)同開發(fā)”，國產(chǎn)光刻材料正在跨越從“可用”到“好用”的最后一道門檻。這不僅僅是采購清單的更替，更是產(chǎn)業(yè)鏈信任鏈條的重塑。

當(dāng)每一滴“中國制造”的光刻膠，都能在納米尺度上精準(zhǔn)地流淌成芯，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的根基才算真正穩(wěn)固。當(dāng)然，EUV的“無人區(qū)”仍在前方，原材料的“最后一公里”尚需打通。

最難的時(shí)候已經(jīng)過去，最好的時(shí)代正在開啟。